公开(公告)号：US06906351B2

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：US10634220

申请日：2003-08-05

申请人： Olga Kryliouk ,  Timothy J. Anderson ,  Michael Anthony Mastro

发明人： Olga Kryliouk ,  Timothy J. Anderson ,  Michael Anthony Mastro

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L29/22

CPC分类号： C30B25/18 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A layered article and method for forming the same includes a single crystal silicon substrate, a silicon oxynitride layer (SixNyOz) disposed on the silicon substrate, and a single crystal GaN layer disposed on the oxynitride layer. The silicon oxynitride layer can be formed by nitridation of a native oxide layer. One or more integrated electronic circuits and/or integrated optical or optoelectronic devices can be built on the article.

摘要翻译： 层叠体及其形成方法包括设置在硅衬底上的单晶硅衬底，氧氮化硅层（SixNyOz）和设置在氧氮化物层上的单晶GaN层。 氮氧化硅层可以通过氮化自然氧化物层而形成。 可以在物品上构建一个或多个集成电子电路和/或集成光学或光电子器件。