公开(公告)号：US08574990B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US13033616

申请日：2011-02-24

申请人： Po-Jui Liao ,  Tsung-Lung Tsai ,  Chien-Ting Lin ,  Shao-Hua Hsu ,  Shui-Yen Lu ,  Pei-Yu Chou ,  Shin-Chi Chen ,  Jiunn-Hsiung Liao ,  Shang-Yuan Tsai ,  Chan-Lon Yang ,  Teng-Chun Tsai ,  Chun-Hsien Lin

发明人： Po-Jui Liao ,  Tsung-Lung Tsai ,  Chien-Ting Lin ,  Shao-Hua Hsu ,  Shui-Yen Lu ,  Pei-Yu Chou ,  Shin-Chi Chen ,  Jiunn-Hsiung Liao ,  Shang-Yuan Tsai ,  Chan-Lon Yang ,  Teng-Chun Tsai ,  Chun-Hsien Lin

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966

摘要： The present invention provides a method of manufacturing semiconductor device having metal gate. First, a substrate is provided. A first conductive type transistor having a first sacrifice gate and a second conductive type transistor having a second sacrifice gate are disposed on the substrate. The first sacrifice gate is removed to form a first trench and then a first metal layer and a first material layer are formed in the first trench. Next, the first metal layer and the first material layer are flattened. The second sacrifice gate is removed to form a second trench and then a second metal layer and a second material layer are formed in the second trench. Lastly, the second metal layer and the second material layer are flattened.

摘要翻译： 本发明提供一种制造具有金属栅极的半导体器件的方法。 首先，提供基板。 具有第一牺牲栅极的第一导电型晶体管和具有第二牺牲栅极的第二导电型晶体管设置在衬底上。 去除第一牺牲栅极以形成第一沟槽，然后在第一沟槽中形成第一金属层和第一材料层。 接下来，第一金属层和第一材料层变平。 去除第二牺牲栅极以形成第二沟槽，然后在第二沟槽中形成第二金属层和第二材料层。 最后，第二金属层和第二材料层变平。

公开(公告)号：US08536072B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13368006

申请日：2012-02-07

申请人： Chan-Lon Yang ,  Ching-Nan Hwang ,  Chi-Heng Lin ,  Chun-Yao Yang ,  Ger-Pin Lin ,  Ching-I Li

发明人： Chan-Lon Yang ,  Ching-Nan Hwang ,  Chi-Heng Lin ,  Chun-Yao Yang ,  Ger-Pin Lin ,  Ching-I Li

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L28/24 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20

摘要： A semiconductor process is provided, including following steps. A polysilicon layer is formed on a substrate. An asymmetric dual-side heating treatment is performed to the polysilicon layer, wherein a power for a front-side heating is different from a power for a backside heating.

摘要翻译： 提供半导体工艺，包括以下步骤。 在基板上形成多晶硅层。 对多晶硅层进行不对称双面加热处理，其中用于正面加热的功率不同于用于背面加热的功率。

公开(公告)号：US20130078792A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13248011

申请日：2011-09-28

申请人： Pong-Wey Huang ,  Chan-Lon Yang ,  Chang-Hung Kung ,  Wei-Hsin Liu ,  Ya-Hsueh Hsieh ,  Bor-Shyang Liao ,  Teng-Chun Hsuan ,  Chun-Yao Yang

发明人： Pong-Wey Huang ,  Chan-Lon Yang ,  Chang-Hung Kung ,  Wei-Hsin Liu ,  Ya-Hsueh Hsieh ,  Bor-Shyang Liao ,  Teng-Chun Hsuan ,  Chun-Yao Yang

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545

摘要： A semiconductor process includes the following steps. An interdielectric layer is formed on a substrate and the interdielectric layer has a first recess and a second recess. A metal layer is formed to cover the surface of the interdielectric layer, the first recess and the second recess. Partially fills a sacrificed material into the first recess and the second recess so that a portion of the metal layer in each of the recesses is respectively covered. The uncovered metal layer in each of the recesses is removed. The sacrificed material is removed. An etching process is performed to remove the remaining metal layer in the first recess and reserve the remaining metal layer in the second recess.

摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 介电层形成在基板上，并且介电层具有第一凹槽和第二凹槽。 形成金属层以覆盖介电层的表面，第一凹部和第二凹部。 部分地将牺牲的材料填充到第一凹部和第二凹部中，使得每个凹部中的金属层的一部分分别被覆盖。 去除每个凹部中的未覆盖的金属层。 牺牲的材料被去除。 执行蚀刻处理以去除第一凹部中的剩余金属层并且将剩余的金属层保留在第二凹部中。

公开(公告)号：US08329597B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US13041451

申请日：2011-03-07

申请人： Chan-Lon Yang ,  Shih-Fang Tzou ,  Chen-Kuo Chiang

发明人： Chan-Lon Yang ,  Shih-Fang Tzou ,  Chen-Kuo Chiang

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A semiconductor process having a dielectric layer including metal oxide is provided. The semiconductor process includes: A substrate is provided. A dielectric layer including metal oxide is formed on the substrate, wherein the dielectric layer has a plurality of oxygen-related vacancies. A first oxygen-importing process is performed to fill the oxygen-related vacancies with oxygen. Otherwise, three MOS transistor processes are also provided, each of which has a gate dielectric layer including a high dielectric constant, and a first oxygen-importing process is performed to fill the oxygen-related vacancies with oxygen.

摘要翻译： 提供了具有包括金属氧化物的电介质层的半导体工艺。 半导体工艺包括：提供衬底。 在基板上形成包括金属氧化物的电介质层，其中介电层具有多个与氧有关的空位。 进行第一氧气进入处理以用氧填充与氧相关的空位。 另外，还提供三个MOS晶体管工艺，每个MOS晶体管工艺都具有包括高介电常数的栅极电介质层，并且执行第一氧气进入工艺以用氧填充与氧相关的空位。

公开(公告)号：US20120270377A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13092990

申请日：2011-04-25

申请人： Ted Ming-Lang Guo ,  Chin-Cheng Chien ,  Shu-Yen Chan ,  Chan-Lon Yang ,  Chun-Yuan Wu

发明人： Ted Ming-Lang Guo ,  Chin-Cheng Chien ,  Shu-Yen Chan ,  Chan-Lon Yang ,  Chun-Yuan Wu

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/324 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7834

摘要： A method of fabricating a semiconductor structure, in which after an etching process is performed to form at least one recess within a semiconductor beside a gate structure, a thermal treatment is performed on the recess in a gas atmosphere including an inert gas before a silicon-containing epitaxial layer is formed in the recess through an epitaxy growth process.

摘要翻译： 一种制造半导体结构的方法，其中在进行蚀刻处理以在栅极结构之外的半导体内形成至少一个凹槽时，在包含惰性气体的气体气氛中的凹部上进行热处理， 通过外延生长工艺在凹部中形成含有外延层的外延层。

公开(公告)号：US20120244669A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13053223

申请日：2011-03-22

申请人： Po-Jui Liao ,  Tsung-Lung Tsai ,  Chien-Ting Lin ,  Shao-Hua Hsu ,  Yi-Wei Chen ,  Hsin-Fu Huang ,  Tzung-Ying Lee ,  Min-Chuan Tsai ,  Chan-Lon Yang ,  Chun-Yuan Wu ,  Teng-Chun Tsai ,  Guang-Yaw Hwang ,  Chia-Lin Hsu ,  Jie-Ning Yang ,  Cheng-Guo Chen ,  Jung-Tsung Tseng ,  Zhi-Cheng Lee ,  Hung-Ling Shih ,  Po-Cheng Huang ,  Yi-Wen Chen ,  Che-Hua Hsu

发明人： Po-Jui Liao ,  Tsung-Lung Tsai ,  Chien-Ting Lin ,  Shao-Hua Hsu ,  Yi-Wei Chen ,  Hsin-Fu Huang ,  Tzung-Ying Lee ,  Min-Chuan Tsai ,  Chan-Lon Yang ,  Chun-Yuan Wu ,  Teng-Chun Tsai ,  Guang-Yaw Hwang ,  Chia-Lin Hsu ,  Jie-Ning Yang ,  Cheng-Guo Chen ,  Jung-Tsung Tseng ,  Zhi-Cheng Lee ,  Hung-Ling Shih ,  Po-Cheng Huang ,  Yi-Wen Chen ,  Che-Hua Hsu

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833

摘要： The present invention provides a method of manufacturing semiconductor device having metal gates. First, a substrate is provided. A first conductive type transistor having a first sacrifice gate and a second conductive type transistor having a second sacrifice gate are disposed on the substrate. The first sacrifice gate is removed to form a first trench. Then, a first metal layer is formed in the first trench. The second sacrifice gate is removed to form a second trench. Next, a second metal layer is formed in the first trench and the second trench. Lastly, a third metal layer is formed on the second metal layer wherein the third metal layer is filled into the first trench and the second trench.

摘要翻译： 本发明提供一种制造具有金属栅极的半导体器件的方法。 首先，提供基板。 具有第一牺牲栅极的第一导电型晶体管和具有第二牺牲栅极的第二导电型晶体管设置在衬底上。 去除第一牺牲栅极以形成第一沟槽。 然后，在第一沟槽中形成第一金属层。 去除第二牺牲栅极以形成第二沟槽。 接下来，在第一沟槽和第二沟槽中形成第二金属层。 最后，在第二金属层上形成第三金属层，其中第三金属层被填充到第一沟槽和第二沟槽中。

公开(公告)号：US20120231600A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13041451

申请日：2011-03-07

申请人： Chan-Lon Yang ,  Shih-Fang Tzou ,  Chen-Kuo Chiang

发明人： Chan-Lon Yang ,  Shih-Fang Tzou ,  Chen-Kuo Chiang

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A semiconductor process having a dielectric layer including metal oxide is provided. The semiconductor process includes: A substrate is provided. A dielectric layer including metal oxide is formed on the substrate, wherein the dielectric layer has a plurality of oxygen-related vacancies. A first oxygen-importing process is performed to fill the oxygen-related vacancies with oxygen. Otherwise, three MOS transistor processes are also provided, each of which has a gate dielectric layer including a high dielectric constant, and a first oxygen-importing process is performed to fill the oxygen-related vacancies with oxygen.

摘要翻译： 提供了具有包括金属氧化物的电介质层的半导体工艺。 半导体工艺包括：提供衬底。 在基板上形成包括金属氧化物的电介质层，其中介电层具有多个与氧有关的空位。 进行第一氧气进入处理以用氧填充与氧相关的空位。 另外，还提供三个MOS晶体管工艺，每个MOS晶体管工艺都具有包括高介电常数的栅极电介质层，并且执行第一氧气进入工艺以用氧填充与氧相关的空位。

公开(公告)号：US20120223397A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13037383

申请日：2011-03-01

申请人： Chan-Lon Yang ,  Chi-Mao Hsu ,  Chun-Yuan Wu ,  Tzyy-Ming Cheng ,  Shih-Fang Tzou ,  Chin-Fu Lin ,  Hsin-Fu Huang ,  Min-Chuan Tsai

发明人： Chan-Lon Yang ,  Chi-Mao Hsu ,  Chun-Yuan Wu ,  Tzyy-Ming Cheng ,  Shih-Fang Tzou ,  Chin-Fu Lin ,  Hsin-Fu Huang ,  Min-Chuan Tsai

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A method for manufacturing a metal gate structure includes providing a substrate having a high-K gate dielectric layer and a bottom barrier layer sequentially formed thereon, forming a work function metal layer on the substrate, and performing an anneal treatment to the work function metal layer in-situ.

摘要翻译： 一种金属栅极结构的制造方法，其特征在于，具备在其上依次形成有高K栅极电介质层和底部阻挡层的基板，在基板上形成功函数金属层，对功函数金属层进行退火处理 原位。

公开(公告)号：US20120070995A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US12886580

申请日：2010-09-21

申请人： Yeng-Peng Wang ,  Chun-Hsien Lin ,  Chiu-Hsien Yeh ,  Chin-Cheng Chien ,  Chan-Lon Yang

发明人： Yeng-Peng Wang ,  Chun-Hsien Lin ,  Chiu-Hsien Yeh ,  Chin-Cheng Chien ,  Chan-Lon Yang

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814

摘要： A method for fabricating a metal gate transistor is disclosed. The method includes the steps of: providing a substrate having a first transistor region and a second transistor region; forming a first metal-oxide semiconductor (MOS) transistor on the first transistor region and a second MOS transistor on the second transistor region, in which the first MOS transistor includes a first dummy gate and the second MOS transistor comprises a second dummy gate; forming a patterned hard mask on the second MOS transistor, in which the hard mask includes at least one metal atom; and using the patterned hard mask to remove the first dummy gate of the first MOS transistor.

摘要翻译： 公开了一种用于制造金属栅极晶体管的方法。 该方法包括以下步骤：提供具有第一晶体管区域和第二晶体管区域的衬底; 在第一晶体管区域上形成第一金属氧化物半导体（MOS）晶体管，在第二晶体管区域形成第二MOS晶体管，其中第一MOS晶体管包括第一虚拟栅极，第二MOS晶体管包括第二虚拟栅极; 在所述第二MOS晶体管上形成图案化的硬掩模，其中所述硬掩模包括至少一个金属原子; 以及使用图案化的硬掩模去除第一MOS晶体管的第一伪栅极。

公开(公告)号：US20110177665A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US12691723

申请日：2010-01-21

申请人： Chan-Lon Yang ,  Ching-I Li ,  Tzu-Feng Kuo

发明人： Chan-Lon Yang ,  Ching-I Li ,  Tzu-Feng Kuo

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A thermal process is disclosed. The thermal process preferably includes the steps of: providing a semiconductor substrate ready to be heated; and utilizing at least a first heating beam and a second heating beam with different energy density to heat the semiconductor substrate simultaneously. Accordingly, the present invention no only eliminates the need of switching between two different thermal processing equipments and shortens the overall fabrication cycle time, but also improves the pattern effect caused by the conventional front side heating.

摘要翻译： 公开了一种热处理。 热处理优选包括以下步骤：提供准备加热的半导体衬底; 并且利用至少第一加热束和具有不同能量密度的第二加热束同时加热半导体衬底。 因此，本发明不仅消除了在两个不同的热处理设备之间切换的需要，并且缩短了整个制造周期时间，而且还改善了由常规的前侧加热引起的图案效应。