公开(公告)号：US20090162551A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US11963068

申请日：2007-12-21

申请人： Thomas Zilbauer ,  Ignaz Eisele ,  Jan Matusche ,  Ursula Ingeborg Schmidt

发明人： Thomas Zilbauer ,  Ignaz Eisele ,  Jan Matusche ,  Ursula Ingeborg Schmidt

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4407 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/45525

摘要： A method and apparatus for performing ALD deposition of hafnium oxide on a substrate is provided. The apparatus includes a process chamber, a precursor delivery subsystem, an oxidizer delivery subsystem, a purge gas subsystem, a solvent flush subsystem, and optional solvent recovery and purification subsystems. The method includes pulsing precursor compounds into the process chamber in sequence. While one precursor is pulsed, purge gas is provided through the other precursor line. After pulsing, precursor lines are purged, and the chamber is evacuated and purged. A solvent flush step is employed to remove precursor deposits that build up in piping over time.

摘要翻译： 提供了一种用于在衬底上进行氧化铪沉积的方法和装置。 该设备包括处理室，前体递送子系统，氧化剂递送子系统，吹扫气体子系统，溶剂冲洗子系统和任选的溶剂回收和纯化子系统。 该方法包括依次将前体化合物脉冲化成工艺室。 当一个前体被脉冲时，通过另一个前体管线提供净化气体。 在脉冲之后，将前体管线清除，并将室抽真空并吹扫。 使用溶剂冲洗步骤来去除在管道中随时间累积的前体沉积物。

公开(公告)号：US20120285522A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13468915

申请日：2012-05-10

申请人： Elisabeth Sommer ,  Philipp Obermeyer ,  Thomas Zilbauer ,  Inge Vermeir ,  Daniel Severin ,  Niels Kuhr ,  Markus Kress ,  Christof Kurthen ,  Ursula Ingeborg Schmidt ,  Stefan Klein ,  Susanne Buschbaum ,  Konrad Schwanitz ,  Christian Stoemmer ,  Tobias Stolley ,  Martin Rohde ,  Andreas Rembeck

发明人： Elisabeth Sommer ,  Philipp Obermeyer ,  Thomas Zilbauer ,  Inge Vermeir ,  Daniel Severin ,  Niels Kuhr ,  Markus Kress ,  Christof Kurthen ,  Ursula Ingeborg Schmidt ,  Stefan Klein ,  Susanne Buschbaum ,  Konrad Schwanitz ,  Christian Stoemmer ,  Tobias Stolley ,  Martin Rohde ,  Andreas Rembeck

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/076 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC分类号： H01L31/1884 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

摘要： Method of depositing a TCO layer on a substrate, of depositing precursors of a solar cell and precursors of a solar cell are described. The methods includes DC sputtering a ZnO-containing transparent conductive oxide layer over the substrate, the substrate having a size of 1.4 m2 or above and texturing the ZnO-containing transparent conductive oxide layer, wherein the textured ZnO-containing transparent conductive oxide layer has a root means square roughness of 60 nm or below.

摘要翻译： 描述了在衬底上沉积TCO层，沉积太阳能电池的前体和太阳能电池的前体的方法。 所述方法包括在衬底上溅射含ZnO的透明导电氧化物层，所述衬底具有1.4m 2或更大的尺寸，并对含ZnO的透明导电氧化物层进行纹理化，其中织构化的含ZnO透明导电氧化物层具有 根是指60nm以下的平方粗糙度。

公开(公告)号：US08016945B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US11963068

申请日：2007-12-21

申请人： Thomas Zilbauer ,  Ignaz Eisele ,  Jan Matusche ,  Ursula Ingeborg Schmidt

发明人： Thomas Zilbauer ,  Ignaz Eisele ,  Jan Matusche ,  Ursula Ingeborg Schmidt

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/4407 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/45525

摘要： A method and apparatus for performing ALD deposition of hafnium oxide on a substrate is provided. The apparatus includes a process chamber, a precursor delivery subsystem, an oxidizer delivery subsystem, a purge gas subsystem, a solvent flush subsystem, and optional solvent recovery and purification subsystems. The method includes pulsing precursor compounds into the process chamber in sequence. While one precursor is pulsed, purge gas is provided through the other precursor line. After pulsing, precursor lines are purged, and the chamber is evacuated and purged. A solvent flush step is employed to remove precursor deposits that build up in piping over time.

摘要翻译： 提供了一种用于在衬底上进行氧化铪沉积的方法和装置。 该设备包括处理室，前体递送子系统，氧化剂递送子系统，吹扫气体子系统，溶剂冲洗子系统和任选的溶剂回收和纯化子系统。 该方法包括依次将前体化合物脉冲化成工艺室。 当一个前体被脉冲时，通过另一个前体管线提供净化气体。 在脉冲之后，将前体管线清除，并将室抽真空并吹扫。 使用溶剂冲洗步骤来去除在管道中随时间累积的前体沉积物。