公开(公告)号：US08031022B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12531058

申请日：2008-03-05

申请人： Yong-Wook Lee ,  Bong-Jun Kim ,  Hyun-Tak Kim ,  Sung-Youl Choi ,  Byung-Gyu Chae ,  Jung-Wook Lim ,  Sun-Jin Yun

发明人： Yong-Wook Lee ,  Bong-Jun Kim ,  Hyun-Tak Kim ,  Sung-Youl Choi ,  Byung-Gyu Chae ,  Jung-Wook Lim ,  Sun-Jin Yun

IPC分类号： H03B11/00

CPC分类号： H01L49/003 ,  H03B9/12

摘要： Provided are an MIT device-based oscillation circuit including a power source, an MIT device and a variable resistor, in which a generation of an oscillation and an oscillation frequency are determined according to a voltage applied from the power source and a resistance of the variable resistor, and a method of adjusting the oscillation frequency of the oscillation circuit. The MIT device includes an MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film, and generates a discontinuous MIT at an MIT generation voltage, the variable resistor is connected in series to the MIT device, and the power source applies a voltage or an electric current to the MIT device. The generation of an oscillation and an oscillation frequency are determined according to the voltage applied from the power source and the resistance of the variable resistor.

摘要翻译： 提供了一种基于MIT设备的振荡电路，其包括电源，MIT设备和可变电阻器，其中根据从电源施加的电压和变量的电阻确定振荡和振荡频率的产生 电阻器和调整振荡电路的振荡频率的方法。 MIT装置包括连接到MIT薄膜的MIT薄膜和电极薄膜，并以MIT产生电压产生不连续的MIT，可变电阻器与MIT装置串联连接，并且电源施加电压 或电流到MIT设备。 根据从电源施加的电压和可变电阻器的电阻来确定振荡和振荡频率的产生。

公开(公告)号：US20110018607A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12742430

申请日：2008-11-11

申请人： Hyun Tak Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Bong-Jun Kim ,  Sun-jin Yun

发明人： Hyun Tak Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Bong-Jun Kim ,  Sun-jin Yun

IPC分类号： H03K17/60

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/62 ,  H01L2924/0002 ,  H02H3/085 ,  H02H5/047 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a method and circuit for controlling heat generation of a power transistor, in which the power transistor can be protected by preventing heat generation of the power transistor by using a metal-insulator transition (MIT) device that can function as a fuse and can be semi-permanently used. The circuit for controlling heat generation of a transistor includes a metal-insulator transition (MIT) device in which abrupt MIT occurs at a predetermined critical temperature; and a power transistor connected to a driving device and controlling power-supply to the driving device, wherein the MIT device is attached to a surface or heating portion of the transistor and is connected to a base terminal or gate terminal of the transistor or a surrounding circuit from a circuit point of view, and wherein when a temperature of the transistor increases to a temperature equal to or greater than the predetermined critical temperature, the MIT device reduces or shuts off a current of the transistor so as to prevent heat generation of the transistor.

摘要翻译： 提供了一种用于控制功率晶体管的发热的方法和电路，其中功率晶体管可以通过使用能够用作保险丝的金属 - 绝缘体转变（MIT）装置来阻止功率晶体管的发热来保护，并且可以 半永久使用。 用于控制晶体管发热的电路包括金属 - 绝缘体转变（MIT）器件，其中在预定的临界温度下出现突发的MIT; 以及连接到驱动装置并控制对驱动装置的电源的功率晶体管，其中所述MIT装置附接到所述晶体管的表面或加热部分，并且连接到所述晶体管的基极或栅极端子或周围 电路，并且其中当晶体管的温度升高到等于或大于预定临界温度的温度时，MIT器件降低或切断晶体管的电流，以防止晶体管的发热 晶体管。

公开(公告)号：US20090286140A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：US11813898

申请日：2006-01-12

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Doo-Hyeb Youn ,  Byung-Gyu Chae ,  Kwang-Yong Kang ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Sun-Jin Yun ,  Jung-Wook Lim ,  Gyung-Ock Kim ,  Sung-Lyul Maeng

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Doo-Hyeb Youn ,  Byung-Gyu Chae ,  Kwang-Yong Kang ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Sun-Jin Yun ,  Jung-Wook Lim ,  Gyung-Ock Kim ,  Sung-Lyul Maeng

IPC分类号： H01M10/50

CPC分类号： H01M2/34 ,  H01M2/348 ,  H01M10/052 ,  H01M10/443 ,  H01M2200/00 ,  H01M2200/106

摘要： Provided is a lithium secondary battery including a discharge unit capable of delaying or preventing a battery explosion. The lithium secondary battery includes a discharge unit disposed parallel to a battery body. The discharge unit includes a first electrode connected to a positive electrode of the battery body, a second electrode connected to a negative electrode of the battery body, and a discharge material film, disposed between the first electrode and the second electrode, inducing a abrupt discharge above a predetermined temperature. The discharge material film, e.g., a abrupt metal-insulator transition (MIT) material film can induce a abrupt discharge, thereby preventing or delaying a battery explosion.

摘要翻译： 提供一种锂二次电池，其包括能够延迟或防止电池爆炸的放电单元。 锂二次电池包括与电池体平行设置的放电单元。 放电单元包括连接到电池体的正极的第一电极，连接到电池体的负极的第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的放电材料膜，引起突然的放电 高于预定的温度。 放电材料膜，例如突然的金属 - 绝缘体转变（MIT）材料膜可以引起突然的放电，从而防止或延迟电池爆炸。

公开(公告)号：US20090230940A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12294578

申请日：2007-03-14

申请人： JungWook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Hyun-Tak Kim ,  Yong-Wook Lee

发明人： JungWook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Hyun-Tak Kim ,  Yong-Wook Lee

IPC分类号： G05F3/02

CPC分类号： H01L27/0676 ,  H01L28/40 ,  H01L49/003

摘要： Provided is a voltage regulation system using an abrupt metal-insulator transition (MIT), which can regulate various zener voltages and can be easily manufactured. The voltage regulation system includes: an input power source: a series resistor connected in series to the input power source; and an MIT insulator connected in series to the series resistor, and undergoing an abrupt MIT such that the range of an output voltage regulated to be kept constant varies according to the resistance of the series resistor.

摘要翻译： 提供了一种使用突变金属 - 绝缘体转变（MIT）的电压调节系统，其可以调节各种齐纳电压并且可以容易地制造。 电压调节系统包括：输入电源：与输入电源串联连接的串联电阻; 以及与串联电阻器串联连接的MIT绝缘体，并且经历突发MIT，使得调节为保持恒定的输出电压的范围根据串联电阻器的电阻而变化。

公开(公告)号：US20090114896A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US11994224

申请日：2006-06-29

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Bong-Jun Kim ,  Kwang-Yong Kang ,  Sun-Jin Yun ,  Yong-Wook Lee ,  Byung-Gyu Chae

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Bong-Jun Kim ,  Kwang-Yong Kang ,  Sun-Jin Yun ,  Yong-Wook Lee ,  Byung-Gyu Chae

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L51/00 ,  H01L21/00 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L27/10 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148

摘要： Provided are a memory device that undergoes no structural phase change, maintains a uniform thin film, and can perform a high-speed switching operation, and a method of operating the same. The memory device includes a substrate, an abrupt MIT material layer, and a plurality of electrodes. The abrupt MIT material layer is disposed on the substrate and undergoes an abrupt metal-insulator transition by an energy change between electrons. The plurality of electrodes are brought into contact with the abrupt MIT material layer and are melted by heat to form a conductive path on the abrupt MIT material layer.

摘要翻译： 提供了不经历结构相变，保持均匀的薄膜并且可以执行高速切换操作的存储器件及其操作方法。 存储器件包括衬底，突变MIT材料层和多个电极。 突变的MIT材料层设置在衬底上，并经过电子之间的能量变化而突然的金属 - 绝缘体转变。 多个电极与突然的MIT材料层接触并通过热熔化以在突变的MIT材料层上形成导电路径。

公开(公告)号：US20090057820A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12162964

申请日：2007-01-31

申请人： Hyun-Tak Kim ,  Byung-Gyu Chae ,  Kwang-Yong Kang ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Sun-Jin Yun

发明人： Hyun-Tak Kim ,  Byung-Gyu Chae ,  Kwang-Yong Kang ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Sun-Jin Yun

IPC分类号： H01L23/525

CPC分类号： H01L49/003

摘要： An abrupt MIT (metal-insulator transition) device with parallel conducting layers is provided. The abrupt MIT device includes a first electrode disposed on a certain region of a substrate, a second electrode disposed so as to be spaced a predetermined distance apart from the first electrode, and at least one conducting layer electrically connecting the first electrode with the second electrode and having a width that allows the entire region of the conducting layer to be transformed into a metal layer due to an MIT. Due to this configuration, deterioration of the conducting layer, which is typically caused by current flowing through the conducting layer, is less likely to occur.

摘要翻译： 提供了具有平行导电层的突发MIT（金属 - 绝缘体转变）器件。 突变MIT装置包括设置在基板的特定区域上的第一电极，设置成与第一电极隔开预定距离的第二电极，以及将第一电极与第二电极电连接的至少一个导电层 并且具有允许导电层的整个区域由于MIT而转变成金属层的宽度。 由于这种构造，通常由电流流过导电层引起的导电层的劣化不太可能发生。

公开(公告)号：US07489492B2

公开(公告)日：2009-02-10

申请号：US12021764

申请日：2008-01-29

申请人： Hyun Tak Kim ,  Kwang Yong Kang ,  Bong Jun Kim ,  Yong Wook Lee ,  Sun Jin Yun ,  Byung Gyu Chae ,  Gyung Ock Kim

发明人： Hyun Tak Kim ,  Kwang Yong Kang ,  Bong Jun Kim ,  Yong Wook Lee ,  Sun Jin Yun ,  Byung Gyu Chae ,  Gyung Ock Kim

IPC分类号： H02H3/22 ,  H02H9/04

CPC分类号： H01L49/003

摘要： Provided are an abrupt metal-insulator transition (MIT) device for bypassing super-high voltage noise to protect an electric and/or electronic system, such as, a high-voltage switch, from a super-high voltage, a high-voltage noise removing circuit for bypassing the super-high voltage noise using the abrupt MIT device, and an electric and/or electronic system including the high-voltage noise removing circuit. The abrupt MIT device includes a substrate, a first abrupt MIT structure, and a second abrupt MIT structure. The first and second abrupt MIT structures are formed on an upper surface and a lower surface, respectively, of the substrate. The high-voltage noise removing circuit includes an abrupt MIT device chain connected in parallel to the electric and/or electronic system to be protected. The abrupt MIT device chain includes at least two abrupt MIT devices serially connected to each other.

摘要翻译： 提供了用于绕过超高压噪声以保护诸如高压开关的电和/或电子系统的突发金属 - 绝缘体转变（MIT）装置，从超高电压，高压噪声 使用突发MIT装置绕过超高压噪声的除电路，以及包括高压噪声去除电路的电气和/或电子系统。 突变MIT装置包括基板，第一突发MIT结构和第二突发MIT结构。 第一和第二突变MIT结构分别形成在基板的上表面和下表面上。 高电压噪声去除电路包括与要保护的电和/或电子系统并联连接的突变MIT装置链。 突发MIT设备链包括彼此串行连接的至少两个突发MIT设备。

公开(公告)号：US20110304403A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US13137267

申请日：2011-08-02

申请人： Yong-wook Lee ,  Bongjun Kim ,  Sungyoul Choi ,  Jungwook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Byung-Gyu Chae ,  Hyun-Tak Kim ,  Gyungock Kim

发明人： Yong-wook Lee ,  Bongjun Kim ,  Sungyoul Choi ,  Jungwook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Byung-Gyu Chae ,  Hyun-Tak Kim ,  Gyungock Kim

IPC分类号： H03B7/14

CPC分类号： H01L49/003 ,  H01L29/94 ,  H03B17/00

摘要： Provided are an oscillatory circuit based on a metal-insulator transition (MIT) device that can generate a simple and very high oscillating frequency using the MIT device, and a method of driving the oscillatory circuit. The oscillatory circuit includes the MIT device that comprises an MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film and in which an abrupt MIT is generated due to an MIT generating voltage, a resistor that is serially connected to the MIT device, an electrical power source limiting the maximum amount of an applied current and applying a direct current constant voltage to the MIT device, and a light source irradiating electromagnetic waves on the MIT device, wherein the oscillating properties are generated by irradiating the electromagnetic waves using the light source.

摘要翻译： 提供了一种基于金属 - 绝缘体转变（MIT）器件的振荡电路，其可以使用MIT器件产生简单且非常高的振荡频率，以及驱动振荡电路的方法。 振荡电路包括MIT设备，其包括MIT薄膜和连接到MIT薄膜的电极薄膜，并且其中由于MIT产生电压而产生突然MIT;串联连接到MIT设备的电阻器， 限制施加电流的最大量并向MIT装置施加直流恒定电压的电源，以及在MIT装置上照射电磁波的光源，其中通过使用光照射电磁波来产生振荡特性 资源。

公开(公告)号：US08031021B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12516105

申请日：2007-10-31

申请人： Yong-Wook Lee ,  Bongjun Kim ,  Sungyoul Choi ,  Jungwook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Byung-Gyu Chae ,  Hyun-Tak Kim ,  Gyungock Kim

发明人： Yong-Wook Lee ,  Bongjun Kim ,  Sungyoul Choi ,  Jungwook Lim ,  Sun-Jin Yun ,  Byung-Gyu Chae ,  Hyun-Tak Kim ,  Gyungock Kim

IPC分类号： H03B11/00

CPC分类号： H01L49/003 ,  H01L29/94 ,  H03B17/00

摘要： Provided are an oscillatory circuit based on a metal-insulator transition (MIT) device that can generate a simple and very high oscillating frequency using the MIT device, and a method of driving the oscillatory circuit. The oscillatory circuit includes the MIT device that comprises an MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film and in which an abrupt MIT is generated due to an MIT generating voltage, a resistor that is serially connected to the MIT device, an electric al power source limiting the maximum amount of an applied current and applying a direct current constant voltage to the MIT device, and a light source irradiating electromagnetic waves on the MIT device, wherein the oscillating properties are generated by irradiating the electromagnetic waves using the light source.

摘要翻译： 提供了一种基于金属 - 绝缘体转变（MIT）器件的振荡电路，其可以使用MIT器件产生简单且非常高的振荡频率，以及驱动振荡电路的方法。 振荡电路包括MIT设备，其包括MIT薄膜和连接到MIT薄膜的电极薄膜，并且其中由于MIT产生电压而产生突然MIT;串联连接到MIT设备的电阻器， 限制施加电流的最大量并向MIT装置施加直流恒定电压的电动电源以及在MIT装置上照射电磁波的光源，其中振荡特性是通过使用 光源。

公开(公告)号：US20110233616A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US12671890

申请日：2008-06-20

申请人： Sung-Youl Choi ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Jae-Yeob Shim ,  Hyun-Tak Kim

发明人： Sung-Youl Choi ,  Bong-Jun Kim ,  Yong-Wook Lee ,  Jae-Yeob Shim ,  Hyun-Tak Kim

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L49/003

摘要： Provided are a germanium (Ge) based metal-insulator transition (MIT) thin film which is formed of a Ge single-element material instead of a compound material of two or more elements and by which material growth may be easily performed and a problem of a second phase characteristic in accordance with a structural defect and an included impurity may be solved, an MIT device including the MIT thin film, and a method of fabricating the MIT device. The MIT device includes a substrate; a germanium (Ge) based MIT thin film which is formed of a Ge single-element material on the substrate and in which a discontinuous MIT occurs at a predetermined transition voltage; and at least two thin film electrodes contacting the Ge based MIT thin film, wherein the discontinuous MIT occurs in the Ge based MIT thin film due to a voltage or a current which is applied through the thin film electrodes.

摘要翻译： 提供了由Ge单元素材料代替两种或更多种元素的复合材料形成的锗（Ge）基金属 - 绝缘体转变（MIT）薄膜，并且可容易地进行材料生长的问题 可以解决根据结构缺陷和所包括的杂质的第二相特性，包括MIT薄膜的MIT装置和制造MIT装置的方法。 MIT装置包括基板; 在基板上由Ge单元素材料形成的锗（Ge）基MIT薄膜，其中以预定的转变电压发生不连续的MIT; 以及与Ge基MIT薄膜接触的至少两个薄膜电极，其中由于通过薄膜电极施加的电压或电流，在Ge基MIT薄膜中发生不连续的MIT。