公开(公告)号：US4757364A

公开(公告)日：1988-07-12

申请号：US795161

申请日：1985-11-05

申请人： Akira Miura ,  Koichi Mizushima ,  Keijiro Hirahara ,  Nobuhiro Gemma ,  Taiji Furuno ,  Hiroyuki Sasabe

发明人： Akira Miura ,  Koichi Mizushima ,  Keijiro Hirahara ,  Nobuhiro Gemma ,  Taiji Furuno ,  Hiroyuki Sasabe

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L21/368 ,  H01L29/94 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/34 ,  H01L33/40 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H01L29/78 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/94 ,  H01L33/0037 ,  H01L51/5012 ,  Y10S930/29

摘要： A light emitting element formed of a metal-insulator-semiconductor junction, the improvement wherein the insulator is a Langmuir-Blodgett film of an organic substance containing at least one of a synthetic protein and a natural protein. According to the element of this invention, stability of dynamic characteristics, luminescence efficiency and long-term stability can be significantly improved.

摘要翻译： 由金属 - 绝缘体 - 半导体结形成的发光元件，其中绝缘体是含有合成蛋白质和天然蛋白质中的至少一种的有机物质的Langmuir-Blodgett膜。 根据本发明的要素，可以显着提高动态特性的稳定性，发光效率和长期稳定性。

公开(公告)号：US5497029A

公开(公告)日：1996-03-05

申请号：US305516

申请日：1994-09-13

申请人： Katsuyoshi Fukuda ,  Fumio Nakata ,  Keitaro Shigenaka ,  Keijiro Hirahara

发明人： Katsuyoshi Fukuda ,  Fumio Nakata ,  Keitaro Shigenaka ,  Keijiro Hirahara

IPC分类号： H01L21/203 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/09 ,  H01L31/10

CPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/0304 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： A compound semiconductor device suitable for an infrared ray detector comprises a substrate composed of indium antimonide (InSb), a first conductive layer deposited on the substrate and composed of tin-indium antimonide represented by the formula Sn.sub.x (InSb).sub.1-x, where 0.05.ltoreq.x.ltoreq.0.3, a second conductive layer that is a semiconductor region (active region) formed on the first conductive layer, and electrode provided on the second conductive layer, and a surface protective film formed on the first conductive layer except for the electrode portions.

摘要翻译： 适用于红外线检测器的化合物半导体器件包括由铟锑化物（InSb）构成的衬底，沉积在衬底上并由式Snx（InSb）1-x表示的锡 - 铟锑化物组成的第一导电层，其中0.05 作为形成在第一导电层上的半导体区域（有源区域）的第二导电层和设置在第二导电层上的电极以及形成在第一导电层上的表面保护膜，除了 用于电极部分。

公开(公告)号：US4026994A

公开(公告)日：1977-05-31

申请号：US658018

申请日：1976-02-13

申请人： Makoto Tashiro ,  Keijiro Hirahara ,  Akihiro Yahata ,  Masanobu Ohyama

发明人： Makoto Tashiro ,  Keijiro Hirahara ,  Akihiro Yahata ,  Masanobu Ohyama

IPC分类号： C01B25/06 ,  C01B25/00

CPC分类号： C01B25/06

摘要： A method is directed to manufacturing gallium phosphide by reducing gallium orthophosphate in a reducing atmosphere while heating it. In reduction, phosphorus, gallium phosphide and/or phosphine is added as an additive to gallium orthophosphate.

摘要翻译： 一种方法是通过在还原气氛中还原正磷酸镓同时加热制造磷化镓。 在还原中，磷，磷化镓和/或磷化氢作为添加剂加入正磷酸镓中。