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    Method and system for introduction of an active material to a chemical process
    2.
    发明授权
    Method and system for introduction of an active material to a chemical process 有权
    向化学工艺引入活性物质的方法和系统

    公开(公告)号：US08580075B2

    公开(公告)日：2013-11-12

    申请号：US13451685

    申请日：2012-04-20

    申请人： John A. Hughes ,  Sandra Hyland ,  Ralph Kim

    发明人： John A. Hughes ,  Sandra Hyland ,  Ralph Kim

    IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/00

    CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01J37/3244 ,  Y10T428/1352 ,  Y10T428/1372 ,  Y10T428/1376

    摘要： A method and system of for introducing an active material to a chemical process in which a processing element including a passive component and an active element is installed within the system and exposed to a chemical process performed within the system. As the chemical process proceeds, the passive component erodes and thereby exposes the active component embedded therein. The introduction of the active component to the chemical process alters the chemical process.

    摘要翻译： 一种用于将活性材料引入到化学过程中的方法和系统，其中包括无源部件和有源元件的处理元件安装在系统内并暴露于在系统内执行的化学过程。 随着化学过程的进行，被动元件侵蚀并从而暴露嵌入其中的有源元件。 化学工艺中的活性成分的引入改变了化学过程。

    Method and apparatus for bilayer photoresist dry development
    3.
    发明授权
    Method and apparatus for bilayer photoresist dry development 失效
    用于双层光致抗蚀剂干式显影的方法和装置

    公开(公告)号：US07465673B2

    公开(公告)日：2008-12-16

    申请号：US10736782

    申请日：2003-12-17

    申请人： Yoshiki Igarashi ,  Kouichiro Inazawa ,  Kimihiro Higuchi ,  Vaidyanathan Balasubramaniam ,  Eiichi Nishimura ,  Ralph Kim ,  Philip Sansone ,  Masaaki Hagihara

    发明人： Yoshiki Igarashi ,  Kouichiro Inazawa ,  Kimihiro Higuchi ,  Vaidyanathan Balasubramaniam ,  Eiichi Nishimura ,  Ralph Kim ,  Philip Sansone ,  Masaaki Hagihara

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/31138 ,  G03F7/091 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

    摘要： A method for etching an organic anti-reflective coating (ARC) layer on a substrate in a plasma processing system comprising: introducing a process gas comprising nitrogen (N), hydrogen (H), and oxygen (O); forming a plasma from the process gas; and exposing the substrate to the plasma. The process gas can, for example, constitute an NH3/O2, N2/H2/O2, N2/H2/CO, NH3/CO, or NH3/CO/O2 based chemistry. Additionally, the process chemistry can further comprise the addition of helium. The present invention further presents a method for forming a bilayer mask for etching a thin film on a substrate, wherein the method comprises: forming the thin film on the substrate; forming an ARC layer on the thin film; forming a photoresist pattern on the ARC layer; and transferring the photoresist pattern to the ARC layer with an etch process using a process gas comprising nitrogen (N), hydrogen (H), and oxygen (O).

    摘要翻译： 一种用于在等离子体处理系统中蚀刻衬底上的有机抗反射涂层（ARC）层的方法，包括：引入包含氮（N），氢（H）和氧（O）的工艺气体; 从工艺气体形成等离子体; 并将衬底暴露于等离子体。 工艺气体可以例如构成基于NH 3 / O 2，N 2 / H 2 / O 2，N 2 / H 2 / CO，NH 3 / CO或NH 3 / CO / O 2的化学。 另外，工艺化学可以进一步包括添加氦。 本发明还提供一种用于形成用于在衬底上蚀刻薄膜的双层掩模的方法，其中所述方法包括：在所述衬底上形成所述薄膜; 在薄膜上形成ARC层; 在ARC层上形成光刻胶图案; 以及使用包含氮（N），氢（H）和氧（O）的工艺气体的蚀刻工艺将光致抗蚀剂图案转移到ARC层。

    Method and system for introduction of an active material to a chemical process
    4.
    发明申请
    Method and system for introduction of an active material to a chemical process 审中-公开
    向化学工艺引入活性物质的方法和系统

    公开(公告)号：US20050067098A1

    公开(公告)日：2005-03-31

    申请号：US10673376

    申请日：2003-09-30

    申请人： John Hughes ,  Sandra Hyland ,  Ralph Kim

    发明人： John Hughes ,  Sandra Hyland ,  Ralph Kim

    IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01J37/3244 ,  Y10T428/1352 ,  Y10T428/1372 ,  Y10T428/1376

    摘要： A method and system of for introducing an active material to a chemical process in which a processing element including a passive component and an active element is installed within the system and exposed to a chemical process performed within the system. As the chemical process proceeds, the passive component erodes and thereby exposes the active component embedded therein. The introduction of the active component to the chemical process alters the chemical process.

    摘要翻译： 一种用于将活性材料引入到化学过程中的方法和系统，其中包括无源部件和有源元件的处理元件安装在系统内并暴露于在系统内执行的化学过程。 随着化学过程的进行，被动元件侵蚀并从而暴露嵌入其中的有源元件。 化学工艺中的活性成分的引入改变了化学过程。