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    Cell projection charged particle beam lithography
    1.
    发明授权
    Cell projection charged particle beam lithography 有权
    模板设计和改善单元投影带电粒子束光刻的字符密度的方法

    公开(公告)号：US08426832B2

    公开(公告)日：2013-04-23

    申请号：US12552373

    申请日：2009-09-02

    申请人： Kenji Yoshida ,  Takashi Mitsuhashi ,  Shohei Matsushita ,  Larry Lam Chau ,  Tam Dinh Thanh Nguyen ,  Donald MacMillen ,  Akira Fujimura

    发明人： Kenji Yoshida ,  Takashi Mitsuhashi ,  Shohei Matsushita ,  Larry Lam Chau ,  Tam Dinh Thanh Nguyen ,  Donald MacMillen ,  Akira Fujimura

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3174

    摘要： The present invention increases the number of characters available on a stencil for charged particle beam lithography. A stencil for charged particle beam lithography is disclosed, comprising two character projection (CP) characters, wherein the blanking areas for the two CP characters overlap. A stencil is also disclosed comprising two CP characters with one or more optional characters between the two characters, wherein the optional characters can form meaningful patterns on a surface only in combination with one of the two characters. A stencil is also disclosed wherein the blanking area of a CP character extends beyond the boundary of the stencil's available character area. Methods for design of the aforementioned stencils are also disclosed.

    摘要翻译： 本发明增加了用于带电粒子束光刻的模板上可用的字符数。 公开了一种用于带电粒子束光刻的模板，包括两个字符投影（CP）字符，其中两个CP字符的消隐区域重叠。 还公开了一种模板，其包括在两个字符之间具有一个或多个可选字符的两个CP字符，其中可选字符可以仅在两个字符中的一个组合上在表面上形成有意义的图案。 还公开了一种模板，其中CP字符的消隐区域延伸超出模版的可用字符区域的边界。 还公开了上述模板的设计方法。

    METHOD FOR INTEGRATED CIRCUIT DESIGN AND MANUFACTURE USING DIAGONAL MINIMUM-WIDTH PATTERNS
    2.
    发明申请
    METHOD FOR INTEGRATED CIRCUIT DESIGN AND MANUFACTURE USING DIAGONAL MINIMUM-WIDTH PATTERNS 有权
    集成电路设计与制造方法使用对角最小宽度图案

    公开(公告)号：US20110278731A1

    公开(公告)日：2011-11-17

    申请号：US12779031

    申请日：2010-05-12

    申请人： Akira Fujimura ,  Larry Lam Chau ,  Tam Dinh Thanh Nguyen

    发明人： Akira Fujimura ,  Larry Lam Chau ,  Tam Dinh Thanh Nguyen

    IPC分类号： H01L23/48 ,  G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5072 ,  G06F17/5077 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11

    摘要： Methods for designing and manufacturing an integrated circuit are disclosed, in which the physical design process for a standard cell or cells utilizes a preferred diagonal direction for minimum-width patterns on at least one layer, where the standard cell or cells are used in the layout of an integrated circuit. The methods also include forming the patterns on a photomask using model-based fracturing techniques with charged particle beam simulation, and forming the patterns on a substrate such a silicon wafer using the photomask and an optical lithographic process with directional illumination which is optimized for the preferred diagonal direction.

    摘要翻译： 公开了用于设计和制造集成电路的方法，其中标准单元或单元的物理设计过程在至少一层上利用最小宽度图案的优选对角线方向，其中在布局中使用标准单元或单元 的集成电路。 所述方法还包括使用基于压缩技术的带有带电粒子束模拟的基于模型的压裂技术在光掩模上形成图案，以及使用光掩模和光定向照明的光学方法在诸如硅晶片的衬底上形成图案，所述光刻工艺针对优选 对角方向。

    Method for integrated circuit design and manufacture using diagonal minimum-width patterns
    4.
    发明授权
    Method for integrated circuit design and manufacture using diagonal minimum-width patterns 有权
    使用对角线最小宽度图案的集成电路设计和制造方法

    公开(公告)号：US08745555B2

    公开(公告)日：2014-06-03

    申请号：US12779031

    申请日：2010-05-12

    申请人： Akira Fujimura ,  Larry Lam Chau ,  Tam Dinh Thanh Nguyen

    发明人： Akira Fujimura ,  Larry Lam Chau ,  Tam Dinh Thanh Nguyen

    IPC分类号： H01L29/72

    CPC分类号： G06F17/5072 ,  G06F17/5077 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11

    摘要： Methods for designing and manufacturing an integrated circuit are disclosed, in which the physical design process for a standard cell or cells utilizes a preferred diagonal direction for minimum-width patterns on at least one layer, where the standard cell or cells are used in the layout of an integrated circuit. The methods also include forming the patterns on a photomask using model-based fracturing techniques with charged particle beam simulation, and forming the patterns on a substrate such a silicon wafer using the photomask and an optical lithographic process with directional illumination which is optimized for the preferred diagonal direction.

    摘要翻译： 公开了用于设计和制造集成电路的方法，其中标准单元或单元的物理设计过程在至少一层上利用最小宽度图案的优选对角线方向，其中在布局中使用标准单元或单元 的集成电路。 所述方法还包括使用基于压缩技术的带有带电粒子束模拟的基于模型的压裂技术在光掩模上形成图案，以及使用光掩模和光定向照明的光学方法在诸如硅晶片的衬底上形成图案，所述光刻工艺针对优选 对角方向。

    Transmission
    7.
    发明授权
    Transmission 有权
    传输

    公开(公告)号：US08677860B2

    公开(公告)日：2014-03-25

    申请号：US13126582

    申请日：2009-11-13

    申请人： Hisato Nishida ,  Kazuma Hatakeyama ,  Akira Fujimura ,  Shuichi Fujimoto

    发明人： Hisato Nishida ,  Kazuma Hatakeyama ,  Akira Fujimura ,  Shuichi Fujimoto

    IPC分类号： F16H37/06

    CPC分类号： B60W10/06 ,  B60K6/36 ,  B60K6/387 ,  B60K6/48 ,  B60K6/547 ,  B60W10/08 ,  B60W10/113 ,  B60W10/26 ,  B60W10/30 ,  B60Y2400/428 ,  F16H3/006 ,  F16H2200/0052 ,  F16H2200/0056 ,  F16H2200/006 ,  Y02T10/6221 ,  Y02T10/6286

    摘要： A transmission is provided in which gears (31 to 34) of a first gear group provided on a first auxiliary input shaft (13) to which driving force of a main input shaft (12) is transmitted via a first clutch (24) and gears (37 to 39) of a second gear group provided on a second auxiliary input shaft (14) to which the driving force of the main input shaft (12) is transmitted via an idle gear (17 to 19) and a second clutch (25) use in common gears (43 to 46) of a third gear group provided on an output shaft (16), whereby it becomes possible to cut the number of components and reduce the dimensions of the transmission. Further, since the advance/retard relationship between the timing with which the first and second clutches (24, 25) are switched over and the timing with which the synchronizing devices (35, 36, 41, 42) are switched over can be freely chosen when establishing any of the gear positions, it is possible to prevent the occurrence of shift shock due to timing lag, thus enabling gear shifting to be carried out smoothly.

    摘要翻译： 提供了一种变速器，其中设置在第一辅助输入轴（13）上的第一齿轮组的齿轮（31至34），主输入轴（12）的驱动力经由第一离合器（24）传递至齿轮 设置在第二辅助输入轴（14）上的第二齿轮组（37〜39），主输入轴（12）的驱动力经由空转齿轮（17〜19）和第二离合器（25）传递到第二辅助输入轴 ）用于设置在输出轴（16）上的第三齿轮组的普通齿轮（43至46）中，从而可以切割部件的数量并减小变速器的尺寸。 此外，由于可以自由地选择第一和第二离合器（24,25）切换的定时与同步装置（35,36,41,42）切换的定时之间的提前/延迟关系 当建立任何齿轮位置时，可以防止由于定时滞后引起的换档冲击的发生，从而能够平稳地进行换档。

    Method and system for distributing clock signals on non manhattan semiconductor integrated circuits
    8.
    发明授权
    Method and system for distributing clock signals on non manhattan semiconductor integrated circuits 失效
    在非曼哈顿半导体集成电路上分配时钟信号的方法和系统

    公开(公告)号：US08671378B2

    公开(公告)日：2014-03-11

    申请号：US12772967

    申请日：2010-05-03

    申请人： Steven Teig ,  Raghu Chalasani ,  Akira Fujimura

    发明人： Steven Teig ,  Raghu Chalasani ,  Akira Fujimura

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5077 ,  G06F1/10 ,  G06F2217/62

    摘要： The present invention introduces methods, systems, and architectures for routing clock signals in an integrated circuit layout. The introduced clock signal clock signal structures are rendered with non Manhattan routing. In a first embodiment, the traditional recursive H clock signal structure is rendered after transforming the coordinates system such that a rotated recursive H clock signal structure is rendered. In another embodiment, a recursive Y structure is used to create a clock signal structure. The recursive Y structure may also be implemented in a rotated alignment. For clock signal redundancy, non Manhattan wiring may be used to create a clock signal mesh network.

    摘要翻译： 本发明介绍了用于在集成电路布局中路由时钟信号的方法，系统和架构。 引入的时钟信号时钟信号结构以非曼哈顿路由呈现。 在第一实施例中，传统的递归H时钟信号结构在变换坐标系之后呈现，从而呈现旋转的递归H时钟信号结构。 在另一个实施例中，使用递归Y结构来创建时钟信号结构。 递归Y结构也可以以旋转的对准来实现。 对于时钟信号冗余，可以使用非曼哈顿布线来创建时钟信号网状网络。

    Method for forming circular patterns on a surface
    9.
    发明授权
    Method for forming circular patterns on a surface 有权
    在表面上形成圆形图案的方法

    公开(公告)号：US08609306B2

    公开(公告)日：2013-12-17

    申请号：US13723181

    申请日：2012-12-20

    申请人： Akira Fujimura ,  Michael Tucker

    发明人： Akira Fujimura ,  Michael Tucker

    IPC分类号： G03F1/20 ,  G03F9/00

    CPC分类号： G03F1/70 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  G03F1/78 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/2063 ,  G03F7/7025 ,  G06F17/50 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/12 ,  H01J37/3174 ,  Y10S430/143

    摘要： A method for fracturing or mask data preparation for shaped beam charged particle beam lithography is disclosed, in which a square or nearly-square contact or via pattern is input, and a set of charged particle beam shots is determined which will form a circular or nearly-circular pattern on a surface, where the area of the circular or nearly-circular pattern is within a pre-determined tolerance of the area of the input square or nearly-square contact or via pattern. Methods for forming a pattern on a surface and for manufacturing a semiconductor device are also disclosed.

    摘要翻译： 公开了一种用于成形束带电粒子束光刻的压裂或掩模数据准备的方法，其中输入了正方形或接近平方的接触或通孔图案，并且确定一组带电粒子束射束，其将形成圆形或近似 - 圆形图案，其中圆形或近似圆形图案的面积在输入的正方形或接近平方的接触或通孔图案的面积的预定公差内。 还公开了在表面上形成图案和制造半导体器件的方法。