公开(公告)号：US09018726B2

公开(公告)日：2015-04-28

申请号：US14118195

申请日：2012-05-04

申请人： Jochen Kraft ,  Ingrid Jonak-Auer ,  Rainer Minixhofer ,  Jordi Teva ,  Herbert Truppe

发明人： Jochen Kraft ,  Ingrid Jonak-Auer ,  Rainer Minixhofer ,  Jordi Teva ,  Herbert Truppe

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/103 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

摘要： The photodiode has a p-type doped region (2) and an n-type doped region (3) in a semiconductor body (1), and a pn junction (4) between the p-type doped region and the n-type doped region. The semiconductor body has a cavity (5) such that the pn junction (4) has a distance (d) of at most 30 μm from the bottom of the cavity (7).

摘要翻译： 光电二极管在半导体本体（1）中具有p型掺杂区域（2）和n型掺杂区域（3），p型掺杂区域和n型掺杂区域之间的pn结（4） 地区。 半导体本体具有空腔（5），使得pn结（4）距离空腔（7）的底部具有至多30μm的距离（d）。

公开(公告)号：US08426936B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12731059

申请日：2010-03-24

申请人： Rainer Minixhofer ,  Sara Carniello ,  Volker Peters

发明人： Rainer Minixhofer ,  Sara Carniello ,  Volker Peters

IPC分类号： H01L43/04 ,  H01L43/14

CPC分类号： H01L43/065 ,  G01R33/07 ,  G01R33/077 ,  H01L43/14

摘要： Through a main surface (10) of a semiconductor substrate (1) of a first type of conductivity, a doped well of a second type of conductivity is implanted to form a sensor region (3) extending perpendicularly to the main surface. The sensor region can be confined laterally by trenches (5) comprising an electrically insulating trench filling (6). The bottom of the sensor region is insulated by a pn-junction (20). Contacts (4) are applied to the main surface and provided for the application of an operation voltage and the measurement of a Hall voltage.

摘要翻译： 通过第一导电类型的半导体衬底（1）的主表面（10），注入第二导电类型的掺杂阱以形成垂直于主表面延伸的传感器区域（3）。 传感器区域可以由包括电绝缘沟槽填充物（6）的沟槽（5）横向约束。 传感器区域的底部由pn结（20）绝缘。 触点（4）被施加到主表面并提供用于施加操作电压和霍尔电压的测量。

公开(公告)号：US07683449B2

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：US10578960

申请日：2004-10-08

申请人： Rainer Minixhofer

发明人： Rainer Minixhofer

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14627 ,  G02B5/1809 ,  H01L27/14647 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/101

摘要： An optoelectronic component that includes a semiconductor device and an optical component is disclosed. The semiconductor device includes at least one radiation-sensitive zone configured to detect electromagnetic radiation. The optical element for focusing is configured to focus the electromagnetic radiation in the at least one radiation-sensitive zone. The optical element includes a diffractive element having structures on the order of magnitude of the wavelength of the electromagnetic radiation.

摘要翻译： 公开了包括半导体器件和光学部件的光电子部件。 半导体器件包括被配置为检测电磁辐射的至少一个辐射敏感区域。 用于聚焦的光学元件被配置为将电磁辐射聚焦在至少一个辐射敏感区域中。 光学元件包括具有在电磁辐射的波长数量级上的结构的衍射元件。

公开(公告)号：US20120104605A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13141687

申请日：2009-11-23

申请人： Karl Ilzer ,  Rainer Minixhofer ,  Mario Manninger

发明人： Karl Ilzer ,  Rainer Minixhofer ,  Mario Manninger

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： A chip design (1) comprising an external supply connection (VBAT), an internal supply connection (VDD), an integrated circuit (2) that is coupled to the internal supply connection (VDD) for voltage supply, and a fuse (3) that electrically connects the internal supply connection (VBAT) and is arranged within the chip design (1).

摘要翻译： 一种芯片设计（1），包括外部电源连接（VBAT），内部电源连接（VDD），耦合到用于电压供应的内部电源连接（VDD）的集成电路（2）和熔丝（3） 电连接内部电源连接（VBAT）并布置在芯片设计（1）内。

公开(公告)号：US20100276811A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12529911

申请日：2008-01-21

申请人： Rainer Minixhofer ,  Verena Vescoli

发明人： Rainer Minixhofer ,  Verena Vescoli

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00014

摘要： At least one terminal contact surface (1) is formed on a topmost metal plane (2). Under it, in a secondmost metal plane (3), is a reinforcement region (8), in which the secondmost metal plane (3) is structured within its two-dimensional extent such that a part of the area of the vertical (with respect to the metal plane) projection of the terminal contact surface (1) onto the secondmost metal plane (3) that is occupied by the metal of the secondmost metal plane (3) amounts to at least one third of the area.

摘要翻译： 至少一个端子接触表面（1）形成在最上面的金属平面（2）上。 在其下方，在第二金属平面（3）中，是加强区域（8），其中第二金属平面（3）在其二维范围内构成，使得垂直区域的一部分（相对于 端子接触表面（1）的金属平面投影到由第二金属平面（3）的金属占据的第二金属平面（3）上，至少占该区域的三分之一。

公开(公告)号：US07820342B2

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：US11792464

申请日：2005-11-03

申请人： Martin Knaipp ,  Rainer Minixhofer ,  Martin Schrems

发明人： Martin Knaipp ,  Rainer Minixhofer ,  Martin Schrems

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： H01L21/266

摘要： In order to produce doping regions (DG) in a substrate (S) having different dopings with the aid of a single mask (DM) different mask regions are provided which have elongated mask openings (MO) having different orientations relative to the spatial direction of an oblique implantation. The substrate is rotated between the first and second oblique implantations, wherein during the first oblique implantation maximum and minimum shadings in the different mask regions are opposite one another and the conditions are precisely reversed during the second oblique implantation after the rotation of the substrate.

摘要翻译： 为了借助于单个掩模（DM）在不同掺杂物的衬底（S）中产生掺杂区域（DG），提供不同的掩模区域，其具有相对于空间方向具有不同取向的细长掩模开口（MO） 倾斜植入。 衬底在第一和第二倾斜注入之间旋转，其中在第一倾斜注入期间，不同掩模区域中的最大和最小阴影彼此相反，并且在衬底旋转之后的第二倾斜注入期间，条件被精确地反转。

公开(公告)号：US20090098718A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US11792464

申请日：2005-11-03

申请人： Martin Knaipp ,  Rainer Minixhofer ,  Martin Schrems

发明人： Martin Knaipp ,  Rainer Minixhofer ,  Martin Schrems

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L21/266

摘要： In order to produce doping regions (DG) in a substrate (S) having different dopings with the aid of a single mask (DM) different mask regions are provided which have elongated mask openings (MO) having different orientations relative to the spatial direction of an oblique implantation. The substrate is rotated between the first and second oblique implantations, wherein during the first oblique implantation maximum and minimum shadings in the different mask regions are opposite one another and the conditions are precisely reversed during the second oblique implantation after the rotation of the substrate.

摘要翻译： 为了借助于单个掩模（DM）在不同掺杂物的衬底（S）中产生掺杂区域（DG），提供不同的掩模区域，其具有相对于空间方向具有不同取向的细长掩模开口（MO） 倾斜植入。 衬底在第一和第二倾斜注入之间旋转，其中在第一倾斜注入期间，不同掩模区域中的最大和最小阴影彼此相反，并且在衬底旋转之后的第二倾斜注入期间，条件被精确地反转。

公开(公告)号：US08969961B2

公开(公告)日：2015-03-03

申请号：US12742219

申请日：2008-11-07

申请人： Jong Mun Park ,  Verena Vescoli ,  Rainer Minixhofer

发明人： Jong Mun Park ,  Verena Vescoli ,  Rainer Minixhofer

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

摘要： A semiconductor body (10) comprises a field-effect transistor (11). The field-effect transistor (11) comprises a drain region (12) of a first conduction type, a source region (13) of the first conduction type, a drift region (16) and a channel region (14) of a second conduction type which is opposite to the first conduction type. The drift region (16) comprises at least two stripes (15, 32) of the first conduction type which extend from the drain region (12) in a direction towards the source region (13). The channel region (14) is arranged between the drift region (16) and the source region (13).

摘要翻译： 半导体本体（10）包括场效应晶体管（11）。 场效应晶体管（11）包括第一导电类型的漏极区域（12），第一导电类型的源极区域（13），漂移区域（16）和第二导电类型的沟道区域（14） 类型与第一导电类型相反。 漂移区域（16）包括沿着朝向源极区域（13）的方向从漏极区域（12）延伸的至少两个第一导电类型的条纹（15,32）。 沟道区域（14）布置在漂移区域（16）和源极区域（13）之间。

公开(公告)号：US08013450B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US12529911

申请日：2008-01-21

申请人： Rainer Minixhofer ,  Verena Vescoli

发明人： Rainer Minixhofer ,  Verena Vescoli

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00014

摘要： At least one terminal contact surface (1) is formed on a topmost metal plane (2). Under it, in a secondmost metal plane (3), is a reinforcement region (8), in which the secondmost metal plane (3) is structured within its two-dimensional extent such that a part of the area of the vertical (with respect to the metal plane) projection of the terminal contact surface (1) onto the secondmost metal plane (3) that is occupied by the metal of the secondmost metal plane (3) amounts to at least one third of the area.

摘要翻译： 至少一个端子接触表面（1）形成在最上面的金属平面（2）上。 在其下方，在第二金属平面（3）中，是加强区域（8），其中第二金属平面（3）在其二维范围内构成，使得垂直区域的一部分（相对于 端子接触表面（1）的金属平面投影到由第二金属平面（3）的金属占据的第二金属平面（3）上，至少占该区域的三分之一。

公开(公告)号：US20100308404A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12742219

申请日：2008-11-07

申请人： Jong Mun Park ,  Verena Vescoli ,  Rainer Minixhofer

发明人： Jong Mun Park ,  Verena Vescoli ,  Rainer Minixhofer

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

摘要： A semiconductor body (10) comprises a field-effect transistor (11). The field-effect transistor (11) comprises a drain region (12) of a first conduction type, a source region (13) of the first conduction type, a drift region (16) and a channel region (14) of a second conduction type which is opposite to the first conduction type. The drift region (16) comprises at least two stripes (15, 32) of the first conduction type which extend from the drain region (12) in a direction towards the source region (13). The channel region (14) is arranged between the drift region (16) and the source region (13).

摘要翻译： 半导体本体（10）包括场效应晶体管（11）。 场效应晶体管（11）包括第一导电类型的漏极区域（12），第一导电类型的源极区域（13），漂移区域（16）和第二导电类型的沟道区域（14） 类型与第一导电类型相反。 漂移区域（16）包括沿着朝向源极区域（13）的方向从漏极区域（12）延伸的至少两个第一导电类型的条纹（15,32）。 沟道区域（14）布置在漂移区域（16）和源极区域（13）之间。