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    Semiconductor process
    3.
    发明授权
    Semiconductor process 有权
    半导体工艺

    公开(公告)号：US08765588B2

    公开(公告)日：2014-07-01

    申请号：US13248011

    申请日：2011-09-28

    申请人： Pong-Wey Huang ,  Chan-Lon Yang ,  Chang-Hung Kung ,  Wei-Hsin Liu ,  Ya-Hsueh Hsieh ,  Bor-Shyang Liao ,  Teng-Chun Hsuan ,  Chun-Yao Yang

    发明人： Pong-Wey Huang ,  Chan-Lon Yang ,  Chang-Hung Kung ,  Wei-Hsin Liu ,  Ya-Hsueh Hsieh ,  Bor-Shyang Liao ,  Teng-Chun Hsuan ,  Chun-Yao Yang

    IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545

    摘要： A semiconductor process includes the following steps. An interdielectric layer is formed on a substrate and the interdielectric layer has a first recess and a second recess. A metal layer is formed to cover the surface of the interdielectric layer, the first recess and the second recess. Partially fills a sacrificed material into the first recess and the second recess so that a portion of the metal layer in each of the recesses is respectively covered. The uncovered metal layer in each of the recesses is removed. The sacrificed material is removed. An etching process is performed to remove the remaining metal layer in the first recess and reserve the remaining metal layer in the second recess.

    摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 介电层形成在基板上，并且介电层具有第一凹槽和第二凹槽。 形成金属层以覆盖介电层的表面，第一凹部和第二凹部。 部分地将牺牲的材料填充到第一凹部和第二凹部中，使得每个凹部中的金属层的一部分分别被覆盖。 去除每个凹部中的未覆盖的金属层。 牺牲的材料被去除。 执行蚀刻处理以去除第一凹部中的剩余金属层并且将剩余的金属层保留在第二凹部中。

    SEMICONDUCTOR PROCESS
    4.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR PROCESS 有权
    半导体工艺

    公开(公告)号：US20130078792A1

    公开(公告)日：2013-03-28

    申请号：US13248011

    申请日：2011-09-28

    申请人： Pong-Wey Huang ,  Chan-Lon Yang ,  Chang-Hung Kung ,  Wei-Hsin Liu ,  Ya-Hsueh Hsieh ,  Bor-Shyang Liao ,  Teng-Chun Hsuan ,  Chun-Yao Yang

    发明人： Pong-Wey Huang ,  Chan-Lon Yang ,  Chang-Hung Kung ,  Wei-Hsin Liu ,  Ya-Hsueh Hsieh ,  Bor-Shyang Liao ,  Teng-Chun Hsuan ,  Chun-Yao Yang

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545

    摘要： A semiconductor process includes the following steps. An interdielectric layer is formed on a substrate and the interdielectric layer has a first recess and a second recess. A metal layer is formed to cover the surface of the interdielectric layer, the first recess and the second recess. Partially fills a sacrificed material into the first recess and the second recess so that a portion of the metal layer in each of the recesses is respectively covered. The uncovered metal layer in each of the recesses is removed. The sacrificed material is removed. An etching process is performed to remove the remaining metal layer in the first recess and reserve the remaining metal layer in the second recess.

    摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 介电层形成在基板上，并且介电层具有第一凹槽和第二凹槽。 形成金属层以覆盖介电层的表面，第一凹部和第二凹部。 部分地将牺牲的材料填充到第一凹部和第二凹部中，使得每个凹部中的金属层的一部分分别被覆盖。 去除每个凹部中的未覆盖的金属层。 牺牲的材料被去除。 执行蚀刻处理以去除第一凹部中的剩余金属层并且将剩余的金属层保留在第二凹部中。

    SUPPORTING SUBSTRATE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
    5.
    发明申请
    SUPPORTING SUBSTRATE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
    支撑基板及其制造方法

    公开(公告)号：US20110253440A1

    公开(公告)日：2011-10-20

    申请号：US12854040

    申请日：2010-08-10

    申请人： Meng-Han LEE ,  Shao-Yang LU ,  Bor-Shyang LIAO

    发明人： Meng-Han LEE ,  Shao-Yang LU ,  Bor-Shyang LIAO

    IPC分类号： H01R12/04 ,  B05D3/06 ,  C25D3/00 ,  B05D5/12

    CPC分类号： H05K1/11 ,  C25D5/022 ,  C25D7/12 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/3484 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4069 ,  H01L2924/00

    摘要： The invention provides a supporting substrate and method for fabricating the same. The supporting substrate includes: a substrate; a first surface metal layer formed on the substrate, wherein the first surface metal layer has a first opening; a second surface metal layer formed on the substrate and disposed oppositely to the first surface metal layer, wherein the substrate has a through hole, and the through hole is formed along the first opening to expose the second surface metal layer; a protective layer formed on the first surface metal layer and the second surface metal layer, wherein the protective layer has a second opening which exposes the through hole; and a conductive bump formed in the through hole, the first opening and the second opening, wherein the conductive bump is electrically connected to the second surface metal layer.

    摘要翻译： 本发明提供一种支撑基板及其制造方法。 支撑基板包括：基板; 形成在所述基板上的第一表面金属层，其中所述第一表面金属层具有第一开口; 第二表面金属层，形成在所述基板上并且与所述第一表面金属层相对设置，其中所述基板具有通孔，并且所述通孔沿着所述第一开口形成以暴露所述第二表面金属层; 形成在所述第一表面金属层和所述第二表面金属层上的保护层，其中所述保护层具有暴露所述通孔的第二开口; 以及形成在通孔，第一开口和第二开口中的导电凸块，其中导电凸块电连接到第二表面金属层。

    Salicide process
    6.
    发明授权
    Salicide process 有权
    自杀过程

    公开(公告)号：US08815738B2

    公开(公告)日：2014-08-26

    申请号：US13545736

    申请日：2012-07-10

    申请人： Chia-Chang Hsu ,  Bor-Shyang Liao ,  Kuo-Chih Lai ,  Nien-Ting Ho ,  Chi-Mao Hsu ,  Shu-Min Huang ,  Min-Chung Cheng

    发明人： Chia-Chang Hsu ,  Bor-Shyang Liao ,  Kuo-Chih Lai ,  Nien-Ting Ho ,  Chi-Mao Hsu ,  Shu-Min Huang ,  Min-Chung Cheng

    IPC分类号： H01L21/263

    CPC分类号： H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  Y02P70/605

    摘要： A salicide process is described. A substrate having thereon an insulating layer and a silicon-based region is provided. A nickel-containing metal layer is formed on the substrate. A first anneal process is performed to form a nickel-rich silicide layer on the silicon-based region. The remaining nickel-containing metal layer is stripped. A thermal recovery process is performed at a temperature of 150-250° C. for a period longer than 5 minutes. A second anneal process is performed to change the phase of the nickel-rich silicide layer and form a low-resistivity mononickel silicide layer.

    摘要翻译： 描述了一个自杀过程。 提供了其上具有绝缘层和硅基区域的衬底。 在基板上形成含镍金属层。 执行第一退火工艺以在硅基区域上形成富镍硅化物层。 剩余的含镍金属层被剥离。 热回收过程在150-250℃的温度下进行5分钟以上。 进行第二退火处理以改变富镍硅化物层的相位并形成低电阻率单锡硅化物层。

    SALICIDE PROCESS
    8.
    发明申请
    SALICIDE PROCESS 有权
    杀菌工艺

    公开(公告)号：US20140017888A1

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：US13545736

    申请日：2012-07-10

    申请人： Chia-Chang Hsu ,  Bor-Shyang Liao ,  Kuo-Chih Lai ,  Nien-Ting Ho ,  Chi-Mao Hsu ,  Shu-Min Huang ,  Min-Chung Cheng

    发明人： Chia-Chang Hsu ,  Bor-Shyang Liao ,  Kuo-Chih Lai ,  Nien-Ting Ho ,  Chi-Mao Hsu ,  Shu-Min Huang ,  Min-Chung Cheng

    IPC分类号： H01L21/263

    CPC分类号： H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  Y02P70/605

    摘要： A salicide process is described. A substrate having thereon an insulating layer and a silicon-based region is provided. A nickel-containing metal layer is formed on the substrate. A first anneal process is performed to form a nickel-rich silicide layer on the silicon-based region. The remaining nickel-containing metal layer is stripped. A thermal recovery process is performed at a temperature of 150-250° C. for a period longer than 5 minutes. A second anneal process is performed to change the phase of the nickel-rich silicide layer and form a low-resistivity mononickel silicide layer.

    摘要翻译： 描述了一个自杀过程。 提供了其上具有绝缘层和硅基区域的衬底。 在基板上形成含镍金属层。 执行第一退火工艺以在硅基区域上形成富镍硅化物层。 剩余的含镍金属层被剥离。 热回收过程在150-250℃的温度下进行5分钟以上。 进行第二退火处理以改变富镍硅化物层的相位并形成低电阻率单锡硅化物层。

    Supporting substrate and method for fabricating the same
    10.
    发明授权
    Supporting substrate and method for fabricating the same 有权
    支撑基板及其制造方法

    公开(公告)号：US08450624B2

    公开(公告)日：2013-05-28

    申请号：US12854040

    申请日：2010-08-10

    申请人： Meng-Han Lee ,  Shao-Yang Lu ,  Bor-Shyang Liao

    发明人： Meng-Han Lee ,  Shao-Yang Lu ,  Bor-Shyang Liao

    IPC分类号： H05K1/11

    CPC分类号： H05K1/11 ,  C25D5/022 ,  C25D7/12 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/3484 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4069 ,  H01L2924/00

    摘要： The invention provides a supporting substrate and method for fabricating the same. The supporting substrate includes: a substrate; a first surface metal layer formed on the substrate, wherein the first surface metal layer has a first opening; a second surface metal layer formed on the substrate and disposed oppositely to the first surface metal layer, wherein the substrate has a through hole, and the through hole is formed along the first opening to expose the second surface metal layer; a protective layer formed on the first surface metal layer and the second surface metal layer, wherein the protective layer has a second opening which exposes the through hole; and a conductive bump formed in the through hole, the first opening and the second opening, wherein the conductive bump is electrically connected to the second surface metal layer.

    摘要翻译： 本发明提供一种支撑基板及其制造方法。 支撑基板包括：基板; 形成在所述基板上的第一表面金属层，其中所述第一表面金属层具有第一开口; 第二表面金属层，形成在所述基板上并且与所述第一表面金属层相对设置，其中所述基板具有通孔，并且所述通孔沿着所述第一开口形成以暴露所述第二表面金属层; 形成在所述第一表面金属层和所述第二表面金属层上的保护层，其中所述保护层具有暴露所述通孔的第二开口; 以及形成在通孔，第一开口和第二开口中的导电凸块，其中导电凸块电连接到第二表面金属层。