公开(公告)号：US07432207B2

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US10486363

申请日：2002-06-10

申请人： Takashi Fuse ,  Kiwamu Fujimoto ,  Tomoyo Yamaguchi

发明人： Takashi Fuse ,  Kiwamu Fujimoto ,  Tomoyo Yamaguchi

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

摘要： An object to be processed has a structure having an SiC film and an organic Si-low dielectric constant film formed on the SiC film. The SiC film is etched using a plasma produced from an etching gas and using the organic Si low-dielectric constant film as a mask. The etching gas contains CH2F2 or CH3F.

摘要翻译： 被处理物体具有在SiC膜上形成有SiC膜和有机Si型低介电常数膜的结构。 使用由蚀刻气体产生的等离子体并使用有机Si低介电常数膜作为掩模蚀刻SiC膜。 蚀刻气体含有CH 2 2 F 2 CH 3或CH 3 F。

公开(公告)号：US20070111530A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11620501

申请日：2007-01-05

申请人： TAKASHI FUSE ,  Kiwamu Fujimoto ,  Tomoyo Yamaguchi

发明人： TAKASHI FUSE ,  Kiwamu Fujimoto ,  Tomoyo Yamaguchi

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

摘要： An object to be process has a structure having an SiC film 61 and an organic Si-low dielectric constant film 62 formed on the SiC film 61. The SiC film 61 is etched using a plasma produced from an etching gas and using the organic Si low-dielectric constant film 62 as a mask. The etching gas contains CH2F2 or CH3F.

摘要翻译： 要处理的对象具有在SiC膜61上形成的具有SiC膜61和有机Si-低介电常数膜62的结构。使用由蚀刻气体产生的等离子体并使用有机Si低 - 介电常数膜62作为掩模。 蚀刻气体含有CH 2 2 F 2 CH 3或CH 3 F。

公开(公告)号：US07115519B2

公开(公告)日：2006-10-03

申请号：US10684502

申请日：2003-10-15

申请人： Tomoyo Yamaguchi

发明人： Tomoyo Yamaguchi

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01L21/31116

摘要： A method for plasma treatment etches an SiC layer with an increased etching rate and enhanced selectivities of SiC with respect to SiO2 and an organic layer. An etching gas is converted into plasma to etch SiC. The etching gas may include CHF3; CHF3 and N2, for example, a mixed gas of CHF3, N2 and Ar; or a material having C, H and F and a material having N but without any material having O.

摘要翻译： 等离子体处理的方法蚀刻具有增加的蚀刻速率的SiC层和提高SiC相对于SiO 2和有机层的选择性。 将蚀刻气体转化为等离子体以蚀刻SiC。 蚀刻气体可以包括CHF 3 N 3; CHF 3 N和N 2，例如CHF 3 N 2，N 2和Ar的混合气体; 或具有C，H和F的材料，以及具有N但不含任何材料的材料。

公开(公告)号：US07473377B2

公开(公告)日：2009-01-06

申请号：US10959152

申请日：2004-10-07

申请人： Tomoyo Yamaguchi ,  Takashi Fuse ,  Kiwamu Fujimoto ,  Masanobu Honda ,  Kazuya Nagaseki ,  Akiteru Koh ,  Takashi Enomoto ,  Hiroharu Ito ,  Akinori Kitamura

发明人： Tomoyo Yamaguchi ,  Takashi Fuse ,  Kiwamu Fujimoto ,  Masanobu Honda ,  Kazuya Nagaseki ,  Akiteru Koh ,  Takashi Enomoto ,  Hiroharu Ito ,  Akinori Kitamura

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： G03F7/091 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312

摘要： A plasma processing method includes a step of preparing a process subject having an organic layer on a surface thereof, and a step of irradiating the process subject with H2 plasma to improve plasma resistance of the organic layer.

摘要翻译： 等离子体处理方法包括制备其表面上具有有机层的工艺对象的步骤，以及用H 2等离子体照射工艺对象以提高有机层的等离子体电阻的步骤。

公开(公告)号：US20050103748A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：US10959152

申请日：2004-10-07

申请人： Tomoyo Yamaguchi ,  Takashi Fuse ,  Kiwamu Fujimoto ,  Masanobu Honda ,  Kazuya Nagaseki ,  Akiteru Koh ,  Takashi Enomoto ,  Hiroharu Ito ,  Akinori Kitamura

发明人： Tomoyo Yamaguchi ,  Takashi Fuse ,  Kiwamu Fujimoto ,  Masanobu Honda ,  Kazuya Nagaseki ,  Akiteru Koh ,  Takashi Enomoto ,  Hiroharu Ito ,  Akinori Kitamura

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/312 ,  C23F1/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312

摘要： A plasma processing method includes a step of preparing a process subject having an organic layer on a surface thereof, and a step of irradiating the process subject with H2 plasma to improve plasma resistance of the organic layer.

摘要翻译： 等离子体处理方法包括在其表面上制备具有有机层的工艺对象的步骤，以及用H 2 O 3等离子体照射工艺对象以提高有机层的等离子体电阻的步骤。

公开(公告)号：US07507673B2

公开(公告)日：2009-03-24

申请号：US11620501

申请日：2007-01-05

申请人： Takashi Fuse ,  Kiwamu Fujimoto ,  Tomoyo Yamaguchi

发明人： Takashi Fuse ,  Kiwamu Fujimoto ,  Tomoyo Yamaguchi

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

摘要： An object to be process has a structure having an SiC film 61 and an organic Si-low dielectric constant film 62 formed on the SiC film 61. The SiC film 61 is etched using a plasma produced from an etching gas and using the organic Si low-dielectric constant film 62 as a mask. The etching gas contains CH2F2 or CH3F.

摘要翻译： 要处理的对象具有在SiC膜61上形成的具有SiC膜61和有机Si-低介电常数膜62的结构。使用由蚀刻气体产生的等离子体并使用有机Si低 - 介电常数膜62作为掩模。 蚀刻气体含有CH2F2或CH3F。

公开(公告)号：US20050101140A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10949366

申请日：2004-09-27

申请人： Tomoyo Yamaguchi ,  Kiwamu Fujimoto ,  Akinori Kitamura ,  Jae Jeong ,  Takashi Fuse ,  Machiko Obi ,  Nobuhiro Wada

发明人： Tomoyo Yamaguchi ,  Kiwamu Fujimoto ,  Akinori Kitamura ,  Jae Jeong ,  Takashi Fuse ,  Machiko Obi ,  Nobuhiro Wada

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32165

摘要： A plasma etching method includes the steps of exciting an etching gas introduced in a processing vessel into a plasma, the etching gas including 1,1,1,4,4,5,5,5-octafluoro-2-pentyne, and carrying out a plasma etching on a film on a target object accommodated in the processing vessel via opening patterns of a resist mask on the film. Therefore, it is possible to perform plasma etching having a high selectivity to resist and/or suppressing the etch stop.

摘要翻译： 等离子体蚀刻方法包括以下步骤：将在处理容器中引入的蚀刻气体激发成等离子体，蚀刻气体包括1,1,1,4,4,5,5,5-八氟-2-戊炔，并进行 通过膜上的抗蚀剂掩模的开口图案对容纳在处理容器中的目标物体上的膜上的等离子体蚀刻。 因此，可以进行具有高抗蚀性和/或抑制蚀刻停止的高选择性的等离子体蚀刻。