公开(公告)号：US4779272A

公开(公告)日：1988-10-18

申请号：US923238

申请日：1986-10-27

申请人： Kenji Kohda ,  Tsuyoshi Toyama ,  Nobuaki Ando

发明人： Kenji Kohda ,  Tsuyoshi Toyama ,  Nobuaki Ando

IPC分类号： G11C17/00 ,  G11C16/34 ,  G11C29/00 ,  G11C29/02 ,  G11C29/12 ,  G11C29/50 ,  G01R31/28

CPC分类号： G11C29/025 ,  G11C16/34 ,  G11C29/02 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50004 ,  G06F2201/81 ,  G11C16/04 ,  G11C2029/5006

摘要： A variable-threshold non-volatile memory in which a potential falling between a selection and a non-selection level is applied to the gates and the resultant drain current is measured to determine if one of the transistors has an abnormal threshold voltage.

摘要翻译： 其中将选择和非选择电平之间的电位施加到栅极并测量所得到的漏极电流的可变阈值非易失性存储器，以确定晶体管中的一个是否具有异常阈值电压。

公开(公告)号：US20070129273A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11295859

申请日：2005-12-07

申请人： Philip Clark ,  Nobuaki Ando ,  Paul Rajtar

发明人： Philip Clark ,  Nobuaki Ando ,  Paul Rajtar

IPC分类号： C11D7/32

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D11/04

摘要： Compositions consisting essentially of the reaction product (including unreacted components) obtained by mixing (a) one or more selected fluorinated compounds and (b) one or more selected organic agents and providing in-situ generation of fluoride ions. Also, kits for forming such compositions and methods for using such compositions.

摘要翻译： 基本上由通过混合（a）一种或多种选择的氟化化合物和（b）一种或多种选择的有机试剂并提供原位产生氟离子获得的反应产物（包括未反应的组分）组成的组合物。 而且，用于形成这种组合物的试剂盒和使用这种组合物的方法。

公开(公告)号：US5021999A

公开(公告)日：1991-06-04

申请号：US282456

申请日：1988-12-09

申请人： Kenji Kohda ,  Tsuyoshi Toyama ,  Nobuaki Ando ,  Kenji Noguchi ,  Shinichi Kobayashi

发明人： Kenji Kohda ,  Tsuyoshi Toyama ,  Nobuaki Ando ,  Kenji Noguchi ,  Shinichi Kobayashi

IPC分类号： H01L21/8247 ,  G11C11/56 ,  G11C16/04 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： G11C16/0475 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0458 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/7886 ,  H01L29/7887 ,  G11C2211/5612

摘要： A non-volatile memory cell includes a MOS transistor of double gate construction. The MOS memory transistor includes a floating gate structure which includes electrically separated first and second segmented floating gates (4a; 4b). For the purpose of writing data, electrons are independently injected into the first and second segmented floating gates. Data are stored in the MOS memory transistor in three different non-volatile storage levels; one with electron accumulated either one of the two segmented floating gates; another with electrons injected into both of the segmented floating gates; and still another with no electrons accumulated on both of the segmented floating gates.

摘要翻译： 非易失性存储单元包括双栅结构的MOS晶体管。 MOS存储晶体管包括浮置栅极结构，其包括电分离的第一和第二分段浮置栅极（4a; 4b）。 为了写入数据，电子被独立地注入到第一和第二分段浮动栅极中。 数据以三种不同的非易失性存储级别存储在MOS存储晶体管中; 一个具有电子累积两个分段浮动门之一; 另一个电子注入两个分段浮动门; 而在两个分段的浮动栅极上没有电子的另一个。