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    Photomask and method of making thereof
    1.
    发明授权
    Photomask and method of making thereof 有权
    光掩模及其制造方法

    公开(公告)号：US07892705B2

    公开(公告)日：2011-02-22

    申请号：US11865982

    申请日：2007-10-02

    申请人： Sean D. Burns ,  Michael M. Crouse ,  Dario L. Goldfarb

    发明人： Sean D. Burns ,  Michael M. Crouse ,  Dario L. Goldfarb

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/82 ,  G03F1/50

    摘要： The disclosure is related to photomasks used in photolithography and methods of making photomasks. The method involves providing a transparent substrate with one or more reflective films disposed over a surface of the substrate, applying a photoresist to the solution-contacted reflective film and forming a pattern in the photoresist that is transferred to the substrate, and developing the pattern on the substrate by removing the remaining portions of the photoresist. The substrate carrying the patterned reflective film is then contacted with a solution comprising oxyanions. The disclosure is also related to photomasks made using the disclosed method.

    摘要翻译： 本公开涉及光刻中使用的光掩模和制造光掩模的方法。 该方法包括提供一个透明衬底，一个或多个反射膜设置在衬底的表面上，向溶液接触的反射膜施加光致抗蚀剂并在转移到衬底上的光致抗蚀剂中形成图案，并且在 通过去除光致抗蚀剂的剩余部分来实现。 然后，携带图案化反射膜的基板与含有阴离子的溶液接触。 本公开还涉及使用所公开的方法制造的光掩模。

    Contact Level Mask Layouts By Introducing Anisotropic Sub-Resolution Assist Features
    3.
    发明申请
    Contact Level Mask Layouts By Introducing Anisotropic Sub-Resolution Assist Features 审中-公开
    通过引入各向异性分解辅助功能的接触层面罩布局

    公开(公告)号：US20090191468A1

    公开(公告)日：2009-07-30

    申请号：US12021527

    申请日：2008-01-29

    申请人： Michael M. Crouse ,  Derren N. Dunn ,  Henning Haffner ,  Michael E. Scaman

    发明人： Michael M. Crouse ,  Derren N. Dunn ,  Henning Haffner ,  Michael E. Scaman

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/36

    摘要： This disclosure includes a SRAF layout that minimizes the number of SRAFs required to reliably print contact shapes. A method is provided that reduces the number of necessary SRAF features on a mask, placing at least two elongated SRAF shapes on the mask such that the elongated SRAF shapes extend past at least one edge of a mask shape in at least one direction.

    摘要翻译： 本公开包括SRAF布局，其最小化可靠地打印接触形状所需的SRAF的数量。 提供了一种减少掩模上必要的SRAF特征的数量的方法，在掩模上放置至少两个细长的SRAF形状，使得细长SRAF形状延伸经过至少一个方向上的掩模形状的至少一个边缘。

    PHOTOMASK AND METHOD OF MAKING THEREOF
    8.
    发明申请
    PHOTOMASK AND METHOD OF MAKING THEREOF 有权
    照片及其制作方法

    公开(公告)号：US20090087755A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：US11865982

    申请日：2007-10-02

    申请人： Sean D. Burns ,  Michael M. Crouse ,  Dario L. Goldfarb

    发明人： Sean D. Burns ,  Michael M. Crouse ,  Dario L. Goldfarb

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/82 ,  G03F1/50

    摘要： The disclosure is related to photomasks used in photolithography and methods of making photomasks. The method involves providing a transparent substrate with one or more reflective films disposed over a surface of the substrate, applying a photoresist to the solution-contacted reflective film and forming a pattern in the photoresist that is transferred to the substrate, and developing the pattern on the substrate by removing the remaining portions of the photoresist. The substrate carrying the patterned reflective film is then contacted with a solution comprising oxyanions. The disclosure is also related to photomasks made using the disclosed method.

    摘要翻译： 本公开涉及光刻中使用的光掩模和制造光掩模的方法。 该方法包括提供一个透明衬底，一个或多个反射膜设置在衬底的表面上，向溶液接触的反射膜施加光致抗蚀剂并在转移到衬底上的光致抗蚀剂中形成图案，并且在 通过去除光致抗蚀剂的剩余部分来实现。 然后，携带图案化反射膜的基板与含有阴离子的溶液接触。 本公开还涉及使用所公开的方法制造的光掩模。