公开(公告)号：US08258828B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US12938150

申请日：2010-11-02

申请人： Jun Liu ,  Haibo Zhang

发明人： Jun Liu ,  Haibo Zhang

IPC分类号： H03K4/90

CPC分类号： H02M3/156

摘要： An integrated circuit includes a saw-tooth generator including a saw tooth node configured to have a saw-tooth voltage generated thereon; and a first switch having a first end connected to the saw tooth node. The integrated circuit further includes a second switch coupled between an output node and an electrical ground, wherein the first switch and the second switch are configured to operate synchronously. A first current source is connected to the saw tooth node. A second current source is connected to the output node.

摘要翻译： 集成电路包括锯齿发生器，其包括被配置为具有在其上产生的锯齿电压的锯齿节点; 以及第一开关，其具有连接到锯齿节点的第一端。 集成电路还包括耦合在输出节点和电接地之间的第二开关，其中第一开关和第二开关被配置为同步地操作。 第一电流源连接到锯齿节点。 第二个电流源连接到输出节点。

公开(公告)号：US08243506B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12869338

申请日：2010-08-26

申请人： Jun Liu

发明人： Jun Liu

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/02

CPC分类号： H01L45/126 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： Methods, devices, and systems associated with phase change memory structures are described herein. One method of forming a phase change memory structure includes forming an insulator material on a first conductive element and on a dielectric material of a phase change memory cell, forming a heater self-aligned with the first conductive element, forming a phase change material on the heater and at least a portion of the insulator material formed on the dielectric material, and forming a second conductive element of the phase change memory cell on the phase change material.

摘要翻译： 本文描述了与相变存储器结构相关联的方法，装置和系统。 形成相变存储器结构的一种方法包括在第一导电元件上和在相变存储器单元的电介质材料上形成绝缘体材料，形成与第一导电元件自对准的加热器，在第一导电元件上形成相变材料 加热器和形成在电介质材料上的绝缘体材料的至少一部分，以及在相变材料上形成相变存储器单元的第二导电元件。

公开(公告)号：US08233316B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US12561896

申请日：2009-09-17

申请人： Jun Liu

发明人： Jun Liu

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/003 ,  G11C17/16 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144

摘要： An improved memory array architecture and cell design in which the cell employs two access transistors. In one embodiment, the two access transistors in each cell are coupled at one of their channel terminals to a memory element, which in turn is connected to a bit line. The other of the channel terminals are effectively tied together via reference lines. The word lines (i.e., gates) of the two access transistors are also tied together. The result in a preferred embodiment is a cell having two access transistors wired and accessed in parallel. With such a configuration, the widths of the access transistors can be made one-half the width of more-traditional one-access-transistor designs, saving layout space in that (first) dimension. Moreover, because the word lines of adjacent cells will be deselected, the improved design does not require cell-to-cell isolation (e.g., trench isolation) in the other (second) dimension. The result, when applied to a phase change memory, comprises about a 37% reduction in layout area from previous cell designs.

摘要翻译： 改进的存储器阵列架构和单元设计，其中单元采用两个存取晶体管。 在一个实施例中，每个单元中的两个存取晶体管在其一个通道端子处耦合到存储元件，存储元件又连接到位线。 另一个通道终端通过参考线实际连接在一起。 两个存取晶体管的字线（即，门）也被连接在一起。 在优选实施例中的结果是具有并联连接和访问的两个存取晶体管的单元。 通过这样的配置，可以使存取晶体管的宽度成为传统的一次存取晶体管设计的宽度的一半，从而节省了（第一）尺寸的布局空间。 此外，由于相邻单元的字线将被取消选择，所以改进的设计不需要另一（第二）尺寸的单元间隔离（例如沟槽隔离）。 结果，当应用于相变存储器时，包括比以前的单元设计大约减少37％的布局面积。

公开(公告)号：US08201969B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12252374

申请日：2008-10-16

申请人： Jun Liu ,  Yong-Dong Chen ,  Shih-Hsun Wung

发明人： Jun Liu ,  Yong-Dong Chen ,  Shih-Hsun Wung

IPC分类号： F21S4/00 ,  F21V29/00

CPC分类号： F21V29/004 ,  F21S8/088 ,  F21V21/116 ,  F21V29/745 ,  F21V29/76 ,  F21W2131/103 ,  F21Y2115/10

摘要： An LED illuminator includes an illuminator base and at least two LED lamp units inclinedly disposed on a surface of the illuminator base. Each of the LED lamp units includes a heat dissipation structure and LEDs oriented downwardly and outwardly. A U-shaped fixing element is secured to a center of the illuminator base. The LED lamp units are connected with sidewalls of the fixing element.

摘要翻译： LED照明器包括照明器基座和倾斜地布置在照明器基座的表面上的至少两个LED灯单元。 每个LED灯单元包括散热结构和向下和向外定向的LED。 U形固定元件固定在照明器底座的中心。 LED灯单元与固定元件的侧壁连接。

公开(公告)号：US08201078B2

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：US12211156

申请日：2008-09-16

申请人： John Boyer ,  Martin F. Dunn ,  Maureen E. Kraft ,  Jun Liu ,  Mihir R. Shah ,  He Feng Su ,  Saurabh Tiwari

发明人： John Boyer ,  Martin F. Dunn ,  Maureen E. Kraft ,  Jun Liu ,  Mihir R. Shah ,  He Feng Su ,  Saurabh Tiwari

IPC分类号： G06F17/00

CPC分类号： G06Q10/00

摘要： Business process enablement of electronic documents is provided. A method includes populating an electronic document supporting structured and unstructured content. The electronic document includes a description identifying a server and the content. The method further includes notifying a document processor of a submission event. The method also includes serializing a portion of the electronic document containing some of the unstructured content. The method additionally includes submitting the electronic document to the server in response to the submission event.

摘要翻译： 提供电子文件的业务流程支持。 一种方法包括填充支持结构化和非结构化内容的电子文档。 电子文档包括标识服务器和内容的描述。 该方法还包括通知文档处理器提交事件。 该方法还包括串行化包含一些非结构化内容的电子文档的一部分。 该方法还包括响应于提交事件将电子文档提交给服务器。

公开(公告)号：US20120135581A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13369507

申请日：2012-02-09

申请人： Jun Liu

发明人： Jun Liu

IPC分类号： H01L21/8239

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： Memory devices having a plurality of memory cells, with each memory cell including a phase change material having a laterally constricted portion thereof. The laterally constricted portions of adjacent memory cells are vertically offset and positioned on opposite sides of the memory device. Also disclosed are memory devices having a plurality of memory cells, with each memory cell including first and second electrodes having different widths. Adjacent memory cells have the first and second electrodes offset on vertically opposing sides of the memory device. Methods of forming the memory devices are also disclosed.

摘要翻译： 具有多个存储单元的存储器件，每个存储单元包括具有横向收缩部分的相变材料。 相邻存储单元的横向收缩部分垂直偏移并且位于存储器件的相对侧上。 还公开了具有多个存储单元的存储器件，每个存储器单元包括具有不同宽度的第一和第二电极。 相邻存储器单元具有在存储器件的垂直相对侧上偏移的第一和第二电极。 还公开了形成存储器件的方法。

公开(公告)号：US20120132884A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13364800

申请日：2012-02-02

申请人： Jun Liu

发明人： Jun Liu

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

摘要： Phase change memory elements, devices and systems using the same and methods of forming the same are disclosed. A memory element includes first and second electrodes, and a phase change material layer between the first and second electrodes. The phase change material layer has a first portion with a width less than a width of a second portion of the phase change material layer. The first electrode, second electrode and phase change material layer may be oriented at least partially along a same horizontal plane.

摘要翻译： 公开了相变存储器元件，使用其的器件和系统及其形成方法。 存储元件包括第一和第二电极以及在第一和第二电极之间的相变材料层。 相变材料层具有宽度小于相变材料层的第二部分的宽度的第一部分。 第一电极，第二电极和相变材料层可以至少部分地沿着相同的水平面取向。

公开(公告)号：US20120097913A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US12909650

申请日：2010-10-21

申请人： Jun Liu ,  John K. Zahurak

发明人： Jun Liu ,  John K. Zahurak

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/1266 ,  H01L21/28114 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/2481 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66621 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1691

摘要： An integrated circuit has a nonvolatile memory cell that includes a first electrode, a second electrode, and an ion conductive material there-between. At least one of the first and second electrodes has an electrochemically active surface received directly against the ion conductive material. The second electrode is elevationally outward of the first electrode. The first electrode extends laterally in a first direction and the ion conductive material extends in a second direction different from and intersecting the first direction. The first electrode is received directly against the ion conductive material only where the first and second directions intersect. Other embodiments, including method embodiments, are disclosed.

摘要翻译： 集成电路具有包括第一电极，第二电极和离子导电材料的非易失性存储单元。 第一和第二电极中的至少一个具有直接接受离子导电材料接受的电化学活性表面。 第二电极位于第一电极的正上方。 第一电极在第一方向上横向延伸，并且离子导电材料沿与第一方向不同并与第一方向相交的第二方向延伸。 仅在第一和第二方向相交的情况下，第一电极直接接收在离子导电材料上。 公开了包括方法实施例的其他实施例。

公开(公告)号：US08134137B2

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：US12141388

申请日：2008-06-18

申请人： Jun Liu

发明人： Jun Liu

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L45/1608 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/872

摘要： Memory device constructions include a first column line extending parallel to a second column line, the first column line being above the second column line; a row line above the second column line and extending perpendicular to the first column line and the second column line; memory material disposed to be selectively and reversibly configured in one of two or more different resistive states; a first diode configured to conduct a first current between the first column line and the row line via the memory material; and a second diode configured to conduct a second current between the second column line and the row line via the memory material. In some embodiments, the first diode is a Schottky diode having a semiconductor anode and a metal cathode and the second diode is a Schottky diode having a metal anode and a semiconductor cathode.

摘要翻译： 存储器件结构包括平行于第二列线延伸的第一列线，第一列线在第二列线之上; 在第二列线上方的行线，并垂直于第一列线和第二列线延伸; 存储器材料，其设置成选择性地和可逆地配置为两种或更多种不同电阻状态之一; 第一二极管，被配置为经由所述存储材料在所述第一列线和所述行线之间传导第一电流; 以及第二二极管，被配置为经由存储器材料在第二列线和行线之间传导第二电流。 在一些实施例中，第一二极管是具有半导体阳极和金属阴极的肖特基二极管，第二二极管是具有金属阳极和半导体阴极的肖特基二极管。

公开(公告)号：US20120057391A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US13292680

申请日：2011-11-09

申请人： Jun Liu

发明人： Jun Liu

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/74

摘要： Embodiments disclosed include memory cell operating methods, memory cell programming methods, memory cell reading methods, memory cells, and memory devices. In one embodiment, a memory cell includes a wordline, a first bitline, a second bitline, and a memory element. The memory element is electrically connected to the wordline and selectively electrically connected to the first bitline and the second bitline. The memory element stores information via a resistive state of the memory element. The memory cell is configured to convey the resistive state of the memory element via either a first current flowing from the first bitline through the memory element to the wordline or a second current flowing from the wordline through the memory element to the second bitline.

摘要翻译： 所公开的实施例包括存储器单元操作方法，存储单元编程方法，存储单元读取方法，存储单元和存储器件。 在一个实施例中，存储器单元包括字线，第一位线，第二位线和存储器元件。 存储元件电连接到字线并选择性地电连接到第一位线和第二位线。 存储元件经由存储元件的电阻状态存储信息。 存储器单元被配置为经由从第一位线通过存储器元件流向字线的第一电流或从字线通过存储器元件流向第二位线的第二电流来传送存储器元件的电阻状态。