公开(公告)号：US5449800A

公开(公告)日：1995-09-12

申请号：US363814

申请日：1994-12-27

申请人： Shigeru Shimada ,  Yuko Uchimaru ,  Masato Tanaka

发明人： Shigeru Shimada ,  Yuko Uchimaru ,  Masato Tanaka

IPC分类号： C07F7/08 ,  C07F7/14 ,  C08G77/60 ,  C07F7/10

CPC分类号： C08G77/60 ,  C07F7/0809 ,  C07F7/14

摘要： There is disclosed a method for effectively producing a silicon-containing pentacyclic compound, wherein the method comprises reacting (a) a 1,2-bis(hydrosilyl)benzene with (b) a cyclic diyne in the presence of (c) a platinum compound. There is also disclosed a method for effectively producing a silicon-containing ladder polymer having a complete ladder structure, wherein the method comprises reacting (a) a 1,2,4,5-tetrakis(hydrosilyl)benzene with (b) a cyclic diyne in the presence of (c) a platinum compound.

摘要翻译： 公开了一种有效生产含硅五环化合物的方法，其中所述方法包括在（c）铂化合物存在下使（a）1,2-双（氢化硅烷基）苯与（b）环状二炔反应 。 还公开了一种有效地制备具有完全梯形结构的含硅梯形聚合物的方法，其中所述方法包括使（a）1,2,4,5-四（氢化硅烷基）苯与（b）环状二炔 在（c）铂化合物的存在下。

公开(公告)号：US20090240017A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12475849

申请日：2009-06-01

申请人： Hiroshi MATSUTANI ,  Makoto KAJI ,  Koichi ABE ,  Yuko UCHIMARU

发明人： Hiroshi MATSUTANI ,  Makoto KAJI ,  Koichi ABE ,  Yuko UCHIMARU

IPC分类号： C08G79/08

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C08G79/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663

摘要： Interlayer insulating films 5,7 (insulating films) provided in a memory capacitor cell 8 are formed between a gate electrode 3 and a counter electrode 8C formed on a silicon wafer 1. The interlayer insulating films 5,7 comprise a borazine-based resin, having a specific dielectric constant of no greater than 2.6, a Young's modulus of 5 GPa or greater and a leak current of no greater than 1×10−8 A/cm2.

摘要翻译： 设置在存储电容器单元8中的层间绝缘膜5,7（绝缘膜）形成在形成在硅晶片1上的栅电极3和对电极8C之间。层间绝缘膜5,7包括环硼氮烷基树脂， 具有不大于2.6的比介电常数，5GPa或更大的杨氏模量和不大于1×10 -8 A / cm 2的泄漏电流。

公开(公告)号：US06924545B2

公开(公告)日：2005-08-02

申请号：US10093406

申请日：2002-03-11

申请人： Yuko Uchimaru ,  Masami Inoue

发明人： Yuko Uchimaru ,  Masami Inoue

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/312 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L23/58 ,  H01L29/40 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  C08G79/08

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/3121 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A low-dielectric-constant interlayer insulating film, which is composed of at least one selected from the group consisting of: (i) a low-dielectric-constant borazine-silicon-based polymer substance obtainable by reaction of, in the presence of a platinum catalyst, B,B′,B″-triethynyl-N,N′,N″-trimethylborazine with a specific silicon compound having at least two hydrosilyl groups; and (ii) a low-dielectric-constant borazine-silicon-based polymer substance obtainable by reaction of, in the presence of a platinum catalyst, B,B′,B″-triethynyl-N,N′,N″-trimethylborazine with a specific cyclic silicon compound having at least two hydrosilyl groups. A semiconductor device, which has the low-dielectric-constant interlayer insulating film. A low-refractive-index material, which is composed of the polymer substance (i) and/or (ii).

摘要翻译： 一种低介电常数的层间绝缘膜，其由选自以下的至少一种组成：（i）低介电常数的环硼氮烷基聚合物物质，可通过在 铂催化剂，B，B'，B“ - 三乙炔基-N，N'，N” - 三甲基硼嗪与具有至少两个氢化甲硅烷基的特定硅化合物; 和（ii）通过在铂催化剂存在下，通过使B，B'，B“ - 三乙炔基-N，N'，N” - 烷基化合物反应得到的低介电常数的环硼氮烷基聚合物物质， 三甲基硼嗪与具有至少两个氢化甲硅烷基的特定环状硅化合物。 具有低介电常数层间绝缘膜的半导体器件。 由聚合物（i）和/或（ii）组成的低折射率材料。

公开(公告)号：US20110313122A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US13219342

申请日：2011-08-26

申请人： Hiroshi MATSUTANI ,  Makoto Kaji ,  Koichi Abe ,  Yuko Uchimaru

发明人： Hiroshi MATSUTANI ,  Makoto Kaji ,  Koichi Abe ,  Yuko Uchimaru

IPC分类号： C08G79/08 ,  C07F7/21

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C08G79/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663

摘要： Interlayer insulating films 5,7 (insulating films) provided in a memory capacitor cell 8 are formed between a gate electrode 3 and a counter electrode 8C formed on a silicon wafer 1. The interlayer insulating films 5,7 comprise a borazine-based resin, having a specific dielectric constant of no greater than 2.6, a Young's modulus of 5 GPa or greater and a leak current of no greater than 1×10−8 A/cm2.

摘要翻译： 设置在存储电容器单元8中的层间绝缘膜5,7（绝缘膜）形成在形成在硅晶片1上的栅电极3和对电极8C之间。层间绝缘膜5,7包括环硼氮烷基树脂， 具有不大于2.6的比介电常数，5GPa或更大的杨氏模量和不大于1×10 -8 A / cm 2的漏电流。

公开(公告)号：US07625642B2

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：US10529369

申请日：2003-09-26

申请人： Hiroshi Matsutani ,  Makoto Kaji ,  Koichi Abe ,  Yuko Uchimaru

发明人： Hiroshi Matsutani ,  Makoto Kaji ,  Koichi Abe ,  Yuko Uchimaru

IPC分类号： B32B9/04

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C08G79/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663

摘要： Interlayer insulating films 5,7 (insulating films) provided in a memory capacitor cell 8 are formed between a gate electrode 3 and a counter electrode 8C formed on a silicon wafer 1. The interlayer insulating films 5,7 comprise a borazine-based resin, having a specific dielectric constant of no greater than 2.6, a Young's modulus of 5 GPa or greater and a leak current of no greater than 1×10−8 A/cm2.

摘要翻译： 设置在存储电容器单元8中的层间绝缘膜5,7（绝缘膜）形成在形成在硅晶片1上的栅电极3和对电极8C之间。层间绝缘膜5,7包括环硼氮烷基树脂， 具有不大于2.6的比介电常数，5GPa或更大的杨氏模量和不大于1×10 -8 A / cm 2的泄漏电流。

公开(公告)号：US07427443B2

公开(公告)日：2008-09-23

申请号：US10809704

申请日：2004-03-26

申请人： Yuko Uchimaru ,  Masami Inoue

发明人： Yuko Uchimaru ,  Masami Inoue

IPC分类号： B32B9/04 ,  C08G77/56

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C08G77/56 ,  C08G77/60 ,  C08G79/08 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  Y10T428/31663

摘要： The use of a material possessing a six-member borazine ring consisting of at least boron and nitrogen elements in the form of a low dielectric constant insulating film in a hard mask, a Cu diffusion barrier layer and an etching stopper which are necessary when low dielectric constant interlayer insulating films and Cu wiring in the multilayer interconnection of an LSI allows the parasitic capacity between the multilayer wirings to be suppressed and enables the ULSI to produce a high-speed operation.

摘要翻译： 使用具有由低介电常数绝缘膜形式的至少硼和氮元素组成的六元环硼氮烷环的材料在硬掩模，Cu扩散阻挡层和蚀刻终止剂中是必需的，当低介电常数 在LSI的多层互连中的恒定层间绝缘膜和Cu布线允许抑制多层布线之间的寄生电容，并且能够使ULSI产生高速操作。

公开(公告)号：US20060097393A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：US10809704

申请日：2004-03-26

申请人： Yuko Uchimaru ,  Masami Inoue

发明人： Yuko Uchimaru ,  Masami Inoue

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C08G77/56 ,  C08G77/60 ,  C08G79/08 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  Y10T428/31663

摘要： The use of a material possessing a six-member borazine ring consisting of at least boron and nitrogen elements in the form of a low dielectric constant insulating film in a hard mask, a Cu diffusion barrier layer and an etching stopper which are necessary when low dielectric constant interlayer insulating films and Cu wiring in the multilayer interconnection of an LSI allows the parasitic capacity between the multilayer wirings to be suppressed and enables the ULSI to produce a high-speed operation.

摘要翻译： 使用具有由低介电常数绝缘膜形式的至少硼和氮元素组成的六元环硼氮烷环的材料在硬掩模，Cu扩散阻挡层和蚀刻终止剂中是必需的，当低介电常数 在LSI的多层互连中的恒定层间绝缘膜和Cu布线允许抑制多层布线之间的寄生电容，并且能够使ULSI产生高速操作。

公开(公告)号：US08362199B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12475849

申请日：2009-06-01

申请人： Hiroshi Matsutani ,  Makoto Kaji ,  Koichi Abe ,  Yuko Uchimaru

发明人： Hiroshi Matsutani ,  Makoto Kaji ,  Koichi Abe ,  Yuko Uchimaru

IPC分类号： C08C2/04

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C08G79/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663

摘要： Interlayer insulating films 5,7 (insulating films) provided in a memory capacitor cell 8 are formed between a gate electrode 3 and a counter electrode 8C formed on a silicon wafer 1. The interlayer insulating films 5,7 comprise a borazine-based resin, having a specific dielectric constant of no greater than 2.6, a Young's modulus of 5 GPa or greater and a leak current of no greater than 1×10−8 A/cm2.

摘要翻译： 设置在存储电容器单元8中的层间绝缘膜5,7（绝缘膜）形成在形成在硅晶片1上的栅电极3和对电极8C之间。层间绝缘膜5,7包括环硼氮烷基树脂， 具有不大于2.6的比介电常数，5GPa或更大的杨氏模量和不大于1×10 -8 A / cm 2的漏电流。

公开(公告)号：US20060110610A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US10529369

申请日：2003-09-26

申请人： Hiroshi Matsutani ,  Makoto Kaji ,  Koichi Abe ,  Yuko Uchimaru

发明人： Hiroshi Matsutani ,  Makoto Kaji ,  Koichi Abe ,  Yuko Uchimaru

IPC分类号： B32B27/06 ,  B32B9/04 ,  C08G79/08 ,  C08L83/04

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C08G79/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663

摘要： Interlayer insulating films 5,7 (insulating films) provided in a memory capacitor cell 8 are formed between a gate electrode 3 and a counter electrode 8C formed on a silicon wafer 1. The interlayer insulating films 5,7 comprise a borazine-based resin, having a specific dielectric constant of no greater than 2.6, a Young's modulus of 5 GPa or greater and a leak current of no greater than 1×10−8 A/cm2.

摘要翻译： 设置在存储电容器单元8中的层间绝缘膜5,7（绝缘膜）形成在形成在硅晶片1上的栅电极3和对电极8 C之间。层间绝缘膜5,7包括环硼氮烷基树脂 具有不大于2.6的比介电常数，5GPa或更大的杨氏模量和不大于1×10 -8 A / cm 2的漏电流。