公开(公告)号：US07820506B2

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：US12251733

申请日：2008-10-15

申请人： Noel Rocklein ,  Chris M. Carlson ,  Dave Peterson ,  Cunyu Yang ,  Praveen Vaidyanathan ,  Vishwanath Bhat

发明人： Noel Rocklein ,  Chris M. Carlson ,  Dave Peterson ,  Cunyu Yang ,  Praveen Vaidyanathan ,  Vishwanath Bhat

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3142 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/91 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78

摘要： Some embodiments include dielectric structures. The structures include first and second portions that are directly against one another. The first portion may contain a homogeneous mixture of a first phase and a second phase. The first phase may have a dielectric constant of greater than or equal to 25, and the second phase may have a dielectric constant of less than or equal to 20. The second portion may be entirely a single composition having a dielectric constant of greater than or equal to 25. Some embodiments include electrical components, such as capacitors and transistors, containing dielectric structures of the type described above. Some embodiments include methods of forming dielectric structures, and some embodiments include methods of forming electrical components.

摘要翻译： 一些实施例包括电介质结构。 这些结构包括彼此直接相对的第一和第二部分。 第一部分可以包含第一相和第二相的均匀混合物。 第一相可以具有大于或等于25的介电常数，并且第二相可以具有小于或等于20的介电常数。第二部分可以是完全是具有大于或等于20的介电常数的单一组成， 等于25.一些实施例包括包含上述类型的电介质结构的电气部件，例如电容器和晶体管。 一些实施方案包括形成电介质结构的方法，并且一些实施方案包括形成电组件的方法。

公开(公告)号：US20130256509A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13431600

申请日：2012-03-27

申请人： Cunyu Yang ,  Howard E. Rhodes

发明人： Cunyu Yang ,  Howard E. Rhodes

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/357 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3745

摘要： Techniques for providing a pixel cell which includes two source follower transistors. In an embodiment, a first source follower transistor of a pixel cell and a second source follower transistor of the pixel cell are coupled in parallel with one another, where the source follower transistors are each coupled via their respective gates to a floating diffusion node of the pixel cell. In another embodiment, the first source follower transistor and second source follower transistor each operate based on a voltage of the floating diffusion node to provide a respective component of an amplification signal, where the pixel cell outputs an analog signal based on the amplification signal.

摘要翻译： 用于提供包括两个源跟随器晶体管的像素单元的技术。 在一个实施例中，像素单元的第一源极跟随器晶体管和像素单元的第二源极跟随器晶体管彼此并联耦合，其中源极跟随器晶体管各自经由其相应的栅极耦合到浮动扩散节点 像素单元格。 在另一个实施例中，第一源极跟随器晶体管和第二源极跟随器晶体管各自基于浮动扩散节点的电压来工作，以提供放大信号的相应分量，其中像素单元基于放大信号输出模拟信号。

公开(公告)号：US20120220098A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13461067

申请日：2012-05-01

申请人： Noel Rocklein ,  Chris M. Carlson ,  Dave Peterson ,  Cunyu Yang ,  Praveen Vaidyanathan ,  Vishwanath Bhat

发明人： Noel Rocklein ,  Chris M. Carlson ,  Dave Peterson ,  Cunyu Yang ,  Praveen Vaidyanathan ,  Vishwanath Bhat

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3142 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/91 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78

摘要： Some embodiments include dielectric structures. The structures include first and second portions that are directly against one another. The first portion may contain a homogeneous mixture of a first phase and a second phase. The first phase may have a dielectric constant of greater than or equal to 25, and the second phase may have a dielectric constant of less than or equal to 20. The second portion may be entirely a single composition having a dielectric constant of greater than or equal to 25. Some embodiments include electrical components, such as capacitors and transistors, containing dielectric structures of the type described above. Some embodiments include methods of forming dielectric structures, and some embodiments include methods of forming electrical components.

摘要翻译： 一些实施例包括电介质结构。 这些结构包括彼此直接相对的第一和第二部分。 第一部分可以包含第一相和第二相的均匀混合物。 第一相可以具有大于或等于25的介电常数，并且第二相可以具有小于或等于20的介电常数。第二部分可以是完全是具有大于或等于20的介电常数的单一组成， 等于25.一些实施例包括包含上述类型的电介质结构的电气部件，例如电容器和晶体管。 一些实施方案包括形成电介质结构的方法，并且一些实施方案包括形成电组件的方法。

公开(公告)号：US20100090309A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12251733

申请日：2008-10-15

申请人： Noel Rocklein ,  Chris M. Carlson ,  Dave Peterson ,  Cunyu Yang ,  Praveen Vaidyanathan ,  Vishwanath Bhat

发明人： Noel Rocklein ,  Chris M. Carlson ,  Dave Peterson ,  Cunyu Yang ,  Praveen Vaidyanathan ,  Vishwanath Bhat

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/31 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3142 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/91 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78

摘要： Some embodiments include dielectric structures. The structures include first and second portions that are directly against one another. The first portion may contain a homogeneous mixture of a first phase and a second phase. The first phase may have a dielectric constant of greater than or equal to 25, and the second phase may have a dielectric constant of less than or equal to 20. The second portion may be entirely a single composition having a dielectric constant of greater than or equal to 25. Some embodiments include electrical components, such as capacitors and transistors, containing dielectric structures of the type described above. Some embodiments include methods of forming dielectric structures, and some embodiments include methods of forming electrical components.

摘要翻译： 一些实施例包括电介质结构。 这些结构包括彼此直接相对的第一和第二部分。 第一部分可以包含第一相和第二相的均匀混合物。 第一相可以具有大于或等于25的介电常数，并且第二相可以具有小于或等于20的介电常数。第二部分可以是完全是具有大于或等于20的介电常数的单一组成， 等于25.一些实施例包括包含上述类型的电介质结构的电气部件，例如电容器和晶体管。 一些实施方案包括形成电介质结构的方法，并且一些实施方案包括形成电组件的方法。

公开(公告)号：US20110020999A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12895535

申请日：2010-09-30

申请人： Noel Rocklein ,  Chris M. Carlson ,  Dave Peterson ,  Cunyu Yang ,  Praveen Vaidyanathan ,  Vishwanath Bhat

发明人： Noel Rocklein ,  Chris M. Carlson ,  Dave Peterson ,  Cunyu Yang ,  Praveen Vaidyanathan ,  Vishwanath Bhat

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3142 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/91 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78

摘要： Some embodiments include dielectric structures. The structures include first and second portions that are directly against one another. The first portion may contain a homogeneous mixture of a first phase and a second phase. The first phase may have a dielectric constant of greater than or equal to 25, and the second phase may have a dielectric constant of less than or equal to 20. The second portion may be entirely a single composition having a dielectric constant of greater than or equal to 25. Some embodiments include electrical components, such as capacitors and transistors, containing dielectric structures of the type described above. Some embodiments include methods of forming dielectric structures, and some embodiments include methods of forming electrical components.

摘要翻译： 一些实施例包括电介质结构。 这些结构包括彼此直接相对的第一和第二部分。 第一部分可以包含第一相和第二相的均匀混合物。 第一相可以具有大于或等于25的介电常数，并且第二相可以具有小于或等于20的介电常数。第二部分可以是完全是具有大于或等于20的介电常数的单一组成， 等于25.一些实施例包括包含上述类型的电介质结构的电气部件，例如电容器和晶体管。 一些实施方案包括形成电介质结构的方法，并且一些实施方案包括形成电组件的方法。

公开(公告)号：US08603877B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US13461067

申请日：2012-05-01

申请人： Noel Rocklein ,  Chris Carlson ,  Dave Peterson ,  Cunyu Yang ,  Praveen Vaidyanathan ,  Vishwanath Bhat

发明人： Noel Rocklein ,  Chris Carlson ,  Dave Peterson ,  Cunyu Yang ,  Praveen Vaidyanathan ,  Vishwanath Bhat

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3142 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/91 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78

摘要： Some embodiments include dielectric structures. The structures include first and second portions that are directly against one another. The first portion may contain a homogeneous mixture of a first phase and a second phase. The first phase may have a dielectric constant of greater than or equal to 25, and the second phase may have a dielectric constant of less than or equal to 20. The second portion may be entirely a single composition having a dielectric constant of greater than or equal to 25. Some embodiments include electrical components, such as capacitors and transistors, containing dielectric structures of the type described above. Some embodiments include methods of forming dielectric structures, and some embodiments include methods of forming electrical components.

摘要翻译： 一些实施例包括电介质结构。 这些结构包括彼此直接相对的第一和第二部分。 第一部分可以包含第一相和第二相的均匀混合物。 第一相可以具有大于或等于25的介电常数，并且第二相可以具有小于或等于20的介电常数。第二部分可以是完全是具有大于或等于20的介电常数的单一组成， 等于25.一些实施例包括包含上述类型的电介质结构的电气部件，例如电容器和晶体管。 一些实施方案包括形成电介质结构的方法，并且一些实施方案包括形成电组件的方法。

公开(公告)号：US08187933B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US12895535

申请日：2010-09-30

申请人： Noel Rocklein ,  Chris Carlson ,  Dave Peterson ,  Cunyu Yang ,  Praveen Vaidyanathan ,  Vishwanath Bhat

发明人： Noel Rocklein ,  Chris Carlson ,  Dave Peterson ,  Cunyu Yang ,  Praveen Vaidyanathan ,  Vishwanath Bhat

IPC分类号： H01L27/01

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3142 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/91 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78

摘要： Some embodiments include dielectric structures. The structures include first and second portions that are directly against one another. The first portion may contain a homogeneous mixture of a first phase and a second phase. The first phase may have a dielectric constant of greater than or equal to 25, and the second phase may have a dielectric constant of less than or equal to 20. The second portion may be entirely a single composition having a dielectric constant of greater than or equal to 25. Some embodiments include electrical components, such as capacitors and transistors, containing dielectric structures of the type described above. Some embodiments include methods of forming dielectric structures, and some embodiments include methods of forming electrical components.

摘要翻译： 一些实施例包括电介质结构。 这些结构包括彼此直接相对的第一和第二部分。 第一部分可以包含第一相和第二相的均匀混合物。 第一相可以具有大于或等于25的介电常数，并且第二相可以具有小于或等于20的介电常数。第二部分可以是完全是具有大于或等于20的介电常数的单一组成， 等于25.一些实施例包括包含上述类型的电介质结构的电气部件，例如电容器和晶体管。 一些实施方案包括形成电介质结构的方法，并且一些实施方案包括形成电组件的方法。