公开(公告)号：US08583855B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US12780979

申请日：2010-05-17

申请人： Han-woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Jun-jin Kong

发明人： Han-woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Jun-jin Kong

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/7209

摘要： A flash memory preprocessing system comprises at least one flash memory device, a memory controller controlling program and read operations of the at least one flash memory device, and a flash preprocessor receiving program data from an external source, generating preprocessed data by converting the received program data, and outputting the preprocessed data to the memory controller. The memory controller controls the at least one flash memory device to perform a program operation on the at least one flash memory device according to the preprocessed data.

摘要翻译： 闪存预处理系统包括至少一个闪存器件，存储器控制器控制程序和至少一个闪速存储器件的读取操作，以及从外部源接收程序数据的闪速预处理器，通过转换所接收的程序来产生预处理数据 数据，并将预处理的数据输出到存储器控制器。 所述存储器控制器控制所述至少一个闪速存储器件，以根据所述预处理数据对所述至少一个闪存器件执行编程操作。

公开(公告)号：US08310876B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US12662103

申请日：2010-03-31

申请人： Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

发明人： Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427 ,  G11C2211/5648

摘要： Methods of accessing storage devices. The methods include rearranging a writing order of continuous first and second data according to a reading order, and writing the first and second data in a first and second storage region of the storage device, respectively, according to the writing order. The reading order reads the second storage region first that provides interference on the first storage region.

摘要翻译： 访问存储设备的方法 这些方法包括根据读取顺序重新排列连续的第一和第二数据的写入顺序，以及根据写入顺序将第一和第二数据分别写入存储装置的第一和第二存储区域。 读取顺序首先读取在第一存储区域上提供干扰的第二存储区域。

公开(公告)号：US20100321999A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12786724

申请日：2010-05-25

申请人： Han Woong YOO ,  Jae Hong KIM ,  Jun Jin KONG

发明人： Han Woong YOO ,  Jae Hong KIM ,  Jun Jin KONG

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/3427 ,  G11C2211/5648

摘要： A method of programming a nonvolatile memory device comprises programming memory cells connected to a first wordline, programming memory cells connected to a second wordline, programming memory cells connected to a third line between the first wordline and the second wordline, and adjusting a threshold voltage of the memory cells connected to the first wordline to compensate for interference generated by the programming of the memory cells connected to the third wordline.

摘要翻译： 一种对非易失性存储器件进行编程的方法包括编程连接到第一字线的存储器单元，连接到第二字线的编程存储器单元，连接到第一字线和第二字线之间的第三线的编程存储器单元，以及调整阈值电压 连接到第一字线的存储器单元以补偿由连接到第三字线的存储器单元的编程所产生的干扰。

公开(公告)号：US20100306583A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12784683

申请日：2010-05-21

申请人： Yong-June Kim ,  Junjin Kong ,  Jaehong Kim ,  Han Woong Yoo

发明人： Yong-June Kim ,  Junjin Kong ,  Jaehong Kim ,  Han Woong Yoo

IPC分类号： G06F11/20

CPC分类号： G11C29/82

摘要： Memory systems and related defective block management methods are provided. Methods for managing a defective block in a memory device include allocating a defective block when a memory block satisfies a defective block condition. The allocated defective block is cancelled when the allocated defective block satisfies a defective block cancellation condition.

摘要翻译： 提供了存储器系统和相关的有缺陷的块管理方法。 用于管理存储器件中的缺陷块的方法包括当存储器块满足缺陷块状态时分配缺陷块。 当分配的缺陷块满足缺陷块取消条件时，分配的缺陷块被取消。

公开(公告)号：US20100287447A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12773179

申请日：2010-05-04

申请人： Hee Seok EUN ,  Jae Hong KIM ,  Seung-Hwan SONG ,  Ho-Chul LEE ,  Yong June KIM ,  Han Woong YOO ,  Jun Jin KONG

发明人： Hee Seok EUN ,  Jae Hong KIM ,  Seung-Hwan SONG ,  Ho-Chul LEE ,  Yong June KIM ,  Han Woong YOO ,  Jun Jin KONG

IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F11/10

CPC分类号： H03M13/455 ,  G06F11/1068 ,  G11C16/26

摘要： Provided is a read method for a memory system. The read method determines whether a read data error is correctable. The read method applies a plurality of read operations at a set read voltage level to identify erasure candidates, when the error is uncorrectable. The read method performs erasure decoding using an error correction code or an error detection code for the erasure candidates.

摘要翻译： 提供了一种用于存储器系统的读取方法。 读取方法确定读取数据错误是否可校正。 读取方法以设定的读取电压电平施加多个读取操作以识别擦除候选，当错误是不可校正的。 读取方法使用用于擦除候选的纠错码或错误检测码来执行擦除解码。

公开(公告)号：US20100265764A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12662103

申请日：2010-03-31

申请人： Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

发明人： Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

IPC分类号： G11C16/02

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427 ,  G11C2211/5648

摘要： Methods of accessing storage devices. The methods include rearranging a writing order of continuous first and second data according to a reading order, and writing the first and second data in a first and second storage region of the storage device, respectively, according to the writing order. The reading order reads the second storage region first that provides interference on the first storage region.

摘要翻译： 访问存储设备的方法 这些方法包括根据读取顺序重新排列连续的第一和第二数据的写入顺序，以及根据写入顺序将第一和第二数据分别写入存储装置的第一和第二存储区域。 读取顺序首先读取在第一存储区域上提供干扰的第二存储区域。

公开(公告)号：US20100103731A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12558627

申请日：2009-09-14

申请人： Han Woong YOO ,  Seung-Hwan SONG ,  Junjin KONG ,  Jaehong KIM

发明人： Han Woong YOO ,  Seung-Hwan SONG ,  Junjin KONG ,  Jaehong KIM

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C16/3427

摘要： A distribution analyzing method for a nonvolatile memory device having memory cells exhibiting overlapping first and second threshold voltage distributions includes; detecting a degree of overlap between the first and second threshold voltage distributions by reading data stored in the memory cells and determining read index data from the read data, and estimating a distribution characteristic for at least one of the overlapping threshold voltage distributions using the read index data.

摘要翻译： 一种具有显示重叠的第一和第二阈值电压分布的存储单元的非易失性存储器件的分布分析方法包括： 通过读取存储在存储单元中的数据并根据读取的数据确定读取的索引数据来检测第一和第二阈值电压分布之间的重叠程度，并且使用读取的索引来估计至少一个重叠阈值电压分布的分布特性 数据。

公开(公告)号：US08422307B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US12797668

申请日：2010-06-10

申请人： Han Woong Yoo ,  Seung-Hwan Song ,  Hee seok Eun ,  Jun jin Kong

发明人： Han Woong Yoo ,  Seung-Hwan Song ,  Hee seok Eun ,  Jun jin Kong

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/34 ,  G11C11/5642

摘要： A method of reading a nonvolatile memory device comprises measuring threshold voltage distributions of a plurality of memory cells, combining the measured threshold voltage distributions, and determining local minimum points in the combined threshold voltage distributions to determine read voltages for a predetermined group of memory cells.

摘要翻译： 读取非易失性存储器件的方法包括测量多个存储器单元的阈值电压分布，组合测量的阈值电压分布，以及确定组合阈值电压分布中的局部最小点，以确定预定组的存储器单元的读取电压。

公开(公告)号：US08422291B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US12662329

申请日：2010-04-12

申请人： Yong June Kim ,  Heeseok Eun ,  Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Hong Rak Son

发明人： Yong June Kim ,  Heeseok Eun ,  Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Hong Rak Son

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/26 ,  G06F11/1048 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C29/00

摘要： The storage device includes a storage unit configured to store data, an error controlling unit configured to correct an error of the data read out from the storage unit according to at least one read level, and a read level controlling unit configured to control the at least one read level when the error is uncorrectable. The read level controlling unit is configured to measure a distribution of memory cells of the storage unit, configured to filter the measured distribution, and configured to reset the at least one read level based on the filtered distribution.

摘要翻译： 存储装置包括：被配置为存储数据的存储单元;错误控制单元，被配置为根据至少一个读取级别校正从存储单元读出的数据的错误;以及读取级别控制单元，被配置为至少控制 一个读取级别，当错误是不可校正的。 读取级别控制单元被配置为测量存储单元的存储器单元的分布，被配置为过滤所测量的分布，并且被配置为基于滤波的分布来重置所述至少一个读取级别。

公开(公告)号：US08411510B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US13040456

申请日：2011-03-04

申请人： Hong-Rak Son ,  Han-Woong Yoo ,  Jun-Jin Kong ,  Hee-Seok Eun

发明人： Hong-Rak Son ,  Han-Woong Yoo ,  Jun-Jin Kong ,  Hee-Seok Eun

IPC分类号： G11C16/04 ,  G06F12/00 ,  G06F13/00

CPC分类号： G11C16/04

摘要： A memory system includes a memory device and a data converting device. The memory device includes a memory cell array which includes a plurality of memory cells. The data converting device includes an encoding device. The encoding device converts input data into converted data by changing a bandwidth corresponding to the input data, and provides the converted data to the memory device. Accordingly, the memory system is capable of improving the reliability of programmed data by changing the bandwidth corresponding to data to be programmed. A method of storing data in a memory system is also disclosed.

摘要翻译： 存储器系统包括存储器件和数据转换器件。 存储器件包括存储单元阵列，其包括多个存储器单元。 数据转换装置包括编码装置。 编码装置通过改变对应于输入数据的带宽将输入数据转换为转换数据，并将转换的数据提供给存储装置。 因此，存储系统能够通过改变与要编程的数据相对应的带宽来提高编程数据的可靠性。 还公开了一种在存储器系统中存储数据的方法。