公开(公告)号：US20110233616A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US12671890

申请日：2008-06-20

申请人： Sung-Youl Choi ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Jae-Yeob Shim ,  Hyun-Tak Kim

发明人： Sung-Youl Choi ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Jae-Yeob Shim ,  Hyun-Tak Kim

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L49/003

摘要： Provided are a germanium (Ge) based metal-insulator transition (MIT) thin film which is formed of a Ge single-element material instead of a compound material of two or more elements and by which material growth may be easily performed and a problem of a second phase characteristic in accordance with a structural defect and an included impurity may be solved, an MIT device including the MIT thin film, and a method of fabricating the MIT device. The MIT device includes a substrate; a germanium (Ge) based MIT thin film which is formed of a Ge single-element material on the substrate and in which a discontinuous MIT occurs at a predetermined transition voltage; and at least two thin film electrodes contacting the Ge based MIT thin film, wherein the discontinuous MIT occurs in the Ge based MIT thin film due to a voltage or a current which is applied through the thin film electrodes.

摘要翻译： 提供了由Ge单元素材料代替两种或更多种元素的复合材料形成的锗（Ge）基金属 - 绝缘体转变（MIT）薄膜，并且可容易地进行材料生长的问题 可以解决根据结构缺陷和所包括的杂质的第二相特性，包括MIT薄膜的MIT装置和制造MIT装置的方法。 MIT装置包括基板; 在基板上由Ge单元素材料形成的锗（Ge）基MIT薄膜，其中以预定的转变电压发生不连续的MIT; 以及与Ge基MIT薄膜接触的至少两个薄膜电极，其中由于通过薄膜电极施加的电压或电流，在Ge基MIT薄膜中发生不连续的MIT。

公开(公告)号：US07929308B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12535969

申请日：2009-08-05

申请人： Sang Kuk Choi ,  Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Bong Jun Kim

发明人： Sang Kuk Choi ,  Hyun Tak Kim ,  Byung Gyu Chae ,  Bong Jun Kim

IPC分类号： H05K7/20 ,  H01L21/335

CPC分类号： H05K1/0201 ,  H01L2224/48091 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10053 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10522 ,  H01L2924/00014

摘要： A power device package controls heat generation of a power device using a semi-permanent metal-insulator transition (MIT) device instead of a fuse, and emits heat generated by the power device through a small-sized heat sink provided only in one region on the power device, thereby ensuring excellent dissipation of heat. Therefore, the power device package can be usefully applied to any electric/electronic circuit that uses a power device.

摘要翻译： 功率器件封装使用半永久性金属 - 绝缘体转换（MIT）装置代替保险丝来控制功率器件的发热，并通过仅在一个区域上提供的小型散热器发射由功率器件产生的热量 功率器件，从而确保良好的散热。 因此，功率器件封装可以有效地应用于使用功率器件的任何电/电子电路。

公开(公告)号：US20100085126A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12531058

申请日：2008-03-05

申请人： Yong-Wook Lee ,  Bong-Jun Kim ,  Hyun-Tak Kim ,  Sung-Youl Choi ,  Byung-Gyu Chae ,  Jung-Wook Lim ,  Sun-Jin Yun

发明人： Yong-Wook Lee ,  Bong-Jun Kim ,  Hyun-Tak Kim ,  Sung-Youl Choi ,  Byung-Gyu Chae ,  Jung-Wook Lim ,  Sun-Jin Yun

IPC分类号： H03B1/00

CPC分类号： H01L49/003 ,  H03B9/12

摘要： Provided are an MIT device-based oscillation circuit including a power source, an MIT device and a variable resistor, in which a generation of an oscillation and an oscillation frequency are determined according to a voltage applied from the power source and a resistance of the variable resistor, and a method of adjusting the oscillation frequency of the oscillation circuit. The MIT device includes an MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film, and generates a discontinuous MIT at an MIT generation voltage, the variable resistor is connected in series to the MIT device, and the power source applies a voltage or an electric current to the MIT device. The generation of an oscillation and an oscillation frequency are determined according to the voltage applied from the power source and the resistance of the variable resistor.

摘要翻译： 提供了一种基于MIT设备的振荡电路，其包括电源，MIT设备和可变电阻器，其中根据从电源施加的电压和变量的电阻确定振荡和振荡频率的产生 电阻器和调整振荡电路的振荡频率的方法。 MIT装置包括连接到MIT薄膜的MIT薄膜和电极薄膜，并以MIT产生电压产生不连续的MIT，可变电阻器与MIT装置串联连接，并且电源施加电压 或电流到MIT设备。 根据从电源施加的电压和可变电阻器的电阻来确定振荡和振荡频率的产生。

公开(公告)号：US20080197916A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：US11908837

申请日：2006-03-07

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Kwang-Yong Kang ,  Byung-Gyu Chae ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Sun-Jin Yun ,  Gyung-Ock Kim

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Kwang-Yong Kang ,  Byung-Gyu Chae ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Sun-Jin Yun ,  Gyung-Ock Kim

IPC分类号： H03K5/00 ,  H01L27/00

CPC分类号： H01L49/003

摘要： Provided are a low-voltage noise preventing circuit using an abrupt metal-insulator transition (MIT) device which can effectively remove a noise signal with a voltage less than a rated signal voltage. The abrupt MIT device is serially connected to the electrical and/or electronic system to be protected from the noise signal, and is subject to abrupt MIT at a predetermined voltage. Accordingly, low-voltage noise can be effectively removed.

摘要翻译： 提供一种使用突变金属 - 绝缘体转变（MIT）器件的低电压噪声防止电路，其能够以低于额定信号电压的电压有效地去除噪声信号。 突发MIT设备串联连接到电气和/或电子系统以防止噪声信号，并且以预定电压经受突然MIT。 因此，可以有效地消除低电压噪声。

公开(公告)号：US20070154814A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US10586931

申请日：2004-03-03

申请人： Dong-Hyun Ryu ,  Chul-Wan Park ,  Hyo-Jun Ahn ,  Bong-Jun Kim ,  Eun-Mi Lee ,  Ho-Suk Ryu ,  Sang-Won Lee ,  Ki-Won Kim ,  Jou-Hyeon Ahn ,  Jai-Young Lee ,  Sang-Sik Jeong ,  Byung-Su Jung ,  Duck-Jun Lee ,  Young-Jin Choi ,  Jin-Kyu Kim

发明人： Dong-Hyun Ryu ,  Chul-Wan Park ,  Hyo-Jun Ahn ,  Bong-Jun Kim ,  Eun-Mi Lee ,  Ho-Suk Ryu ,  Sang-Won Lee ,  Ki-Won Kim ,  Jou-Hyeon Ahn ,  Jai-Young Lee ,  Sang-Sik Jeong ,  Byung-Su Jung ,  Duck-Jun Lee ,  Young-Jin Choi ,  Jin-Kyu Kim

IPC分类号： H01M6/18

CPC分类号： H01M10/399

摘要： The present invention relates to a sodium-sulfur battery consisted of solid sodium for the negative electrode (comprising carbon, sodium metal oxide and the like comprising sodium compound, sodium ion); solid sulfur for the positive electrode (comprising sulfur, sulfur compound such as iron sulfide, nickel sulfide); and liquid electrolyte which sodium salt and organic solvent such as grymids or carbonates are soaked in cell guard, thereby improving a drawback of prior art for conventional battery.

摘要翻译： 本发明涉及由用于负极的固体钠（包括碳，钠金属氧化物等包含钠化合物，钠离子）组成的钠硫电池; 固体硫为正极（含硫，硫化合物如硫化铁，硫化镍）; 以及钠盐和诸如格里木或碳酸盐的有机溶剂浸泡在电池保护层中的液体电解质，从而改善了传统电池的现有技术的缺点。

公开(公告)号：US08890574B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US12919195

申请日：2009-02-23

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Bong-Jun Kim ,  Sun-Jin Yun ,  Dae-Yong Kim

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Bong-Jun Kim ,  Sun-Jin Yun ,  Dae-Yong Kim

IPC分类号： H03K19/20 ,  H01L49/00 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L27/067 ,  H01L49/003

摘要： Provided are a MIT device self-heating preventive-circuit that can solve a self-heating problem of a MIT device and a method of manufacturing a MIT device self-heating preventive-circuit integrated device. The MIT device self-heating preventive-circuit includes a MIT device that generates an abrupt MIT at a temperature equal to or greater than a critical temperature and is connected to a current driving device to control the flow of current in the current driving device, a transistor that is connected to the MIT device to control the self-heating of the MIT device after generating the MIT in the MIT device, and a resistor connected to the MIT device and the transistor.

摘要翻译： 提供了能够解决MIT装置的自发热问题的MIT装置自发热防止电路以及制造MIT装置自发热防止电路集成装置的方法。 MIT装置自发热防止电路包括MIT装置，其在等于或大于临界温度的温度下产生突然的MIT，并连接到电流驱动装置以控制当前驱动装置中的电流流动， 晶体管，其连接到MIT装置，以在MIT装置中产生MIT之后控制MIT装置的自发热，以及连接到MIT装置和晶体管的电阻器。

公开(公告)号：US08502478B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13089244

申请日：2011-04-18

申请人： Hyun Tak Kim ,  Bong Jun Kim

发明人： Hyun Tak Kim ,  Bong Jun Kim

IPC分类号： H05B37/02 ,  H01L21/8222 ,  H01L35/00

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0248 ,  H01L49/003 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/145 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a variable field effect transistor (FET) designed to suppress a reduction of current between a source and a drain due to heat while decreasing a temperature of the FET, and an electrical and electronic apparatus including the variable gate FET. The variable gate FET includes a FET and a gate control device that is attached to a surface or a heat-generating portion of the FET and is connected to a gate terminal of the FET so as to vary a voltage of the gate terminal. A channel current between the source and drain is controlled by the gate control device that varies the voltage of the gate terminal when the temperature of the FET increases above a predetermined temperature.

公开(公告)号：US08330135B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12671890

申请日：2008-06-20

申请人： Sung-Youl Choi ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Jae-Yeob Shim ,  Hyun-Tak Kim

发明人： Sung-Youl Choi ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Jae-Yeob Shim ,  Hyun-Tak Kim

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L49/003

摘要： Provided are a germanium (Ge) based metal-insulator transition (MIT) thin film which is formed of a Ge single-element material instead of a compound material of two or more elements and by which material growth may be easily performed and a problem of a second phase characteristic in accordance with a structural defect and an included impurity may be solved, an MIT device including the MIT thin film, and a method of fabricating the MIT device. The MIT device includes a substrate; a germanium (Ge) based MIT thin film which is formed of a Ge single-element material on the substrate and in which a discontinuous MIT occurs at a predetermined transition voltage; and at least two thin film electrodes contacting the Ge based MIT thin film, wherein the discontinuous MIT occurs in the Ge based MIT thin film due to a voltage or a current which is applied through the thin film electrodes.

摘要翻译： 提供了由Ge单元素材料代替两种或更多种元素的复合材料形成的锗（Ge）基金属 - 绝缘体转变（MIT）薄膜，并且可容易地进行材料生长的问题 可以解决根据结构缺陷和所包括的杂质的第二相特性，包括MIT薄膜的MIT装置和制造MIT装置的方法。 MIT装置包括基板; 在基板上由Ge单元素材料形成的锗（Ge）基MIT薄膜，其中以预定的转变电压发生不连续的MIT; 以及与Ge基MIT薄膜接触的至少两个薄膜电极，其中由于通过薄膜电极施加的电压或电流，在Ge基MIT薄膜中发生不连续的MIT。

公开(公告)号：US08207750B2

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：US12376668

申请日：2007-07-05

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Sun-Jin Yun ,  Sang-Kuk Choi

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Sun-Jin Yun ,  Sang-Kuk Choi

IPC分类号： G01R31/02

CPC分类号： G01R31/2641

摘要： Provided are a circuit for continuously measuring a discontinuous metal-insulator transition (MIT) of an MIT element and an MIT sensor using the circuit. The circuit comprises a to-be-measured object unit including the MIT element having a discontinuous MIT occurring at the transition voltage thereof, a power supply unit applying a predetermined pulse current or voltage signal to the to-be-measured object unit, a measurement unit measuring the discontinuous MIT of the MIT element, and a microprocessor controlling the power supply unit and the measurement unit. The discontinuous MIT measurement circuit continuously measures the discontinuous MIT of the MIT element, and thus it can be used as a sensor for sensing a variation in an external factor.

摘要翻译： 提供了一种用于连续测量使用该电路的MIT元件和MIT传感器的不连续金属 - 绝缘体转变（MIT）的电路。 该电路包括被测量对象单元，其包括具有在其转变电压下出现的不连续MIT的MIT元件，向待测量对象单元施加预定脉冲电流或电压信号的电源单元， 测量MIT元件的不连续MIT的单元，以及控制电源单元和测量单元的微处理器。 不连续的MIT测量电路连续测量MIT元件的不连续MIT，因此它可以用作感测外部因素变化的传感器。

公开(公告)号：US07989792B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12162964

申请日：2007-01-31

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Byung-Gyu Chae ,  Kwang-Yong Kang ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Sun-Jin Yun

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Byung-Gyu Chae ,  Kwang-Yong Kang ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Sun-Jin Yun

IPC分类号： H01L49/00

CPC分类号： H01L49/003

摘要： An abrupt MIT (metal-insulator transition) device with parallel MIT material layers is provided. The abrupt MIT device includes a first electrode disposed on a certain region of a substrate, a second electrode disposed so as to be spaced a predetermined distance apart from the first electrode, and at least one MIT material layer electrically connecting the first electrode with the second electrode and having a width that allows the entire region of the MIT material layer to be transformed into a metal layer due to an MIT. Due to this configuration, deterioration of the MIT material layer, which is typically caused by current flowing through the MIT material layer, is less likely to occur.

摘要翻译： 提供了具有平行MIT材料层的突发MIT（金属 - 绝缘体转变）器件。 突变MIT装置包括设置在基板的某个区域上的第一电极，设置成与第一电极隔开预定距离的第二电极，以及至少一个MIT材料层，电连接第一电极与第二电极 电极，并且具有允许MIT材料层的整个区域由于MIT而转变成金属层的宽度。 由于这种构造，通常由流过MIT材料层的电流引起的MIT材料层的劣化不太可能发生。