公开(公告)号：US08133810B2

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：US12881806

申请日：2010-09-14

申请人： Chih-Chao Yang ,  Daniel C. Edelstein ,  Keith Kwong Hon Wong ,  Haining Yang

发明人： Chih-Chao Yang ,  Daniel C. Edelstein ,  Keith Kwong Hon Wong ,  Haining Yang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76885 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76849

摘要： An interconnect structure is provided in which the conductive features embedded within a dielectric material are capped with a metallic capping layer, yet no metallic residue is present on the surface of the dielectric material in the final structure. The inventive interconnect structure has improved dielectric breakdown strength as compared to prior art interconnect structures. Moreover, the inventive interconnect structure has better reliability and technology extendibility for the semiconductor industry. The inventive interconnect structure includes a dielectric material having at least one metallic capped conductive feature embedded therein, wherein a top portion of said at least one metallic capped conductive feature extends above an upper surface of the dielectric material. A dielectric capping layer is located on the dielectric material and it encapsulates the top portion of said at least one metallic capped conductive feature that extends above the upper surface of dielectric material.

摘要翻译： 提供了一种互连结构，其中嵌入电介质材料内的导电特征被金属覆盖层封盖，但在最终结构中绝缘材料表面上没有金属残留物。 与现有技术的互连结构相比，本发明的互连结构具有改善的介电击穿强度。 此外，本发明的互连结构对于半导体工业具有更好的可靠性和技术可扩展性。 本发明的互连结构包括具有嵌入其中的至少一个金属封盖的导电特征的电介质材料，其中所述至少一个金属封端的导电特征的顶部在电介质材料的上表面上方延伸。 电介质覆盖层位于电介质材料上，并且封装在电介质材料的上表面上方延伸的所述至少一个金属封盖导电特征的顶部。

公开(公告)号：US08008724B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US10695748

申请日：2003-10-30

申请人： Bruce B. Doris ,  Haining Yang ,  Huilong Zhu

发明人： Bruce B. Doris ,  Haining Yang ,  Huilong Zhu

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/7843

摘要： In producing complementary sets of metal-oxide-semiconductor (CMOS) field effect transistors, including nMOS and pMOS transistors), carrier mobility is enhanced or otherwise regulated through the use of layering various stressed films over either the nMOS or pMOS transistor (or both), depending on the properties of the layer and isolating stressed layers from each other and other structures with an additional layer in a selected location. Thus both types of transistors on a single chip or substrate can achieve an enhanced carrier mobility, thereby improving the performance of CMOS devices and integrated circuits.

摘要翻译： 在制造互补的金属氧化物半导体（CMOS）场效应晶体管（包括nMOS和pMOS晶体管）的情况下，通过使用在nMOS或pMOS晶体管（或两者）上分层各种应力薄膜来增强或调节载流子迁移率， 取决于层的性质并且将应力层彼此隔离并且在所选位置具有附加层的其它结构。 因此，单个芯片或衬底上的两种类型的晶体管可以实现增强的载流子迁移率，从而提高CMOS器件和集成电路的性能。

公开(公告)号：US20110140288A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US12638557

申请日：2009-12-15

申请人： Haining Yang ,  Chock H. Gan ,  Zhongze Wang ,  Beom-Mo Han

发明人： Haining Yang ,  Chock H. Gan ,  Zhongze Wang ,  Beom-Mo Han

IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/088 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit device comprising a first elongate structure and a second elongate structure arranged parallel to each other and defining a space therebetween. The integrated circuit device also includes conductive structures distributed in the space between the first and second elongate structures. At least a first one of the conductive structures is placed closer to the first elongate structure than to the second elongate structure. At least a second one of the conductive structures is placed closer to the second elongate structure than to the first elongate structure.

摘要翻译： 一种集成电路装置，包括彼此平行布置并且在它们之间限定空间的第一细长结构和第二细长结构。 集成电路装置还包括分布在第一和第二细长结构之间的空间中的导电结构。 导电结构中的至少第一个被放置成比第二细长结构更靠近第一细长结构。 导电结构中的至少第二个被放置成比第一细长结构更靠近第二细长结构。

公开(公告)号：US07816219B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US11850076

申请日：2007-09-05

申请人： Xiangdong Chen ,  Sunfei Fang ,  Zhijiong Luo ,  Haining Yang ,  Huilong Zhu

发明人： Xiangdong Chen ,  Sunfei Fang ,  Zhijiong Luo ,  Haining Yang ,  Huilong Zhu

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

摘要： A semiconductor structure and method for forming the same. First, a semiconductor structure is provided, including (a) a semiconductor layer including (i) a channel region and (ii) first and second source/drain (S/D) extension regions, and (iii) first and second S/D regions, (b) a gate dielectric region in direction physical contact with the channel region via a first interfacing surface that defines a reference direction essentially perpendicular to the first interfacing surface, and (c) a gate region in direct physical contact with the gate dielectric region, wherein the gate dielectric region is sandwiched between and electrically insulates the gate region and the channel region. Then, (i) a first shallow contact region is formed in direct physical contact with the first S/D extension region, and (ii) a first deep contact region is formed in direct physical contact with the first S/D region and the first shallow contact region.

摘要翻译： 一种半导体结构及其形成方法。 首先，提供半导体结构，其包括（a）包括（i）沟道区和（ii）第一和第二源/漏（S / D）延伸区的半导体层，以及（iii）第一和第二S / D 区域，（b）通过限定基本上垂直于第一接口表面的参考方向的第一接口表面方向与沟道区域物理接触的栅极电介质区域，以及（c）与栅极电介质直接物理接触的栅极区域 区域，其中栅极电介质区域夹在栅极区域和沟道区域之间并使电绝缘。 然后，（i）第一浅接触区域形成为与第一S / D延伸区域直接物理接触，并且（ii）第一深接触区域形成为与第一S / D区域和第一浅/ 浅接触区域。

公开(公告)号：US07790540B2

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：US11467186

申请日：2006-08-25

申请人： Haining Yang ,  Wai-Kin Li

发明人： Haining Yang ,  Wai-Kin Li

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L29/7843

摘要： A low k stress liner, which replaces conventional stress liners in CMOS devices, is provided. In one embodiment, a compressive, low k stress liner is provided which can improve the hole mobility in pFET devices. UV exposure of this compressive, low k material results in changing the polarity of the low k stress liner from compressive to tensile. The use of such a tensile, low k stress liner improves electron mobility in nFET devices.

摘要翻译： 提供了一种代替CMOS器件中常规应力衬垫的低k应力衬垫。 在一个实施例中，提供压缩的低k应力衬垫，其可以改善pFET器件中的空穴迁移率。 这种压缩低k材料的紫外线暴露导致低k应力衬垫的极性从压缩变为拉伸。 使用这种拉伸的低k应力衬垫提高nFET器件中的电子迁移率。

公开(公告)号：US07737014B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US10596249

申请日：2003-12-08

申请人： Frederick William Buehrer ,  Dureseti Chidambarrao ,  Bruce B. Doris ,  Hsiang-Jen Huang ,  Haining Yang

发明人： Frederick William Buehrer ,  Dureseti Chidambarrao ,  Bruce B. Doris ,  Hsiang-Jen Huang ,  Haining Yang

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/38

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L21/22 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843

摘要： A stressed film applied across a boundary defined by a structure or a body (e.g. substrate or layer) of semiconductor material provides a change from tensile to compressive stress in the semiconductor material proximate to the boundary and is used to modify boron diffusion rate during annealing and thus modify final boron concentrations. In the case of a field effect transistor, the gate structure may be formed with or without sidewalls to regulate the location of the boundary relative to source/drain, extension and/or halo implants. Different boron diffusion rates can be produced in the lateral and vertical directions and diffusion rates comparable to arsenic can be achieved. Reduction of junction capacitance of both nFETs and pFETs can be achieved simultaneously with the same process steps.

摘要翻译： 应用于由半导体材料的结构或主体（例如衬底或层）限定的边界处的应力膜提供了靠近边界的半导体材料中的拉应力和压缩应力的变化，并用于在退火过程中修饰硼扩散速率， 从而改变最终的硼浓度。 在场效应晶体管的情况下，栅极结构可以形成有或不具有侧壁以调节边界相对于源极/漏极，延伸和/或晕轮植入物的位置。 可以在横向和垂直方向上产生不同的硼扩散速率，并且可以实现与砷相当的扩散速率。 可以通过相同的工艺步骤同时实现nFET和pFET的结电容的减小。

公开(公告)号：US07732270B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11972964

申请日：2008-01-11

申请人： Dureseti Chidambarrao ,  Ying Li ,  Rajeev Malik ,  Shreesh Narasimha ,  Haining Yang ,  Huilong Zhu

发明人： Dureseti Chidambarrao ,  Ying Li ,  Rajeev Malik ,  Shreesh Narasimha ,  Haining Yang ,  Huilong Zhu

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/66772 ,  Y10S438/938

摘要： The present invention provides a semiconductor device having dual nitride liners, which provide an increased transverse stress state for at least one FET and methods for the manufacture of such a device. A first aspect of the invention provides a method for use in the manufacture of a semiconductor device comprising the steps of applying a first silicon nitride liner to the device and applying a second silicon nitride liner adjacent the first silicon nitride liner, wherein at least one of the first and second silicon nitride liners induces a transverse stress in a silicon channel beneath at least one of the first and second silicon nitride liner.

摘要翻译： 本发明提供一种具有双重氮化物衬垫的半导体器件，其为至少一个FET提供增加的横向应力状态以及用于制造这种器件的方法。 本发明的第一方面提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：将第一氮化硅衬垫施加到器件上并施加与第一氮化硅衬垫相邻的第二氮化硅衬垫，其中至少一个 第一和第二氮化硅衬垫在第一和第二氮化硅衬里中的至少一个之下的硅沟道中引起横向应力。

公开(公告)号：US07678658B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US12018440

申请日：2008-01-23

申请人： Haining Yang ,  Robert C. Wong

发明人： Haining Yang ,  Robert C. Wong

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/1104 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1203

摘要： A method of forming an improved static random access memory (SRAM) interconnect structure is provided. The method includes forming a sidewall spacer around a periphery of a patterned poly-silicon layer formed over a silicon layer of a semiconductor substrate; removing the patterned poly-silicon layer for exposing a portion of a cap layer; etching the exposed portion of the cap layer for revealing a portion of the silicon layer; etching the portion of the silicon layer, in which a portion of said silicon layer connects at least a portion of pull-down device of said SRAM to at least a portion of pull-up device of said SRAM; forming a gate oxide; and forming a gate conductor over the gate oxide. An interconnect structure is also provided.

摘要翻译： 提供了形成改进的静态随机存取存储器（SRAM）互连结构的方法。 该方法包括在形成在半导体衬底的硅层上的图案化多晶硅层的周围形成侧壁隔离物; 去除图案化的多晶硅层以暴露盖层的一部分; 蚀刻盖层的暴露部分以露出硅层的一部分; 蚀刻硅层的部分，其中所述硅层的一部分将所述SRAM的下拉器件的至少一部分连接到所述SRAM的上拉器件的至少一部分; 形成栅极氧化物; 以及在所述栅极氧化物上形成栅极导体。 还提供互连结构。

公开(公告)号：US07553760B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US11550966

申请日：2006-10-19

申请人： Haining Yang ,  Wai-Kin Li

发明人： Haining Yang ,  Wai-Kin Li

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L23/5329 ,  B81C1/00095 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method to form interconnect structures including nano-scale, e.g., sub-lithographic, lines and vias for future generation of semiconductor technology using self-assembly block copolymers that can be placed at a specific location using a pre-fabricated hard mask pattern is provided. The inventive method provides an interconnect structure in which the line is self-aligned to the via.

摘要翻译： 提供了一种形成互连结构的方法，包括纳米尺度，例如亚光刻，线和通孔，用于使用可以使用预制的硬掩模图案放置在特定位置的自组装嵌段共聚物的半导体技术的未来生成 。 本发明的方法提供了一种互连结构，其中线路与通孔自对准。

公开(公告)号：US07550351B2

公开(公告)日：2009-06-23

申请号：US11538850

申请日：2006-10-05

申请人： Haining Yang ,  Xiangdong Chen

发明人： Haining Yang ,  Xiangdong Chen

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092

摘要： The invention is directed to an improved transistor that reduces dopant cross-diffusion and improves chip density. A first embodiment of the invention comprises gate electrode material partially removed at a junction of a first gate electrode region comprised of gate material doped with first ions for a first device and second gate electrode region comprised of gate material doped with second ions for a second device. The respectively doped regions are connected by a silicide layer near the top surface of the gate conductors.

摘要翻译： 本发明涉及减少掺杂剂交叉扩散并改善芯片密度的改进的晶体管。 本发明的第一实施例包括在由掺杂有用于第一器件的第一离子的栅极材料构成的第一栅极电极区域和由掺杂有第二离子的栅极材料构成的第二栅极电极区域的第一栅极电极区域处部分去除的栅电极材料，用于第二器件 。 分别掺杂的区域通过靠近栅极导体的顶表面的硅化物层连接。