公开(公告)号：US08298894B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US12785185

申请日：2010-05-21

申请人： Markus Lenski ,  Klaus Hempel ,  Vivien Schroeder ,  Robert Binder ,  Joachim Metzger

发明人： Markus Lenski ,  Klaus Hempel ,  Vivien Schroeder ,  Robert Binder ,  Joachim Metzger

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/82345 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： In a replacement gate approach in sophisticated semiconductor devices, a tantalum nitride etch stop material may be efficiently removed on the basis of a wet chemical etch recipe using ammonium hydroxide. Consequently, a further work function adjusting material may be formed with superior uniformity, while the efficiency of the subsequent adjusting of the work function may also be increased. Thus, superior uniformity, i.e., less pronounced transistor variability, may be accomplished on the basis of a replacement gate approach in which the work function of the gate electrodes of P-channel transistors and N-channel transistors is adjusted after completing the basic transistor configuration.

摘要翻译： 在复杂半导体器件中的替代栅极方法中，可以基于使用氢氧化铵的湿化学蚀刻配方有效地去除氮化钽蚀刻停止材料。 因此，可以形成具有优异均匀性的另外的功能调节材料，同时可以提高随后的功函数调整的效率。 因此，可以在替代栅极方法的基础上实现优异的均匀性，即较不明显的晶体管可变性，其中在完成基本晶体管配置之后调节P沟道晶体管和N沟道晶体管的栅电极的功函数 。

公开(公告)号：US20120238086A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13422221

申请日：2012-03-16

申请人： Klaus Hempel ,  Robert Binder ,  Joachim Metzger

发明人： Klaus Hempel ,  Robert Binder ,  Joachim Metzger

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： When forming sophisticated high-k metal gate electrode structures, for instance on the basis of a replacement gate approach, superior interface characteristics may be obtained on the basis of using a thermally grown base material, wherein the electrically effective thickness may be reduced on the basis of a low temperature anneal process. Consequently, the superior interface characteristics of a thermally grown base material may be provided without requiring high temperature anneal processes, as are typically applied in conventional strategies using a very thin oxide layer formed on the basis of a wet oxidation chemistry.

摘要翻译： 当形成复杂的高k金属栅极电极结构时，例如基于替代栅极方法，可以在使用热生长的基材的基础上获得优异的界面特性，其中可以基于 的低温退火工艺。 因此，可以提供热生长的基材的优异的界面特性，而不需要高温退火工艺，如通常在使用基于湿氧化学化学形成的非常薄的氧化物层的常规策略中应用的那样。

公开(公告)号：US20110186931A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US12914234

申请日：2010-10-28

申请人： Gerd Marxsen ,  Joachim Metzger ,  Robert Binder ,  Markus Lenski

发明人： Gerd Marxsen ,  Joachim Metzger ,  Robert Binder ,  Markus Lenski

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7845

摘要： In a replacement gate approach, one work function metal may be provided in an early manufacturing stage, i.e., upon depositing the gate layer stack, thereby reducing the number of deposition steps required in a later manufacturing stage. Consequently, the further work function metal and the electrode metal may be filled into the gate trenches on the basis of superior process conditions compared to conventional replacement gate approaches.

摘要翻译： 在替代栅极方法中，可以在早期制造阶段（即，在沉积栅极层堆叠时）提供一个功函数金属，从而减少后续制造阶段所需的沉积步骤的数量。 因此，与传统的替代栅极方法相比，基于优越的工艺条件，可以将另外的功函数金属和电极金属填充到栅极沟槽中。

公开(公告)号：US08226033B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12380066

申请日：2009-02-23

申请人： Christian Koefinger ,  Joachim Metzger ,  Michael Auburger

发明人： Christian Koefinger ,  Joachim Metzger ,  Michael Auburger

IPC分类号： B64D11/00

CPC分类号： B64D11/003 ,  B64C1/066 ,  B64C1/40 ,  Y10T29/49826

摘要： A frame element (10) for use in an aircraft component installation system (46) is attachable to an aircraft structure (36) and comprises a storage bin fastening device which is designed to fasten a storage bin (26) at various positions on the frame element (10). A storage bin (26) for use in an aircraft comprises a complementary device to the storage bin fastening device of the frame element (10), in order to fasten the storage bin (26) at various positions on the frame element (10). In a method for the installation of a storage bin (26) in an aircraft a frame element (10) is provided. A storage bin (26) is fastened in a desired position on the frame element (10). The frame element (10) is attached to an aircraft structure (36).

摘要翻译： 用于飞行器部件安装系统（46）的框架元件（10）可附接到飞行器结构（36）并且包括存储箱紧固装置，其被设计成将存放箱（26）固定在框架上的各个位置 元件（10）。 用于飞行器的存储箱（26）包括与框架元件（10）的存储箱紧固装置的互补装置，以便将存储箱（26）紧固在框架元件（10）上的各个位置。 在用于在飞行器中安装存储箱（26）的方法中，提供了一个框架元件（10）。 存储箱（26）被固定在框架元件（10）上的期望位置。 框架元件（10）附接到飞行器结构（36）。

公开(公告)号：US20110127590A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12901631

申请日：2010-10-11

申请人： Robert Binder ,  Joachim Metzger ,  Klaus Hempel

发明人： Robert Binder ,  Joachim Metzger ,  Klaus Hempel

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/321 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

摘要： In a replacement gate approach, the oxygen contents of a cap material may be increased, thereby providing more stable characteristics of the cap material itself and of the high-k dielectric material. Consequently, upon providing a work function adjusting metal species at a very advanced manufacturing stage, corresponding additional treatments may be reduced in number or may even be completely avoided, while at the same time threshold voltage variations may be reduced.

摘要翻译： 在替代栅极方法中，可以增加盖材料的氧含量，从而提供帽材料本身和高k电介质材料的更稳定的特性。 因此，在提供在非常先进的制造阶段调整金属种类的功函数时，相应的附加处理可能数量减少或甚至可以完全避免，同时阈值电压变化可能会降低。

公开(公告)号：US20090230244A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12380066

申请日：2009-02-23

申请人： Christian Kofinger ,  Joachim Metzger ,  Michael Auburger

发明人： Christian Kofinger ,  Joachim Metzger ,  Michael Auburger

IPC分类号： B64D11/00 ,  B23P11/00

CPC分类号： B64D11/003 ,  B64C1/066 ,  B64C1/40 ,  Y10T29/49826

摘要： A frame element (10) for use in an aircraft component installation system (46) is attachable to an aircraft structure (36) and comprises a storage bin fastening device which is designed to fasten a storage bin (26) at various positions on the frame element (10). A storage bin (26) for use in an aircraft comprises a complementary device to the storage bin fastening device of the frame element (10), in order to fasten the storage bin (26) at various positions on the frame element (10). In a method for the installation of a storage bin (26) in an aircraft a frame element (10) is provided. A storage bin (26) is fastened in a desired position on the frame element (10). The frame element (10) is attached to an aircraft structure (36).

摘要翻译： 用于飞行器部件安装系统（46）的框架元件（10）可附接到飞行器结构（36）并且包括存储箱紧固装置，其被设计成将存放箱（26）固定在框架上的各个位置 元件（10）。 用于飞行器的存储箱（26）包括与框架元件（10）的存储箱紧固装置的互补装置，以便将存储箱（26）紧固在框架元件（10）上的各个位置。 在用于在飞行器中安装存储箱（26）的方法中，提供了一个框架元件（10）。 存储箱（26）被固定在框架元件（10）上的期望位置。 框架元件（10）附接到飞行器结构（36）。

公开(公告)号：US08664103B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13154578

申请日：2011-06-07

申请人： Klaus Hempel ,  Andy Wei ,  Robert Binder ,  Joachim Metzger

发明人： Klaus Hempel ,  Andy Wei ,  Robert Binder ,  Joachim Metzger

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： Generally, the subject matter disclosed herein relates to modern sophisticated semiconductor devices and methods for forming the same, wherein a reduced threshold voltage (Vt) may be achieved in HK/MG transistor elements that are manufactured based on replacement gate electrode integrations. One illustrative method disclosed herein includes forming a first metal gate electrode material layer above a gate dielectric material layer having a dielectric constant of approximately 10 or greater. The method further includes exposing the first metal gate electrode material layer to an oxygen diffusion process, forming a second metal gate electrode material layer above the first metal gate electrode material layer, and adjusting an oxygen concentration gradient and a nitrogen concentration gradient in at least the first metal gate electrode material layer and the gate dielectric material layer.

摘要翻译： 通常，本文公开的主题涉及现代复杂的半导体器件及其形成方法，其中可以在基于替换栅极集成制造的HK / MG晶体管元件中实现降低的阈值电压（Vt）。 本文公开的一种说明性方法包括在介电常数约为10或更大的栅介质材料层上形成第一金属栅电极材料层。 该方法还包括将第一金属栅电极材料层暴露于氧扩散过程，在第一金属栅电极材料层上形成第二金属栅电极材料层，并且至少在第一金属栅电极材料层上调整氧浓度梯度和氮浓度梯度 第一金属栅电极材料层和栅介质材料层。

公开(公告)号：US20140015058A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US13689992

申请日：2012-11-30

申请人： Richard Carter ,  Sven Beyer ,  Joachim Metzger ,  Robert Binder

发明人： Richard Carter ,  Sven Beyer ,  Joachim Metzger ,  Robert Binder

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545

摘要： The work function of a high-k gate electrode structure may be adjusted in a late manufacturing stage on the basis of a lanthanum species in an N-channel transistor, thereby obtaining the desired high work function in combination with a typical conductive barrier material, such as titanium nitride. For this purpose, in some illustrative embodiments, the lanthanum species may be formed directly on the previously provided metal-containing electrode material, while an efficient barrier material may be provided in the P-channel transistor, thereby avoiding undue interaction of the lanthanum species in the P-channel transistor.

摘要翻译： 高k栅电极结构的功函数可以在后期制造阶段基于N沟道晶体管中的镧种类进行调整，从而获得与典型的导电阻挡材料结合的期望的高功函数，例如 作为氮化钛。 为此，在一些说明性实施例中，可以在先前提供的含金属的电极材料上直接形成镧类物质，同时可以在P沟道晶体管中提供有效的阻挡材料，从而避免镧类物质的过度相互作用 P沟道晶体管。

公开(公告)号：US20120315749A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13154578

申请日：2011-06-07

申请人： Klaus Hempel ,  Andy C. Wei ,  Robert Binder ,  Joachim Metzger

发明人： Klaus Hempel ,  Andy C. Wei ,  Robert Binder ,  Joachim Metzger

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： Generally, the subject matter disclosed herein relates to modern sophisticated semiconductor devices and methods for forming the same, wherein a reduced threshold voltage (Vt) may be achieved in HK/MG transistor elements that are manufactured based on replacement gate electrode integrations. One illustrative method disclosed herein includes forming a first metal gate electrode material layer above a gate dielectric material layer having a dielectric constant of approximately 10 or greater. The method further includes exposing the first metal gate electrode material layer to an oxygen diffusion process, forming a second metal gate electrode material layer above the first metal gate electrode material layer, and adjusting an oxygen concentration gradient and a nitrogen concentration gradient in at least the first metal gate electrode material layer and the gate dielectric material layer.

摘要翻译： 通常，本文公开的主题涉及现代复杂的半导体器件及其形成方法，其中可以在基于替换栅极集成制造的HK / MG晶体管元件中实现降低的阈值电压（Vt）。 本文公开的一种说明性方法包括在介电常数约为10或更大的栅介质材料层上形成第一金属栅电极材料层。 该方法还包括将第一金属栅电极材料层暴露于氧扩散过程，在第一金属栅电极材料层上方形成第二金属栅电极材料层，并且至少在第一金属栅电极材料层上调整氧浓度梯度和氮浓度梯度 第一金属栅电极材料层和栅介质材料层。

公开(公告)号：US08262023B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US12438036

申请日：2007-08-17

申请人： Christian Köfinger ,  Joachim Metzger ,  Michael Auburger

发明人： Christian Köfinger ,  Joachim Metzger ,  Michael Auburger

IPC分类号： B64C1/00

CPC分类号： B64C1/066 ,  B64C1/40 ,  B64D13/00 ,  Y10T29/49622

摘要： A frame element for use in an aircraft air-conditioning system is attachable to an aircraft structure and includes at least one strut which is formed to at least in sections as a hollow cylinder, wherein an air inlet connection of the at least one-section-wise hollow cylindrically formed strut of the frame element is connectable to an air outlet duct of an aircraft air-conditioning unit, and an air outlet connection of the at least one section-wise hollow cylindrically formed strut of the frame element is connectable to an air outlet opening terminating in a cabin region of an aircraft.

摘要翻译： 用于飞行器空调系统的框架元件可附接到飞行器结构，并且包括至少一个至少部分地形成为中空圆柱体的支柱，其中至少一个截面形状的空气入口连接， 框架元件的明智的中空圆柱形支柱可连接到飞行器空调单元的空气出口管道，并且框架元件的至少一个截面中空圆柱形的支柱的空气出口连接可连接到空气 出口开口终止于飞机的舱区域。