公开(公告)号：US08394231B2

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US11656379

申请日：2007-01-23

申请人： Koichi Takatsuki ,  Hikaru Yoshitaka ,  Shigeo Ashigaki ,  Yoichi Inoue ,  Takashi Akahori ,  Shuuichi Ishizuka ,  Syoichi Abe ,  Takashi Suzuki ,  Kohei Kawamura ,  Hidenori Miyoshi ,  Gishi Chung ,  Yasuhiro Oshima ,  Hiroyuki Takahashi

发明人： Koichi Takatsuki ,  Hikaru Yoshitaka ,  Shigeo Ashigaki ,  Yoichi Inoue ,  Takashi Akahori ,  Shuuichi Ishizuka ,  Syoichi Abe ,  Takashi Suzuki ,  Kohei Kawamura ,  Hidenori Miyoshi ,  Gishi Chung ,  Yasuhiro Oshima ,  Hiroyuki Takahashi

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/00 ,  H05H1/24 ,  H01J7/24

CPC分类号： H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541

摘要： That surface of an electrode plate 20 which is opposite to a susceptor 10 has a projection shape. The electrode plate 20 is fitted in an opening 26a of shield ring 26 at a projection 20a. At this time, the thickness of the projection 20a is approximately the same as the thickness of the shield ring 26. Accordingly, the electrode plate 20 and the shield ring 26 form substantially the same plane. The major surface of the projection 20a has a diameter 1.2 to 1.5 times the diameter of a wafer W. The electrode plate 20 is formed of, for example, SiC.

摘要翻译： 与基座10相对的电极板20的表面具有突出形状。 电极板20在突起20a处嵌合在屏蔽环26的开口26a中。 此时，突起20a的厚度与屏蔽环26的厚度大致相同。因此，电极板20和屏蔽环26形成大致相同的平面。 突起20a的主表面的直径为晶片W的直径的1.2〜1.5倍。电极板20例如由SiC形成。

公开(公告)号：US20070131171A1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：US11656379

申请日：2007-01-23

申请人： Koichi Takatsuki ,  Hikaru Yoshitaka ,  Shigeo Ashigaki ,  Yoichi Inoue ,  Takashi Akahori ,  Shuuichi Ishizuka ,  Syoichi Abe ,  Takashi Suzuki ,  Kohei Kawamura ,  Hidenori Miyoshi ,  Gishi Chung ,  Yasuhiro Oshima ,  Hiroyuki Takahashi

发明人： Koichi Takatsuki ,  Hikaru Yoshitaka ,  Shigeo Ashigaki ,  Yoichi Inoue ,  Takashi Akahori ,  Shuuichi Ishizuka ,  Syoichi Abe ,  Takashi Suzuki ,  Kohei Kawamura ,  Hidenori Miyoshi ,  Gishi Chung ,  Yasuhiro Oshima ,  Hiroyuki Takahashi

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541

摘要： That surface of an electrode plate 20 which is opposite to a susceptor 10 has a projection shape. The electrode plate 20 is fitted in an opening 26a of shield ring 26 at a projection 20a. At this time, die thickness of the projection 20a is approximately the same as the thickness of the shield ring 26. Accordingly, the electrode plate 20 and the shield ring 26 form substantially the same plane. The major surface of the projection 20a has a diameter 1.2 to 1.5 times the diameter of a wafer W. The electrode plate 20 is formed of, for example, SiC.

摘要翻译： 与基座10相对的电极板20的表面具有突起形状。 电极板20在突出部20a安装在屏蔽环26的开口26a中。 此时，突出部20a的芯片厚度与屏蔽环26的厚度大致相同。因此，电极板20和屏蔽环26形成大致相同的平面。 突起部20a的主表面的直径为晶片W的直径的1.2〜1.5倍。电极板20例如由SiC形成。

公开(公告)号：US20070158027A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：US11702075

申请日：2007-02-05

申请人： Makoto Aoki ,  Hikaru Yoshitaka ,  Yoshihiro Kato ,  Shigeo Ashigaki ,  Syoichi Abe

发明人： Makoto Aoki ,  Hikaru Yoshitaka ,  Yoshihiro Kato ,  Shigeo Ashigaki ,  Syoichi Abe

IPC分类号： C23F1/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01J37/32623 ,  H01J37/32633

摘要： In a parallel plate type plasma processing apparatus (1), a baffle plate (28) is fitted between a ceiling (2b) and side wall (2a) of a chamber (2). The baffle plate (28) confines plasma into the upper portion of the chamber (2), and at the same time, constitutes a return route of a return current to a high frequency power source (27). A return current flowing through the baffle plate (28) returns to the high frequency power source (27) via the ceiling (2b) of the chamber (2).

摘要翻译： 在平行板式等离子体处理装置（1）中，挡板（28）装配在室（2）的顶板（2b）和侧壁（2a）之间。 挡板（28）将等离子体限制在室（2）的上部，并且同时构成返回电流返回到高频电源（27）的返回路径。 流经挡板（28）的回流电流通过腔室（2）的顶板（2b）返回到高频电源（27）。