公开(公告)号：US08994002B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US13422531

申请日：2012-03-16

申请人： Yi-Jing Lee ,  You-Ru Lin ,  Cheng-Tien Wan ,  Cheng-Hsien Wu ,  Chih-Hsin Ko

发明人： Yi-Jing Lee ,  You-Ru Lin ,  Cheng-Tien Wan ,  Cheng-Hsien Wu ,  Chih-Hsin Ko

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/772 ,  H01L21/335 ,  H01L29/10 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785

摘要： A fin field effect transistor (FinFET) device is provided. The FinFET includes a superlattice layer and a strained layer. The superlattice layer is supported by a substrate. The strained layer is disposed on the superlattice layer and provides a gate channel. The gate channel is stressed by the superlattice layer. In an embodiment, the superlattice layer is formed by stacking different silicon germanium alloys or stacking other III-V semiconductor materials.

摘要翻译： 提供了鳍状场效应晶体管（FinFET）器件。 FinFET包括超晶格层和应变层。 超晶格层由衬底支撑。 应变层设置在超晶格层上并提供栅极通道。 栅极通道被超晶格层压制。 在一个实施例中，超晶格层通过堆叠不同的硅锗合金或堆叠其它III-V半导体材料形成。

公开(公告)号：US08815712B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13414357

申请日：2012-03-07

申请人： Cheng-Tien Wan ,  You-Ru Lin ,  Yi-Jing Lee ,  Cheng-Hsien Wu ,  Chih-Hsin Ko ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Cheng-Tien Wan ,  You-Ru Lin ,  Yi-Jing Lee ,  Cheng-Hsien Wu ,  Chih-Hsin Ko ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/36 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

摘要： A treatment is performed on a surface of a first semiconductor region, wherein the treatment is performed using process gases including an oxygen-containing gas and an etching gas for etching the semiconductor material. An epitaxy is performed to grow a second semiconductor region on the surface of the first semiconductor region.

摘要翻译： 在第一半导体区域的表面上进行处理，其中使用包括含氧气体和用于蚀刻半导体材料的蚀刻气体的处理气体进行处理。 进行外延以在第一半导体区域的表面上生长第二半导体区域。

公开(公告)号：US08742509B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13410073

申请日：2012-03-01

申请人： Yi-Jing Lee ,  You-Ru Lin ,  Cheng-Tien Wan ,  Cheng-Hsien Wu ,  Chih-Hsin Ko

发明人： Yi-Jing Lee ,  You-Ru Lin ,  Cheng-Tien Wan ,  Cheng-Hsien Wu ,  Chih-Hsin Ko

IPC分类号： H01L21/70

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/7853

摘要： A FinFET comprises an isolation region formed in a substrate, a cloak-shaped active region formed over the substrate, wherein the cloak-shaped active region has an upper portion protruding above a top surface of the isolation region. In addition, the FinFET comprises a gate electrode wrapping the channel of the cloak-shaped active region.

摘要翻译： FinFET包括形成在衬底中的隔离区域，形成在衬底上的斗篷形有源区域，其中斗篷形有源区域具有突出于隔离区域顶表面上方的上部。 此外，FinFET包括包围斗篷形有源区的通道的栅电极。

公开(公告)号：US20130171792A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13414357

申请日：2012-03-07

申请人： Cheng-Tien Wan ,  You-Ru Lin ,  Yi-Jing Lee ,  Cheng-Hsien Wu ,  Chih-Hsin Ko ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Cheng-Tien Wan ,  You-Ru Lin ,  Yi-Jing Lee ,  Cheng-Hsien Wu ,  Chih-Hsin Ko ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

摘要： A treatment is performed on a surface of a first semiconductor region, wherein the treatment is performed using process gases including an oxygen-containing gas and an etching gas for etching the semiconductor material. An epitaxy is performed to grow a second semiconductor region on the surface of the first semiconductor region.

摘要翻译： 在第一半导体区域的表面上进行处理，其中使用包括含氧气体和用于蚀刻半导体材料的蚀刻气体的处理气体进行处理。 进行外延以在第一半导体区域的表面上生长第二半导体区域。

公开(公告)号：US20130228875A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：US13410073

申请日：2012-03-01

申请人： Yi-Jing Lee ,  You-Ru Lin ,  Cheng-Tien Wan ,  Cheng-Hsien Wu ,  Chih-Hsin Ko

发明人： Yi-Jing Lee ,  You-Ru Lin ,  Cheng-Tien Wan ,  Cheng-Hsien Wu ,  Chih-Hsin Ko

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/7853

摘要： A FinFET comprises an isolation region formed in a substrate, a cloak-shaped active region formed over the substrate, wherein the cloak-shaped active region has an upper portion protruding above a top surface of the isolation region. In addition, the FinFET comprises a gate electrode wrapping the channel of the cloak-shaped active region.

公开(公告)号：US20130240836A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13422531

申请日：2012-03-16

申请人： Yi-Jing Lee ,  You-Ru Lin ,  Cheng-Tien Wan ,  Cheng-Hsien Wu ,  Chih-Hsin Ko

发明人： Yi-Jing Lee ,  You-Ru Lin ,  Cheng-Tien Wan ,  Cheng-Hsien Wu ,  Chih-Hsin Ko

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785

摘要： A fin field effect transistor (FinFET) device is provided. The FinFET includes a superlattice layer and a strained layer. The superlattice layer is supported by a substrate. The strained layer is disposed on the superlattice layer and provides a gate channel. The gate channel is stressed by the superlattice layer. In an embodiment, the superlattice layer is formed by stacking different silicon germanium alloys or stacking other III-V semiconductor materials.