公开(公告)号：US08648409B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US13238295

申请日：2011-09-21

申请人： Han-Soo Joo ,  Dong-Kee Lee ,  Sang-Hyun Oh

发明人： Han-Soo Joo ,  Dong-Kee Lee ,  Sang-Hyun Oh

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L27/1157 ,  H01L27/11582

摘要： A method for fabricating a non-volatile memory device includes forming a channel link layer and an isolation layer surrounding the channel link layer over a substrate, forming a stack structure having interlayer dielectric layers that are alternately stacked with gate electrode layers over the channel link layer and the isolation layer, and forming a pair of channels connected to the channel link layer through the stack structure, and a memory layer interposed between the channel and the stack structure.

摘要翻译： 一种用于制造非易失性存储器件的方法包括在衬底上形成沟道连接层和围绕沟道连接层的隔离层，形成具有层间电介质层的堆叠结构，所述层间电介质层与沟道链路层上的栅电极层交替堆叠 和隔离层，并且通过堆叠结构形成连接到沟道连接层的一对沟道，以及介于通道和堆叠结构之间的存储层。

公开(公告)号：US20120231593A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13112767

申请日：2011-05-20

申请人： Han-Soo JOO ,  Sang-Hyun OH ,  Yu-Jin PARK

发明人： Han-Soo JOO ,  Sang-Hyun OH ,  Yu-Jin PARK

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L27/1203

摘要： A method for fabricating a 3D-nonvolatile memory device includes forming a sub-channel over a substrate, forming a stacked layer over the substrate, the stacked layer including a plurality of interlayer dielectric layers that are alternatively stacked with conductive layers, selectively etching the stacked layer to form a first open region exposing the sub-channel, forming a main-channel conductive layer to gap-fill the first open region, selectively etching the stacked layer and the main-channel conductive layer to form a second open region defining a plurality of main channels, and forming an isolation layer to gap-fill the second open region.

摘要翻译： 一种用于制造3D非易失性存储器件的方法，包括在衬底上形成子沟道，在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括交替层叠有导电层的多个层间电介质层，选择性地蚀刻堆叠 以形成暴露子通道的第一开放区域，形成主通道导电层以间隙填充第一开放区域，选择性地蚀刻堆叠层和主沟道导电层以形成限定多个的第二开口区域 的主通道，并且形成隔离层以间隙填充第二开口区域。

公开(公告)号：US09388218B2

公开(公告)日：2016-07-12

申请号：US12838358

申请日：2010-07-16

申请人： Han-Soo Joo

发明人： Han-Soo Joo

IPC分类号： A61K39/12 ,  A61P31/12 ,  G01N33/53 ,  C07K14/005 ,  G01N33/558 ,  G01N33/569

CPC分类号： A61K39/12 ,  A61K2039/525 ,  A61K2039/552 ,  C07K14/005 ,  C12N7/00 ,  C12N2770/10022 ,  C12N2770/10034 ,  G01N33/558 ,  G01N33/56983

摘要： This invention provides kits, devices, and methods for the detection of antibodies that recognize one or more proteins and/or antigens from porcine reproductive and respiratory syndrome virus (PRRSV). The antibodies may be in a biological fluid of a PRRSV infected or at risk subject. The invention may be advantageously applied to both the diagnosis and prevention of PRRSV infection.

摘要翻译： 本发明提供用于检测识别来自猪繁殖和呼吸综合征病毒（PRRSV）的一种或多种蛋白质和/或抗原的抗体的试剂盒，装置和方法。 抗体可能在感染或风险受试者的PRRSV的生物液体中。 本发明可有利地应用于PRRSV感染的诊断和预防。

公开(公告)号：US20130168745A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13605046

申请日：2012-09-06

申请人： Han-Soo JOO

发明人： Han-Soo JOO

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/11582

摘要： A nonvolatile memory device includes a gate structure in which a plurality of interlayer dielectric layers and a plurality of gate electrodes are alternately stacked; a pass gate electrode lying under the gate structure; a sub channel hole defined in the pass gate electrode; a pair of main channel holes defined through the gate structure and communicating with the sub channel hole; a channel layer formed on inner walls of the pair of main channel holes and the sub channel hole; and a metallic substance layer contacting the channel layer in the sub channel hole.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括栅极结构，其中多个层间电介质层和多个栅电极交替堆叠; 栅极电极位于栅极结构下方; 限定在通过栅电极中的子通道孔; 一对主通道孔，其通过栅极结构限定并与子通道孔连通; 形成在所述一对主通道孔和所述副通道孔的内壁上的通道层; 以及与子通道孔中的沟道层接触的金属物质层。

公开(公告)号：US20070212684A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11751560

申请日：2007-05-21

申请人： Han-Soo Joo ,  Eugenio Mende

发明人： Han-Soo Joo ,  Eugenio Mende

IPC分类号： C12Q1/70 ,  C12N7/00

CPC分类号： A61K39/12 ,  A61K2039/525 ,  A61K2039/552 ,  C07K14/005 ,  C12N7/00 ,  C12N2770/10022 ,  C12N2770/10034 ,  G01N33/558 ,  G01N33/56983

摘要： This invention provides kits, devices, and methods for the detection of antibodies that recognize one or more proteins and/or antigens from porcine reproductive and respiratory syndrome virus (PRRSV). The antibodies may be in a biological fluid of a PRRSV infected or at risk subject. The invention may be advantageously applied to both the diagnosis and prevention of PRRSV infection.

摘要翻译： 本发明提供用于检测识别来自猪繁殖和呼吸综合征病毒（PRRSV）的一种或多种蛋白质和/或抗原的抗体的试剂盒，装置和方法。 抗体可能在感染或风险受试者的PRRSV的生物液体中。 本发明可有利地应用于PRRSV感染的诊断和预防。

公开(公告)号：US09401370B2

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：US13607243

申请日：2012-09-07

申请人： Sang-Moo Choi ,  Byung-Soo Park ,  Sang-Hyun Oh ,  Han-Soo Joo

发明人： Sang-Moo Choi ,  Byung-Soo Park ,  Sang-Hyun Oh ,  Han-Soo Joo

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/42324

摘要： A three-dimensional non-volatile memory device that may increase erase operation efficiency during an erase operation using Gate-Induced Drain Leakage (GIDL) current and a method for fabricating the three-dimensional non-volatile memory device. The non-volatile memory device includes a channel structure formed over a substrate including a plurality of inter-layer dielectric layers and a plurality of channel layers that are alternately stacked, and a first selection gate and a second selection gate that are disposed on a first side and a second side of the channel structure, wherein the first selection gate and the second selection gate are disposed on sidewalls of the multiple channel layers, respectively, wherein a work function of a material forming the first selection gate is different from a work function of a material forming the second selection gate.

摘要翻译： 一种三维非易失性存储器件，其可以在使用栅极引入漏极泄漏（GIDL）电流的擦除操作期间提高擦除操作效率，以及用于制造三维非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件包括形成在衬底上的沟道结构，所述衬底包括交替层叠的多个层间电介质层和多个沟道层，以及设置在第一层上的第一选择栅极和第二选择栅极 侧和第二侧，其中第一选择栅极和第二选择栅极分别设置在多个沟道层的侧壁上，其中形成第一选择栅极的材料的功函数不同于功函数 形成第二选择门的材料。

公开(公告)号：US08735961B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US12881635

申请日：2010-09-14

申请人： Han-Soo Joo

发明人： Han-Soo Joo

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7926

摘要： A non-volatile memory device having a string of a plurality of memory cells that are serially coupled, wherein the string of memory cells includes a plurality of second channels of a pillar type, a first channel coupling lower end portions of the plurality of the second channels with each other, and a plurality of control gate electrodes surrounding the plurality of the second channels.

摘要翻译： 一种具有串行耦合的多个存储单元的串的非易失性存储器件，其中所述存储单元串包括多个柱状的第二通道，第一通道将所述多个第二通道的下端部分 通道，以及围绕多个第二通道的多个控制栅电极。

公开(公告)号：US20130161717A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13607243

申请日：2012-09-07

申请人： Sang-Moo CHOI ,  Byung-Soo Park ,  Sang-Hyun Oh ,  Han-Soo Joo

发明人： Sang-Moo CHOI ,  Byung-Soo Park ,  Sang-Hyun Oh ,  Han-Soo Joo

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/04 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/42324

摘要： A three-dimensional non-volatile memory device that may increase erase operation efficiency during an erase operation using Gate-Induced Drain Leakage (GIDL) current and a method for fabricating the three-dimensional non-volatile memory device. The non-volatile memory device includes a channel structure formed over a substrate including a plurality of inter-layer dielectric layers and a plurality of channel layers that are alternately stacked, and a first selection gate and a second selection gate that are disposed on a first side and a second side of the channel structure, wherein the first selection gate and the second selection gate contact sidewalls of the multiple channel layers, respectively, wherein a work function of a material forming the first selection gate is different from a work function of a material forming the second selection gate.

摘要翻译： 一种三维非易失性存储器件，其可以在使用栅极引入漏极泄漏（GIDL）电流的擦除操作期间提高擦除操作效率，以及用于制造三维非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件包括形成在衬底上的沟道结构，所述衬底包括交替层叠的多个层间电介质层和多个沟道层，以及设置在第一层上的第一选择栅极和第二选择栅极 侧和第二侧，其中分别为多通道层的第一选择栅极和第二选择栅极接触侧壁，其中形成第一选择栅极的材料的功函数不同于第一选择栅极的功函数 形成第二选择门的材料。

公开(公告)号：US20120299087A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13334017

申请日：2011-12-21

申请人： Han-Soo JOO ,  Yu-Jin PARK

发明人： Han-Soo JOO ,  Yu-Jin PARK

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66833 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7926

摘要： A non-volatile memory device includes gate structures including first insulation layers that are alternately stacked with control gate layers over a substrate, wherein the gate structures extend in a first direction, channel lines that each extend over the gate structures in a second direction different from the first direction, a memory layer formed between the gate structures and the channel lines and arranged to trap charges by electrically insulating the gate structures from the channel lines, bit line contacts forming rows that each extend in the first direction and contacting top surfaces of the channel lines, source lines that each extend in the first direction and contact the top surfaces of the channel lines, wherein the source lines alternate with the rows of bit line contacts, and bit lines that are each formed over the bit line contacts and extend in the second direction.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括栅极结构，其包括在衬底上交替层叠有控制栅极层的第一绝缘层，其中栅极结构沿第一方向延伸，沟道线分别在不同于第二方向的第二方向上延伸到栅极结构上 第一方向，形成在栅极结构和沟道线之间的存储层，并被布置成通过将栅极结构与沟道线电绝缘来捕获电荷，位线触点形成行，其各自沿第一方向延伸并接触第一方向的顶表面 通道线，源极线，其各自在第一方向上延伸并接触通道线的顶表面，其中源极线与位线接触行交替，并且位线位于位线上并且在第 第二个方向。

公开(公告)号：US07776537B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11751560

申请日：2007-05-21

申请人： Han-Soo Joo

发明人： Han-Soo Joo

IPC分类号： C12Q1/68

CPC分类号： A61K39/12 ,  A61K2039/525 ,  A61K2039/552 ,  C07K14/005 ,  C12N7/00 ,  C12N2770/10022 ,  C12N2770/10034 ,  G01N33/558 ,  G01N33/56983

摘要： This invention provides kits, devices, and methods for the detection of antibodies that recognize one or more proteins and/or antigens from porcine reproductive and respiratory syndrome virus (PRRSV). The antibodies may be in a biological fluid of a PRRSV infected or at risk subject. The invention may be advantageously applied to both the diagnosis and prevention of PRRSV infection.

摘要翻译： 本发明提供用于检测识别来自猪繁殖和呼吸综合征病毒（PRRSV）的一种或多种蛋白质和/或抗原的抗体的试剂盒，装置和方法。 抗体可能在感染或风险受试者的PRRSV的生物液体中。 本发明可有利地应用于PRRSV感染的诊断和预防。