公开(公告)号：US08587007B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US13172277

申请日：2011-06-29

申请人： Hosang Yoon ,  Daesung Kang ,  Jinsoo Park

发明人： Hosang Yoon ,  Daesung Kang ,  Jinsoo Park

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： The embodiment relates to a light emitting device and a method for manufacturing the same. The light emitting device includes a substrate, a plurality of convex portions protruding from a flat top surface of the substrate, a first semiconductor layer on the substrate, an active layer on the first semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer on the active layer. A circumferential surface of each convex portion includes a continuous spherical surface, and a height of the convex portion is about 1.5 μm or less.

摘要翻译： 该实施例涉及发光器件及其制造方法。 发光装置包括基板，从基板的平坦顶面突出的多个凸部，基板上的第一半导体层，第一半导体层上的有源层和有源层上的第二导电半导体层 。 每个凸部的圆周表面包括连续的球形表面，并且凸部的高度为约1.5μm或更小。

公开(公告)号：US20110316004A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13172277

申请日：2011-06-29

申请人： Hosang YOON ,  Daesung KANG ,  Jinsoo PARK

发明人： Hosang YOON ,  Daesung KANG ,  Jinsoo PARK

IPC分类号： H01L33/12

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： The embodiment relates to a light emitting device and a method for manufacturing the same. The light emitting device includes a substrate, a plurality of convex portions protruding from a flat top surface of the substrate, a first semiconductor layer on the substrate, an active layer on the first semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer on the active layer. A circumferential surface of each convex portion includes a continuous spherical surface, and a height of the convex portion is about 1.5 μm or less.

摘要翻译： 该实施例涉及发光器件及其制造方法。 发光装置包括基板，从基板的平坦顶面突出的多个凸部，基板上的第一半导体层，第一半导体层上的有源层和有源层上的第二导电半导体层 。 每个凸部的周面包括连续的球面，凸部的高度为1.5μm以下。