公开(公告)号：US06871589B2

公开(公告)日：2005-03-29

申请号：US10772342

申请日：2004-02-06

申请人： Koichi Hashimoto

发明人： Koichi Hashimoto

IPC分类号： B41J2/01 ,  B41L13/04 ,  B41L13/06 ,  B41F15/10 ,  B41M1/12

CPC分类号： B41L13/06

摘要： A hybrid stencil printing apparatus comprises: a stencil-making/printing unit configured to perforate a stencil sheet corresponding to a desired image, to wind the stencil sheet around an outer peripheral surface of a print drum, and to transfer a printing medium to the print drum with pressure and the printing medium is printed; an other-method image-formation unit configured to print the printing medium transferred on the same transfer passage as the stencil-making/printing unit according to a different printing method from the stencil-making/printing unit; and an image-formation unit selection-unit configured to input an original digital image, to determine a attributes of each image portion of the inputted original digital image, and to allocate each image portion selectively to the stencil-making/printing unit or the other-method image-formation unit based on the determination result.

摘要翻译： 混合模版印刷设备包括：模版印刷单元，其被配置为对应于期望图像的孔版纸进行穿孔，将所述蜡纸卷绕在印刷鼓的外周表面上，并将印刷介质转印到所述印刷品上 滚筒压力和打印介质打印; 另一方法图像形成单元，被配置为根据与所述模版/印刷单元不同的打印方法将与所述模版/印刷单元相同的传送通道上传送的打印介质打印; 以及图像形成单元选择单元，被配置为输入原始数字图像，以确定输入的原始数字图像的每个图像部分的属性，并且将每个图像部分选择性地分配给模板制作/打印单元或其他 - 方法图像形成单元。

公开(公告)号：US06815385B2

公开(公告)日：2004-11-09

申请号：US10619997

申请日：2003-07-15

申请人： Hiroyuki Kosokabe ,  Koichi Hashimoto

发明人： Hiroyuki Kosokabe ,  Koichi Hashimoto

IPC分类号： C03C802

CPC分类号： H01J61/36 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  C03C3/095 ,  C03C3/108 ,  C03C8/24

摘要： A tungsten sealing glass for use in a fluorescent lamp, said glass having a composition of, by mass percent, 65-76% SiO2, 10-25% B2O3, 2-6% Al2O3, 0.5-5.8% MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO, 3-8% Li2O+Na2O+K2O, 0.01-4% Fe2O3+CeO2, 0.1-5% TiO2, 0.1-10% TiO2+Sb2O3+PbO, and 0-2% ZrO2, wherein Na2O/(Na2O+K2O)≦0.6.

摘要翻译： 一种用于荧光灯的钨密封玻璃，所述玻璃的质量百分比为65-76％SiO 2，10-25％B 2 O 3，2-6％Al 2 O 3，0.5-5.8％MgO + CaO + SrO + BaO + ZnO，3-8％Li2O + Na2O + K2O，0.01-4％Fe2O3 + CeO2，0.1-5％TiO2，0.1-10％TiO2 + Sb2O3 + PbO和0-2％ZrO2，其中Na2O /（Na2O + K2O）<= 0.6。

公开(公告)号：US06291064B1

公开(公告)日：2001-09-18

申请号：US09353137

申请日：1999-07-14

申请人： Ryosaku Kadowaki ,  Koichi Hashimoto ,  Toshihiro Asai ,  Toshiaki Okumura

发明人： Ryosaku Kadowaki ,  Koichi Hashimoto ,  Toshihiro Asai ,  Toshiaki Okumura

IPC分类号： B32B516

CPC分类号： B29C45/0005 ,  B29B9/06 ,  B29B9/14 ,  B29C2045/0091 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/249942 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/2913 ,  Y10T428/298

摘要： A fiber reinforced thermoplastic resin molded product having a good surface appearance; fiber reinforced thermoplastic resin pellets useful for making fiber reinforced thermoplastic resin molded products; and processes for making fiber reinforced thermoplastic resin molded products and processes for producing fiber reinforced thermoplastic resin pellets.

摘要翻译： 具有良好表面外观的纤维增强热塑性树脂成型体; 用于制造纤维增强热塑性树脂成型品的纤维增强热塑性树脂颗粒; 以及制造纤维增强热塑性树脂成型体的方法和制造纤维增强热塑性树脂粒料的方法。

公开(公告)号：US5850096A

公开(公告)日：1998-12-15

申请号：US394347

申请日：1995-02-23

申请人： Tetsuo Izawa ,  Hiroshi Goto ,  Koichi Hashimoto

发明人： Tetsuo Izawa ,  Hiroshi Goto ,  Koichi Hashimoto

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L21/76895

摘要： A method for fabricating a semiconductor integrated circuit includes the steps of providing a conductor film on a substrate, providing an insulator film on the conductor film to form a layered structure, removing the insulator film selectively from a first part thereof corresponding to a conductor pattern to be formed, while remaining the insulator film on a second part thereof corresponding also to a conductor pattern to be formed, patterning the layered structure to form a conductor pattern defined by side walls, providing a side wall insulation to each of the side walls of the conductor pattern, providing a first local interconnect pattern on the first part of the conductor pattern such that the first local interconnect pattern establishes an electrical connection with the conductor pattern at the first part, and providing a second local interconnect pattern on the second part of the conductor pattern such that the second local interconnect pattern bridges across the conductor pattern at the second part, without establishing electrical connection therewith.

摘要翻译： 一种制造半导体集成电路的方法包括以下步骤：在基板上提供导体膜，在导体膜上提供绝缘膜以形成层状结构，从对应于导体图案的第一部分选择性地去除绝缘膜， 形成，同时在其第二部分上保留绝缘膜，其也对应于要形成的导体图案，图案化层叠结构以形成由侧壁限定的导体图案，为侧壁的每个侧壁提供侧壁绝缘 在导体图案的第一部分上提供第一局部互连图案，使得第一局部互连图案在第一部分建立与导体图案的电连接，并且在第二部分上提供第二局部互连图案 导体图案，使得第二局部互连图案穿过导体图案 在第二部分，没有建立与其的电连接。

公开(公告)号：US5846885A

公开(公告)日：1998-12-08

申请号：US702161

申请日：1996-08-23

申请人： Takeshi Kamata ,  Hiroshi Arimoto ,  Makoto Kosugi ,  Koichi Hashimoto

发明人： Takeshi Kamata ,  Hiroshi Arimoto ,  Makoto Kosugi ,  Koichi Hashimoto

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/3065

摘要： In a plasma equipment and a plasma treatment method of a semiconductor device capable of reducing electron shading effect and also suppressing charge damage without affecting various characteristics in plasma process, a distance between a substrate bias electrode and A counter electrode is set less than two times as long as a mean free path of electron. High frequency electric power of 100 kHz to 1 MHz is supplied to the substrate bias electrode, while high frequency electric power of 1 MHz to 100 MHz is supplied to the counter electrode.

摘要翻译： 在能够降低电子阴影效应并且还抑制电荷损伤而不影响等离子体处理中的各种特性的半导体器件的等离子体设备和等离子体处理方法中，衬底偏置电极和A对电极之间的距离设定为小于等于 长达电子的平均自由路径。 向基板偏置电极供给100kHz〜1MHz的高频电力，向对置电极供给1MHz〜100MHz的高频电力。

公开(公告)号：US5750316A

公开(公告)日：1998-05-12

申请号：US404550

申请日：1995-03-15

申请人： Eiichi Kawamura ,  Teruyoshi Yao ,  Nobuhisa Naori ,  Koichi Hashimoto ,  Masaharu Kobayashi ,  Tadasi Oshima

发明人： Eiichi Kawamura ,  Teruyoshi Yao ,  Nobuhisa Naori ,  Koichi Hashimoto ,  Masaharu Kobayashi ,  Tadasi Oshima

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/091

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device including the steps of: forming a transparent oxide film on a light reflecting surface; forming an anti-reflective a-c film on the surface of the transparent film; and coating a photoresist film on the surface of the anti-reflective film and patterning the photoresist film, wherein the thicknesses of the anti-reflective film and the transparent film are selected so as to set a standing wave intensity I.sub.sw =I.delta./I.sub.ave to 0.2 or smaller, where I.sub.ave is an average value of light intensity in the photoresist film, and I.delta. is an amplitude of a light intensity change. A fine pattern can be formed on a highly reflective substrate with a small size variation and at a high precision.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在光反射表面上形成透明氧化膜; 在透明膜的表面上形成抗反射性的a-c膜; 并且在抗反射膜的表面上涂覆光致抗蚀剂膜并对该光致抗蚀剂膜进行构图，其中选择抗反射膜和透明膜的厚度，以将驻波强度Isw = I delta / Iave设定为 0.2或更小，其中Iave是光致抗蚀剂膜中的光强度的平均值，I delta是光强度变化的幅度。 可以在具有小尺寸变化和高精度的高反射性基板上形成精细图案。

公开(公告)号：US5747399A

公开(公告)日：1998-05-05

申请号：US711804

申请日：1996-09-10

申请人： Hiroyuki Kosokabe ,  Koichi Hashimoto

发明人： Hiroyuki Kosokabe ,  Koichi Hashimoto

IPC分类号： C03C3/091 ,  C03C3/108 ,  C03C4/08 ,  C03C3/093 ,  C03C4/12

CPC分类号： C03C3/091 ,  C03C3/108 ,  C03C4/085

摘要： In order to provide a glass which can be sealed to tungsten and Kovar and has a solarization resistance against the ultraviolet ray, and which is adaptable for use in a fluorescent lamp of a reduced size used as a light source for a lighting device in a liquid crystal display (13). The glass for use in a fluorescent lamp which consists essentially, by weight, of SiO.sub.2 55-79%, B.sub.2 O.sub.3 12.5-25%, Al.sub.2 O.sub.3, 0.5-10% Li.sub.2 O+Na.sub.2 O+K.sub.2 O 1-16%, ZrO.sub.2 0.01-5%, TiO.sub.2 +PbO+Sb.sub.2 O.sub.3 0.05-11%.

摘要翻译： 为了提供可以与钨和科瓦尔密封的玻璃，并且具有抵抗紫外线的耐日晒性，并且适用于用作液体中的照明装置的光源的减小尺寸的荧光灯 水晶显示器（13）。 用于荧光灯的玻璃，其基本上由SiO 2 55-79％，B 2 O 3 12.5-25％，Al 2 O 3，0.5-10％Li 2 O + Na 2 O + K 2 O 1-16％，ZrO 2 0.01-5％ TiO2 + PbO + Sb2O3 0.05-11％。

公开(公告)号：US5670017A

公开(公告)日：1997-09-23

申请号：US350841

申请日：1994-12-07

申请人： Koichi Hashimoto

发明人： Koichi Hashimoto

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/31116

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device of the present invention includes steps of introducing mixed gas containing CHF.sub.3 and CF.sub.4 in which a gas flow ratio of CF.sub.4 among CHF.sub.3 and CF.sub.4 is 30% or lower into an etching atmosphere, setting the pressure in the etching atmosphere to 1.2 Torr or lower and applying radio frequency electric power of 4 W/cm.sup.2 or more to a pair of electrodes, thereby to apply patterning with etching to an insulating film using a resist pattern as a mask.

摘要翻译： 本发明的半导体装置的制造方法包括将CHF 3和CF 4中的CF 4的气体流量比为30％以下的含有CHF 3和CF 4的混合气体导入蚀刻气氛的步骤，设定蚀刻气氛中的压力 至1.2Torr以下，对一对电极施加4W / cm 2以上的射频电力，由此利用抗蚀剂图案作为掩模，利用蚀刻对绝缘膜进行图案化。

公开(公告)号：US5574062A

公开(公告)日：1996-11-12

申请号：US347467

申请日：1994-12-13

申请人： Koichi Hashimoto ,  Akio Yamada ,  Hirokazu Hamano ,  Shigehiro Mori ,  Hisako Moriuchi

发明人： Koichi Hashimoto ,  Akio Yamada ,  Hirokazu Hamano ,  Shigehiro Mori ,  Hisako Moriuchi

IPC分类号： C07D311/16 ,  C07D407/04 ,  C07D409/04 ,  A61K31/37 ,  C07D311/20

CPC分类号： C07D407/04 ,  C07D311/16 ,  C07D409/04

摘要： The present invention provides compounds having 12-lipoxygenase inhibitory effect and medicines inhibiting 12-lipoxygenase selectively, and relates to novel coumarin derivatives and medicines containing the compounds as effective ingredients. Furthermore, this invention relates to compounds capable of converting to compounds inhibiting 12-lipoxygenase activities selectively according to the cleavage of modified moieties in vivo and medicines inhibiting 12-lipoxygenase selectively, and relates to novel coumarin derivatives having acyl groups as modified moieties and medicines containing the compounds as effective ingredients. The compounds of the present invention can inhibit 12-lipoxygenase strongly and selectively, and being useful as medicines for preventing and treating various circulatory diseases such as arteriosclerosis and vasospasm and for preventing of the metastasis of some kinds of cancers, and show low toxicity and few side effects.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP94 / 00615 Sec。 371日期1994年12月13日第 102（e）日期1994年12月13日PCT 1994年4月12日PCT PCT。 公开号WO94 / 24119 日期：1994年10月27日本发明提供具有12-脂肪氧合酶抑制作用的化合物和选择性抑制12-脂肪氧合酶的药物，涉及新型香豆素衍生物和含有该化合物作为有效成分的药物。 此外，本发明涉及能够根据体内修饰部分的切割和选择性抑制12-脂肪氧合酶的药物选择性地转化成抑制12-脂肪氧合酶活性的化合物的化合物，并且涉及具有酰基作为修饰部分的新型香豆素衍生物和含有 该化合物为有效成分。 本发明化合物能够强烈，有选择地抑制12-脂肪氧合酶，可用作预防和治疗各种循环系统疾病如动脉硬化和血管痉挛以及预防某些癌症转移的药物，并且显示低毒性和少量 副作用。

公开(公告)号：US5250546A

公开(公告)日：1993-10-05

申请号：US551037

申请日：1990-07-11

申请人： Mitsuo Masaki ,  Haruhiko Shinozaki ,  Masaru Satoh ,  Naoya Moritoh ,  Koichi Hashimoto ,  Toshiro Kamishiro

发明人： Mitsuo Masaki ,  Haruhiko Shinozaki ,  Masaru Satoh ,  Naoya Moritoh ,  Koichi Hashimoto ,  Toshiro Kamishiro

IPC分类号： C07D295/13 ,  A61K31/445

CPC分类号： C07D295/13

摘要： Amino-alcohol derivatives of the formula, ##STR1## where R.sub.1 is a straight or branched alkyl group having 3 to 8 carbon atoms, R.sub.2 and R.sub.3 are each a lower alkyl group, or R.sub.2 and R.sub.3 form a 5- to 7-membered ring together with the adjacent nitrogen atom which may have an oxygen atom attached thereto, R.sub.4 is a hydrogen atom or a lower alkyl group, R.sub.5 is a hydrogen atom or a lower alkyl group, X is a hydrogen or halogen atom or a lower alkyl or lower alkoxy group, and n is an integer of 2 or 3, and acid addition salts thereof, are effectively useful as medicines and agricultural chemicals. Processes are also disclosed for preparing such compounds.

摘要翻译： 其中R1是具有3至8个碳原子的直链或支链烷基，R2和R3各自为低级烷基，或R2和R3形成5-至7-元环的下式的氨基醇衍生物， 与可能具有氧原子的相邻氮原子一起，R4是氢原子或低级烷基，R5是氢原子或低级烷基，X是氢或卤素原子或低级烷基或低级烷基 烷氧基，n为2或3的整数，其酸加成盐可有效用作药物和农药。 还公开了制备这些化合物的方法。