公开(公告)号：US4727454A

公开(公告)日：1988-02-23

申请号：US59135

申请日：1987-06-04

申请人： Arno Neidig ,  Klaus Bunk ,  Jens Gobrecht

发明人： Arno Neidig ,  Klaus Bunk ,  Jens Gobrecht

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/427 ,  H01L23/24

CPC分类号： H01L23/427 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/3011

摘要： A semiconductor power module includes a substrate formed of metallized ceramic, at least one semiconductor power component with a base surface soldered to the metallized ceramic, and at least one heat conduit integrated into the semiconductor power module. The heat conduit includes a condensation area having a larger surface than the base surface, over which dissipation heat from the semiconductor power component is distributed.

摘要翻译： 半导体功率模块包括由金属化陶瓷形成的衬底，具有焊接到金属化陶瓷的基底表面的至少一个半导体功率部件和集成到半导体功率模块中的至少一个热导管。 热导管包括具有比基部表面更大的表面的冷凝区域，来自半导体功率部件的耗散热分布在该冷凝区域上。

公开(公告)号：US4700879A

公开(公告)日：1987-10-20

申请号：US740287

申请日：1985-06-03

申请人： Werner Weidenauer ,  Bernd Leukel ,  Klaus Bunk

发明人： Werner Weidenauer ,  Bernd Leukel ,  Klaus Bunk

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/06 ,  B23K31/02

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L23/492 ,  H01L24/33 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L29/0657 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802

摘要： A method for manufacturing insulated semiconductor power modules includes: presoldering a plurality of semiconductor sandwiches and a carrier unit including a metal base plate, ceramic insulating discs and connecting tabs with a high-melting solder in a first step; joining the semiconductor sandwiches and the carrier unit together with a low-melting solder in a second step; performing the first and second soldering steps without flux in a gas from the group consisting of hydrogen and forming gas; and preventing a mixture of the high-melting solder and the low-melting solder during the second step.

摘要翻译： 一种制造绝缘半导体功率模块的方法包括：在第一步骤中，预先焊接多个半导体夹层和包括金属底板，陶瓷绝缘盘和与高熔点焊料的连接片的载体单元; 在第二步骤中将半导体三明治和载体单元与低熔点焊料一起连接; 执行第一和第二焊接步骤，而没有来自由氢气和成形气体组成的组的气体中的通量; 并且在第二步骤期间防止高熔点焊料和低熔点焊料的混合。

公开(公告)号：US4591401A

公开(公告)日：1986-05-27

申请号：US625722

申请日：1984-06-28

申请人： Arno Neidig ,  Klaus Bunk ,  Karl-Heinz Thiele ,  Georg Wahl ,  Jens Gobrecht

发明人： Arno Neidig ,  Klaus Bunk ,  Karl-Heinz Thiele ,  Georg Wahl ,  Jens Gobrecht

IPC分类号： B23K1/19 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38 ,  B32B31/06 ,  B32B31/12 ,  B32B31/22

CPC分类号： H05K3/385 ,  C04B35/653 ,  C04B37/021 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/54 ,  H05K1/0306 ,  Y10S228/903 ,  Y10T156/1064

摘要： In directly bonding a metal to ceramics, in accordance with the invention, that surface of a metal component which is to be bonded by heating to a ceramic substrate is provided with parallel-running grooves before the preoxidation. The grooves make it possible to optimize the quantity of oxygen available at the bonding location and provide good flow behavior of the melt. As a result, a bond with good adhesion is obtained. Moreover, there is no formation of a thicker oxide layer on the free smooth surface of the metal component.

摘要翻译： 在将金属直接接合到陶瓷中时，根据本发明，通过加热到陶瓷基板而被接合的金属成分的表面在预氧化之前设置有平行的槽​​。 凹槽使得可以优化在接合位置处可用的氧气量并且提供熔体的良好的流动行为。 结果，获得了具有良好粘附性的粘结。 此外，在金属组分的自由光滑表面上没有形成更厚的氧化物层。

公开(公告)号：US4483810A

公开(公告)日：1984-11-20

申请号：US463911

申请日：1983-02-04

申请人： Klaus Bunk ,  Arno Neidig ,  Georg Wahl ,  Helmut Keser

发明人： Klaus Bunk ,  Arno Neidig ,  Georg Wahl ,  Helmut Keser

IPC分类号： B23K20/00 ,  B23K35/38 ,  B29C63/00 ,  B32B37/00 ,  C04B37/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38 ,  C04B39/00

CPC分类号： C04B37/026 ,  B23K35/38 ,  C04B37/021 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38

摘要： Method for the direct joining of metal pieces which have a surface metal oxide layer, to oxide ceramic substrates by heating the ceramic substrates covered with the metal pieces in an oxygen-containing atmosphere to a temperature above the eutectic temperature of the metal and the metal oxide, but below the melting temperature of the metal. The heating is carried out in a continuous heating furnace in a nitrogen atmosphere with an addition of oxygen of 20 to 50 vpm. The cooling-down in the continuous heating furnace takes place after the solidification of the eutectic melt, in a nitrogen atmosphere which has an oxygen content well below the 20 vpm.

摘要翻译： 将具有表面金属氧化物层的金属片直接接合到氧化物陶瓷基板的方法，将含有金属片的氧化物气氛中覆盖的陶瓷基板加热到高于金属和金属氧化物共晶温度的温度 ，但低于金属的熔融温度。 加热在连续加热炉中在氮气气氛中进行，加入氧气为20至50vpm。 连续加热炉中的冷却在共晶熔体凝固之后，在氧气含量远低于20vpm的氮气气氛中进行。