公开(公告)号：US08378447B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US13085632

申请日：2011-04-13

申请人： Kaushik Chanda ,  Ronald G. Filippi ,  Joseph M. Lukaitis ,  Ping-Chuan Wang

发明人： Kaushik Chanda ,  Ronald G. Filippi ,  Joseph M. Lukaitis ,  Ping-Chuan Wang

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electrically programmable fuse includes an anode, a cathode, and a fuse link conductively connecting the cathode with the anode, which is programmable by applying a programming current. The anode and the fuse link each include a polysilicon layer and a silicide layer formed on the polysilicon layer, and the cathode includes the polysilicon layer and a partial silicide layer formed on a predetermined portion of the polysilicon layer of the cathode located adjacent to a cathode junction where the cathode and the fuse link meet.

摘要翻译： 电可编程保险丝包括阳极，阴极和导电地连接阴极与阳极的熔断体，其可通过施加编程电流来编程。 阳极和熔丝链路各自包括形成在多晶硅层上的多晶硅层和硅化物层，并且阴极包括多晶硅层和形成在阴极的多晶硅层的预定部分上的部分硅化物层，其位于阴极附近 阴极和熔断体连接处的连接处。

公开(公告)号：US08652922B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US13008459

申请日：2011-01-18

申请人： Joseph M. Lukaitis ,  Jed H. Rankin ,  Robert R. Robison ,  Dustin K. Slisher ,  Timothy D. Sullivan

发明人： Joseph M. Lukaitis ,  Jed H. Rankin ,  Robert R. Robison ,  Dustin K. Slisher ,  Timothy D. Sullivan

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1203

摘要： A method of forming a semiconductor structure includes forming a resistor on an insulator layer over a substrate and forming a trench in the resistor and into the substrate. The method also includes forming a liner on sidewalls of the trench and forming a core comprising a high thermal conductivity material in the trench and on the liner.

摘要翻译： 形成半导体结构的方法包括在衬底上的绝缘体层上形成电阻器，并在电阻器中形成沟槽并进入衬底。 该方法还包括在沟槽的侧壁上形成衬垫，并在沟槽和衬垫上形成包括高导热性材料的芯。

公开(公告)号：US20110186963A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US13085632

申请日：2011-04-13

申请人： Kaushik Chanda ,  Ronald G. Filippi ,  Joseph M. Lukaitis ,  Ping-Chuan Wang

发明人： Kaushik Chanda ,  Ronald G. Filippi ,  Joseph M. Lukaitis ,  Ping-Chuan Wang

IPC分类号： H01L23/525

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electrically programmable fuse includes an anode, a cathode, and a fuse link conductively connecting the cathode with the anode, which is programmable by applying a programming current. The anode and the fuse link each include a polysilicon layer and a silicide layer formed on the polysilicon layer, and the cathode includes the polysilicon layer and a partial silicide layer formed on a predetermined portion of the polysilicon layer of the cathode located adjacent to a cathode junction where the cathode and the fuse link meet.

摘要翻译： 电可编程保险丝包括阳极，阴极和导电地连接阴极与阳极的熔断体，其可通过施加编程电流来编程。 阳极和熔丝链路各自包括形成在多晶硅层上的多晶硅层和硅化物层，并且阴极包括多晶硅层和形成在阴极的多晶硅层的预定部分上的部分硅化物层，其位于阴极附近 阴极和熔断体连接处的连接处。

公开(公告)号：US20120313215A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13588218

申请日：2012-08-17

申请人： Joseph M. LUKAITIS ,  Jed H. RANKIN ,  Robert R. ROBISON ,  Dustin K. SLISHER ,  Timothy D. SULLIVAN

发明人： Joseph M. LUKAITIS ,  Jed H. RANKIN ,  Robert R. ROBISON ,  Dustin K. SLISHER ,  Timothy D. SULLIVAN

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L28/20

摘要： A method of forming a semiconductor structure includes forming a resistor on an insulator layer over a substrate, and forming at least one dielectric layer over the resistor. The method also includes forming a substrate contact through the at least one dielectric layer, through the resistor, through the insulator layer, and into the substrate. The substrate contact comprises a high thermal conductivity material.

摘要翻译： 形成半导体结构的方法包括在衬底上的绝缘体层上形成电阻器，并且在电阻器上方形成至少一个电介质层。 所述方法还包括通过所述至少一个电介质层，通过所述电阻器，穿过所述绝缘体层，并进入所述衬底形成衬底接触。 衬底接触包括高导热性材料。

公开(公告)号：US08298904B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US13008465

申请日：2011-01-18

申请人： Joseph M. Lukaitis ,  Jed H. Rankin ,  Robert R. Robison ,  Dustin K. Slisher ,  Timothy D. Sullivan

发明人： Joseph M. Lukaitis ,  Jed H. Rankin ,  Robert R. Robison ,  Dustin K. Slisher ,  Timothy D. Sullivan

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L28/20

摘要： A method of forming a semiconductor structure includes forming a resistor on an insulator layer over a substrate, and forming at least one dielectric layer over the resistor. The method also includes forming a substrate contact through the at least one dielectric layer, through the resistor, through the insulator layer, and into the substrate. The substrate contact comprises a high thermal conductivity material.

摘要翻译： 形成半导体结构的方法包括在衬底上的绝缘体层上形成电阻器，并且在电阻器上方形成至少一个电介质层。 所述方法还包括通过所述至少一个电介质层，通过所述电阻器，穿过所述绝缘体层，并进入所述衬底形成衬底接触。 衬底接触包括高导热性材料。

公开(公告)号：US06958621B2

公开(公告)日：2005-10-25

申请号：US10725984

申请日：2003-12-02

申请人： Giuseppe La Rosa ,  Joseph M. Lukaitis ,  Anastasios A. Katsetos ,  Stewart E. Rauch, III ,  Ping-Chuan Wang ,  Stephen P. Boffoli ,  Fernando J. Guarin ,  B. B. (Bob) Lawhorn

发明人： Giuseppe La Rosa ,  Joseph M. Lukaitis ,  Anastasios A. Katsetos ,  Stewart E. Rauch, III ,  Ping-Chuan Wang ,  Stephen P. Boffoli ,  Fernando J. Guarin ,  B. B. (Bob) Lawhorn

IPC分类号： H01L27/02 ,  H03K19/003 ,  H03K19/0175

CPC分类号： H01L27/0207

摘要： A recovery circuit and a method for employing the same are provided. The recovery circuit has a current driver and, preferably two pass-gates, a first pass-gate connected in series to the current driver and a second pass-gate connected to a ground. The recovery circuit also has a recovery assembly or element and one or more contacts operatively connecting the recovery circuit to a wearout sensitive circuit or circuit element.

摘要翻译： 提供一种恢复电路及其应用方法。 恢复电路具有电流驱动器，并且优选地是两个通过门，与电流驱动器串联连接的第一通过栅极和连接到地的第二通过栅极。 恢复电路还具有恢复组件或元件以及可操作地将恢复电路连接到耗损敏感电路或电路元件的一个或多个触点。

公开(公告)号：US5424634A

公开(公告)日：1995-06-13

申请号：US199042

申请日：1994-02-18

申请人： Samuel M. Goldfarb ,  Paul R. Herb ,  Joseph M. Lukaitis ,  Leathen Shi

发明人： Samuel M. Goldfarb ,  Paul R. Herb ,  Joseph M. Lukaitis ,  Leathen Shi

IPC分类号： G01N3/00 ,  G01N3/02 ,  G01N3/36 ,  G01R31/28 ,  G01R31/00

CPC分类号： G01N3/36 ,  G01R31/2817 ,  G01N2203/0005 ,  G01N2203/0023 ,  G01N2203/0044 ,  G01N2203/0224 ,  G01N2203/0282

摘要： Describes a process for applying non-destructive cyclical mechanical stress to planar items in order to simulate the effects of cyclical thermal stresses. Latent defects are accelerated and screened early in a manufacturing process.

摘要翻译： 描述了将非破坏性周期性机械应力应用于平面物体的过程，以模拟周期性热应力的影响。 潜在缺陷在制造过程的早期加速和筛选。

公开(公告)号：US08486796B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12950635

申请日：2010-11-19

申请人： David L. Harmon ,  Joseph M. Lukaitis ,  Stewart E. Rauch, III ,  Robert R. Robison ,  Dustin K. Slisher ,  Jeffrey H. Sloan ,  Timothy D. Sullivan ,  Kimball M. Watson

发明人： David L. Harmon ,  Joseph M. Lukaitis ,  Stewart E. Rauch, III ,  Robert R. Robison ,  Dustin K. Slisher ,  Jeffrey H. Sloan ,  Timothy D. Sullivan ,  Kimball M. Watson

IPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L23/62

CPC分类号： H01L23/5228 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/19 ,  H01L28/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a semiconductor structure includes: forming a resistor over a substrate; forming at least one first contact in contact with the resistor; and forming at least one second contact in contact with the resistor. The resistor is structured and arranged such that current flows from the at least one first contact to the at least one second contact through a central portion of the resistor. The resistor includes at least one extension extending laterally outward from the central portion in a direction parallel to the current flow. The method includes sizing the at least one extension based on a thermal diffusion length of the resistor.

摘要翻译： 一种形成半导体结构的方法包括：在衬底上形成电阻器; 形成与所述电阻器接触的至少一个第一触点; 以及形成与所述电阻器接触的至少一个第二触点。 电阻器被构造和布置成使得电流从电阻器的中心部分通过至少一个第一触点流到至少一个第二触点。 该电阻器包括至少一个从平行于电流的方向从中心部分横向向外延伸的延伸部分。 该方法包括基于电阻器的热扩散长度来确定至少一个延伸部的尺寸。

公开(公告)号：US20120146186A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US12962722

申请日：2010-12-08

申请人： Joseph M. Lukaitis ,  Deborah M. Massey ,  Timothy D. Sullivan ,  Ping-Chuan Wang ,  Kimball M. Watson

发明人： Joseph M. Lukaitis ,  Deborah M. Massey ,  Timothy D. Sullivan ,  Ping-Chuan Wang ,  Kimball M. Watson

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/0211 ,  H01L28/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A structure and method of fabricating the structure includes a semiconductor substrate having a top surface defining a horizontal direction and a plurality of interconnect levels stacked from a lowermost level proximate the top surface of the semiconductor substrate to an uppermost level furthest from the top surface. Each of the interconnect levels include vertical metal conductors physically connected to one another in a vertical direction perpendicular to the horizontal direction. The vertical conductors in the lowermost level being physically connected to the top surface of the substrate, and the vertical conductors forming a heat sink connected to the semiconductor substrate. A resistor is included in a layer immediately above the uppermost level. The vertical conductors being aligned under a downward vertical resistor footprint of the resistor, and each interconnect level further include horizontal metal conductors positioned in the horizontal direction and being connected to the vertical conductors.

摘要翻译： 制造该结构的结构和方法包括：半导体衬底，其具有限定水平方向的顶表面和从最接近半导体衬底的顶表面的最底层到距离顶表面最远的最高水平层叠的多个互连层。 每个互连层包括在垂直于水平方向的垂直方向上彼此物理连接的垂直金属导体。 最底层的垂直导体物理地连接到衬底的顶表面，垂直导体形成连接到半导体衬底的散热片。 一个电阻器被包含在最上层的上方的层中。 垂直导体在电阻器的向下垂直电阻器占位面下对准，并且每个互连级别还包括位于水平方向上并且连接到垂直导体的水平金属导体。

公开(公告)号：US20120126370A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US12950635

申请日：2010-11-19

申请人： David L. HARMON ,  Joseph M. LUKAITIS ,  Stewart E. RAUCH, III ,  Robert R. ROBISON ,  Dustin K. SLISHER ,  Jeffrey H. SLOAN ,  Timothy D. SULLIVAN ,  Kimball M. WATSON

发明人： David L. HARMON ,  Joseph M. LUKAITIS ,  Stewart E. RAUCH, III ,  Robert R. ROBISON ,  Dustin K. SLISHER ,  Jeffrey H. SLOAN ,  Timothy D. SULLIVAN ,  Kimball M. WATSON

IPC分类号： H01L29/8605 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/5228 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/19 ,  H01L28/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a semiconductor structure includes: forming a resistor over a substrate; forming at least one first contact in contact with the resistor; and forming at least one second contact in contact with the resistor. The resistor is structured and arranged such that current flows from the at least one first contact to the at least one second contact through a central portion of the resistor. The resistor includes at least one extension extending laterally outward from the central portion in a direction parallel to the current flow. The method includes sizing the at least one extension based on a thermal diffusion length of the resistor.

摘要翻译： 一种形成半导体结构的方法包括：在衬底上形成电阻器; 形成与所述电阻器接触的至少一个第一触点; 以及形成与所述电阻器接触的至少一个第二触点。 电阻器被构造和布置成使得电流从电阻器的中心部分通过至少一个第一触点流到至少一个第二触点。 该电阻器包括至少一个从平行于电流的方向从中心部分横向向外延伸的延伸部。 该方法包括基于电阻器的热扩散长度来确定至少一个延伸部的尺寸。