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    Storage unit configuration
    1.
    发明申请
    Storage unit configuration 审中-公开
    存储单元配置

    公开(公告)号：US20070101058A1

    公开(公告)日：2007-05-03

    申请号：US11260051

    申请日：2005-10-27

    申请人： Keith Kinnan ,  Brian Corell ,  Michael Myrah ,  William Kilcoyne ,  Eng Lim

    发明人： Keith Kinnan ,  Brian Corell ,  Michael Myrah ,  William Kilcoyne ,  Eng Lim

    IPC分类号： G06F12/16 ,  G06F9/00

    CPC分类号： G06F3/0629 ,  G06F3/0605 ,  G06F3/0689 ,  G06F11/1076

    摘要： A storage unit comprising a plurality of storage devices and a user input/output (“I/O”) device coupled to the plurality of storage devices and adapted for exclusive use with the storage unit. The I/O device is used to create a Redundant Array of Independent Disks (“RAID”) configuration. The plurality of storage devices are configured in accordance with the RAID configuration.

    摘要翻译： 一种存储单元，包括多个存储装置和耦合到所述多个存储装置并适于与所述存储单元专用的用户输入/输出（“I / O”）装置。 I / O设备用于创建独立磁盘冗余阵列（“RAID”）配置。 根据RAID配置配置多个存储装置。

    Method to pattern small features by using a re-flowable hard mask
    4.
    发明申请
    Method to pattern small features by using a re-flowable hard mask 审中-公开
    通过使用可再流动的硬掩模来绘制小特征的方法

    公开(公告)号：US20050089777A1

    公开(公告)日：2005-04-28

    申请号：US10988349

    申请日：2004-11-12

    申请人： Chew-Hoe Ang ,  Eng Lim ,  Randall Cha ,  Jia-Zhen Zheng ,  Elgin Quek ,  Mei-Sheng Zhou ,  Daniel Yen

    发明人： Chew-Hoe Ang ,  Eng Lim ,  Randall Cha ,  Jia-Zhen Zheng ,  Elgin Quek ,  Mei-Sheng Zhou ,  Daniel Yen

    IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/26 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76

    CPC分类号： H01L21/0338 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

    摘要： A method of forming small features, comprising the following steps. A substrate having a dielectric layer formed thereover is provided. A spacing layer is formed over the dielectric layer. The spacing layer has a thickness equal to the thickness of the small feature to be formed. A patterned, re-flowable masking layer is formed over the spacing layer. The masking layer having a first opening with a width “L”. The patterned, re-flowable masking layer is re-flowed to form a patterned, re-flowed masking layer having a re-flowed first opening with a lower width “l”. The re-flowed first opening lower width “l” being less than the pre-re-flowed first opening width “L”. The spacing layer is etched down to the dielectric layer using the patterned, re-flowed masking layer as a mask to form a second opening within the etched spacing layer having a width equal to the re-flowed first opening lower width “l”. Removing the patterned, re-flowed masking layer. A small feature material is then formed within the second opening and any excess small feature material above the etched spacing layer is removed. The etched spacing layer is removed to form the small feature comprised of the small feature material.

    摘要翻译： 一种形成小特征的方法，包括以下步骤。 提供其上形成有介电层的基板。 在电介质层上形成间隔层。 间隔层的厚度等于要形成的小特征的厚度。 在间隔层上形成图案化的可重新流动的掩模层。 掩模层具有宽度“L”的第一开口。 图案化的可重新流动的掩模层被再流动以形成具有较低宽度“l”的具有再流动的第一开口的图案化的再流过的掩蔽层。 再流出的第一开口下部宽度“l”小于预先流动的第一开口宽度“L”。 使用图案化的再流过的掩模层作为掩模将间隔层蚀刻到介电层上，以在蚀刻的间隔层内形成具有等于再流动的第一开口下宽度“l”的宽度的第二开口。 去除图案化的再流过的掩蔽层。 然后在第二开口内形成小的特征材料，并且去除蚀刻的间隔层上方的任何过量的小特征材料。 蚀刻的间隔层被去除以形成由小特征材料组成的小特征。

    Primitive culling apparatus and method
    5.
    再颁专利
    Primitive culling apparatus and method 失效
    原始剔除装置及方法

    公开(公告)号：USRE44958E1

    公开(公告)日：2014-06-24

    申请号：US11490505

    申请日：2006-07-20

    申请人： Stephen Moffitt ,  Eng Lim Goh

    发明人： Stephen Moffitt ,  Eng Lim Goh

    IPC分类号： G09G5/00 ,  G06T15/40 ,  G06T15/20 ,  G06T17/00 ,  G06T17/20 ,  G06T19/00

    CPC分类号： G06T15/40 ,  G06T15/20 ,  G06T17/00 ,  G06T17/20 ,  G06T19/00

    摘要： A method and apparatus for processing a primitive for potential display on a display device (having a plurality of pixels) determines if the primitive intersects at least a predetermined number of pixel fragments on the display device. The predetermined number is no less than one. The method and apparatus then cull the primitive as a function of whether the primitive intersects at least the predetermined number of pixel fragments. If it is culled, the primitive is not raster processed (i.e., not subjected to raster processing, whether or not complete).

    摘要翻译： 一种用于处理显示设备（具有多个像素）上的潜在显示的图元的方法和装置，确定该图元是否与显示设备上至少预定数量的像素片段相交。 预定数量不小于1。 该方法和装置随着基元是否与至少预定数量的像素片段相交的函数来剔除原语。 如果被剔除，则图元不被光栅处理（即不经过光栅处理，不管是否完成）。

    Double anneal with improved reliability for dual contact etch stop liner scheme
    7.
    发明申请
    Double anneal with improved reliability for dual contact etch stop liner scheme 有权
    双重退火，具有改进的双接触蚀刻停止衬垫方案的可靠性

    公开(公告)号：US20070138564A1

    公开(公告)日：2007-06-21

    申请号：US11304455

    申请日：2005-12-15

    申请人： Khee Lim ,  Victor Chan ,  Eng Lim ,  Wenhe Lin ,  Jamin Fen

    发明人： Khee Lim ,  Victor Chan ,  Eng Lim ,  Wenhe Lin ,  Jamin Fen

    IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/7843

    摘要： A method for forming a device with both PFET and NFET transistors using a PFET compressive etch stop liner and a NFET tensile etch stop liner and two anneals in a deuterium containing atmosphere. The method comprises: providing a NFET transistor in a NFET region and a PFET transistor in a PFET region. We form a NFET tensile contact etch-stop liner over the NFET region. Then we perform a first deuterium anneal. We form a PFET compressive etch stop liner over the PFET region. We form a (ILD) dielectric layer with contact openings over the substrate. We perform a second deuterium anneal. The temperature of the second deuterium anneal is less than the temperature of the first deuterium anneal.

    摘要翻译： 使用PFET压缩蚀刻停止衬垫和NFET拉伸蚀刻停止衬垫以及在含氘气氛中的两个退火来形成具有PFET和NFET晶体管的器件的方法。 该方法包括：在PFET区域中的NFET区域中提供NFET晶体管和PFET晶体管。 我们在NFET区域上形成NFET拉伸接触蚀刻停止衬垫。 然后我们进行第一次氘退火。 我们在PFET区域上形成PFET压电蚀刻停止衬垫。 我们在衬底上形成具有接触开口的（ILD）电介质层。 我们进行第二次氘退火。 第二次氘退火的温度小于第一次氘退火的温度。

    Primitive culling apparatus and method
    8.
    发明授权
    Primitive culling apparatus and method 失效
    原始剔除装置及方法

    公开(公告)号：US06900818B1

    公开(公告)日：2005-05-31

    申请号：US10716186

    申请日：2003-11-18

    申请人： Stephen Moffitt ,  Eng Lim Goh

    发明人： Stephen Moffitt ,  Eng Lim Goh

    IPC分类号： G09G5/00

    CPC分类号： G06T15/40 ,  G06T15/20 ,  G06T17/00 ,  G06T17/20 ,  G06T19/00

    摘要： A method and apparatus for processing a primitive for potential display on a display device (having a plurality of pixels) determines if the primitive intersects at least a predetermined number of pixel fragments on the display device. The predetermined number is no less than one. The method and apparatus then cull the primitive as a function of whether the primitive intersects at least the predetermined number of pixel fragments. If it is culled, the primitive is not raster processed (i.e., not subjected to raster processing, whether or not complete).

    摘要翻译： 一种用于处理显示设备（具有多个像素）上的潜在显示的图元的方法和装置，确定该图元是否与显示设备上至少预定数量的像素片段相交。 预定数量不少于一个。 该方法和装置随着基元是否与至少预定数量的像素片段相交的函数来剔除原语。 如果被剔除，则图元不被光栅处理（即不经过光栅处理，不管是否完成）。

    System and method for optimizing computational density
    9.
    发明授权
    System and method for optimizing computational density 有权
    用于优化计算密度的系统和方法

    公开(公告)号：US07603573B2

    公开(公告)日：2009-10-13

    申请号：US11585619

    申请日：2006-10-24

    申请人： Eng Lim Goh

    发明人： Eng Lim Goh

    IPC分类号： G06F1/18

    CPC分类号： G06F17/5045

    摘要： A system and method of designing a computer system having a plurality of processors. A computational density is selected for the computer system, wherein the computational density is expressed as a function of a desired computational power for a given volume. A number of processors is selected for used in the computer system and the desired computational power is allocated across the selected number of processors. One or more constraints are selected and a particular processor is designed or selected to meet the allocated processor computational power and the constraint.

    摘要翻译： 一种设计具有多个处理器的计算机系统的系统和方法。 为计算机系统选择计算密度，其中计算密度表示为给定体积的期望计算能力的函数。 选择用于计算机系统中的多个处理器，并且在选定数量的处理器上分配期望的计算能力。 选择一个或多个约束，并且设计或选择特定处理器以满足分配的处理器计算能力和约束。