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    MEMORY CELL
    1.
    发明申请
    MEMORY CELL 审中-公开
    记忆体

    公开(公告)号：US20100090212A1

    公开(公告)日：2010-04-15

    申请号：US12641326

    申请日：2009-12-18

    申请人： Chia-Chieh Chang

    发明人： Chia-Chieh Chang

    IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/94 ,  H01L27/283 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541

    摘要： A memory cell comprising a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure is disclosed using a homogeneous carrier trapping layer interposed between a semiconductor layer and the gate electrode of a transistor structure so that the operation voltage is reduced and the manufacturing is simplified with lowered cost. The MIS structure comprises: a gate electrode; a semiconductor layer; and a homogeneous carrier trapping layer interposed between the gate electrode and the semiconductor layer; wherein the homogeneous carrier trapping layer comprises novolac.

    摘要翻译： 公开了一种包含金属 - 绝缘体半导体（MIS）结构的存储单元，其使用插入在半导体层和晶体管结构的栅电极之间的均匀载流子俘获层，从而降低了操作电压并且降低了制造成本 。 MIS结构包括：栅电极; 半导体层; 以及插入在所述栅电极和所述半导体层之间的均匀载流子俘获层; 其中所述均相载体捕获层包含酚醛清漆。

    METHOD OF FABRICATING ORGANIC MEMORY DEVICE
    3.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING ORGANIC MEMORY DEVICE 有权
    制造有机存储器件的方法

    公开(公告)号：US20090221113A1

    公开(公告)日：2009-09-03

    申请号：US12465664

    申请日：2009-05-14

    申请人： Chia-Chieh Chang ,  Zing-Way Pei ,  Wen-Miao Lo

    发明人： Chia-Chieh Chang ,  Zing-Way Pei ,  Wen-Miao Lo

    IPC分类号： H01L51/40

    CPC分类号： H01L51/105 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C2213/51 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0591

    摘要： A method of fabricating an organic memory device is provided. In the method, a bottom electrode is formed on a substrate. A first surface treatment is performed on the bottom electrode to form a bottom surface treatment layer on a surface thereof. A polymer thin film is formed on the bottom surface treatment layer, and a top electrode is formed on the polymer thin film.

    摘要翻译： 提供一种制造有机存储器件的方法。 在该方法中，在基板上形成底部电极。 在底部电极上进行第一表面处理，以在其表面上形成底面处理层。 在底面处理层上形成聚合物薄膜，在聚合物薄膜上形成顶部电极。

    Method for microdrop vitrification of cells
    4.
    发明申请
    Method for microdrop vitrification of cells 审中-公开
    细胞微滴玻璃化的方法

    公开(公告)号：US20060246414A1

    公开(公告)日：2006-11-02

    申请号：US11116703

    申请日：2005-04-28

    申请人： Chia-Chieh Chang ,  Jan-Chi Huang ,  Perng-Chih Shen

    发明人： Chia-Chieh Chang ,  Jan-Chi Huang ,  Perng-Chih Shen

    IPC分类号： A01N1/02

    CPC分类号： A01N1/0221 ,  A01N1/02

    摘要： The present invention relates to a method for microdrop vitrification of cells comprising providing cells, culturing the cells in a culture medium containing cryoprotectants for a short period, forming a microdrop from the culture medium containing the cells, and contacting the microdrop with liquid nitrogen to obtain a glass-like bead.

    摘要翻译： 本发明涉及细胞的微滴玻璃化方法，包括提供细胞，在含有冷冻保护剂的培养基中培养细胞短时间，从含有细胞的培养基形成微滴，并使微滴与液氮接触，得到 一个玻璃状的珠子。

    MEMORY CELL
    6.
    发明申请
    MEMORY CELL 审中-公开
    记忆体

    公开(公告)号：US20090267056A1

    公开(公告)日：2009-10-29

    申请号：US12126046

    申请日：2008-05-23

    申请人： CHIA-CHIEH CHANG

    发明人： CHIA-CHIEH CHANG

    IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L29/792

    CPC分类号： H01L27/283 ,  H01L29/94 ,  H01L51/0541

    摘要： A memory cell comprising a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure is disclosed using a homogeneous carrier trapping layer interposed between a semiconductor layer and the gate electrode of a transistor structure so that the operation voltage is reduced and the manufacturing is simplified with lowered cost. The MIS structure comprises: a gate electrode; a semiconductor layer; and a homogeneous carrier trapping layer interposed between the gate electrode and the semiconductor layer; wherein the homogeneous carrier trapping layer comprises novolac.

    摘要翻译： 公开了一种包含金属 - 绝缘体半导体（MIS）结构的存储单元，其使用插入在半导体层和晶体管结构的栅电极之间的均匀载流子俘获层，从而降低了操作电压并且降低了制造成本 。 MIS结构包括：栅电极; 半导体层; 以及插入在所述栅电极和所述半导体层之间的均匀载流子俘获层; 其中所述均相载体捕获层包含酚醛清漆。

    Pre-recorded compact disc and copy-limit method thereof
    7.
    发明授权
    Pre-recorded compact disc and copy-limit method thereof 失效
    预先录制的光盘及其复制限制方法

    公开(公告)号：US06785218B2

    公开(公告)日：2004-08-31

    申请号：US09996928

    申请日：2001-11-30

    申请人： Chia-Chieh Chang ,  Hsien-Hsiang Teng ,  Pai-Lu Wang ,  Don-Yau Chiang ,  Huang-Sheng Liu

    发明人： Chia-Chieh Chang ,  Hsien-Hsiang Teng ,  Pai-Lu Wang ,  Don-Yau Chiang ,  Huang-Sheng Liu

    IPC分类号： G11B700

    CPC分类号： G11B20/00086 ,  G11B19/122 ,  G11B2020/10833

    摘要： A copy-limit pre-recorded CD (Compact Disc) and a copy-limit method protect the data recorded on the pre-recorded CD from copied onto a recordable CD. The pre-recorded CD (Compact Disc) includes a data area of the pre-recorded CD and an indivisible file. The storage capacity of a data area of the recordable CD is Z. The indivisible file is stored in the data area of the pre-recorded CD and has a file size Y which approximately ranges between Z+10 MB and Z+100 MB. The copying action is prohibited to proceed when the indivisible file with a size is larger than the storage capacity of the data area of a recordable CD is determined.

    摘要翻译： 复制限制预先录制的CD（光盘）和复制限制方法保护记录在预先记录的CD上的数据不被复制到可刻录的CD上。 预先记录的CD（光盘）包括预先记录的CD的数据区和不可分割的文件。 可记录CD的数据区域的存储容量为Z.不可分割的文件存储在预先记录的CD的数据区域中，文件大小Y大约在Z + 10 MB到Z + 100 MB之间。 当确定尺寸大于可记录CD的数据区的存储容量的不可分割文件时，禁止复制操作。

    ORGANIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
    9.
    发明申请
    ORGANIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
    有机存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20070170420A1

    公开(公告)日：2007-07-26

    申请号：US11309357

    申请日：2006-07-31

    申请人： Chia-Chieh Chang ,  Zing-Way Pei ,  Wen-Miao Lo

    发明人： Chia-Chieh Chang ,  Zing-Way Pei ,  Wen-Miao Lo

    IPC分类号： H01L29/08

    CPC分类号： H01L51/105 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C2213/51 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0591

    摘要： An organic memory device includes a top electrode, a bottom electrode, and a bistable organic polymer layer between the top and bottom electrodes. Moreover, the organic memory device further includes a surface treatment layer between the organic polymer layer and the bottom electrode. Because the surface treatment layer can stabilize the interface between the organic polymer layer and the bottom electrode, the reliability of the device may be promoted.

    摘要翻译： 有机存储装置包括顶电极，底电极和位于顶电极和底电极之间的双稳态有机聚合物层。 此外，有机存储装置还包括在有机聚合物层和底部电极之间的表面处理层。 因为表面处理层可以稳定有机聚合物层和底部电极之间的界面，所以可以提高装置的可靠性。