公开(公告)号：US5627111A

公开(公告)日：1997-05-06

申请号：US472111

申请日：1995-06-07

申请人： Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda ,  Masahiko Okunuki

发明人： Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda ,  Masahiko Okunuki

IPC分类号： H01J1/14 ,  H01J1/316 ,  H01J9/04 ,  H01L21/465

CPC分类号： H01J1/316 ,  H01J1/14 ,  H01J9/042 ,  H01J2201/3165

摘要： An electron emitting device causes electron emission by a current supply in a coarse resistor film. The coarse thin resistor film is composed at least of a coarse thin silicon film.

摘要翻译： 电子发射器件通过粗电阻膜中的电流源引起电子发射。 粗糙的薄电阻膜至少由粗的薄膜构成。

公开(公告)号：US5559342A

公开(公告)日：1996-09-24

申请号：US418091

申请日：1995-04-06

申请人： Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda ,  Masahiko Okunuki

发明人： Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda ,  Masahiko Okunuki

IPC分类号： H01J1/14 ,  H01J1/316 ,  H01J9/04 ,  H01J19/24 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01J1/316 ,  H01J1/14 ,  H01J9/042 ,  H01J2201/3165

摘要： An electron emitting device causes electron emission by a current supply in a coarse resistor film. The coarse thin resistor film is composed at least of a coarse thin silicon film.

摘要翻译： 电子发射器件通过粗电阻膜中的电流源引起电子发射。 粗糙的薄电阻膜至少由粗的薄膜构成。

公开(公告)号：US4810934A

公开(公告)日：1989-03-07

申请号：US50028

申请日：1987-05-15

申请人： Isamu Shimoda ,  Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Masahiko Okunuki

发明人： Isamu Shimoda ,  Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Masahiko Okunuki

IPC分类号： H01J1/13 ,  H01J19/24 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01J1/135

摘要： An electron emission device for attracting electrons emitted from an electron emission element to an anode, includes a current detector for detecting a flow-in current to said electron emission element and a flow-out current from the electron emission element. The difference between the flow-in current and the flow-out current is calculated and the voltage applied to the electron emission element is adjusted in accordance with the difference between the flow-in current and the flow-out cuttent.

摘要翻译： 用于吸引从电子发射元件发射到阳极的电子的电子发射装置包括用于检测到电子发射元件的流入电流的电流检测器和来自电子发射元件的流出电流。 计算流入电流和流出电流之间的差异，并且根据流入电流和流出电流之间的差来调节施加到电子发射元件的电压。

公开(公告)号：US5185559A

公开(公告)日：1993-02-09

申请号：US593561

申请日：1990-10-09

申请人： Isamu Shimoda ,  Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Masahiko Okunuki

发明人： Isamu Shimoda ,  Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Masahiko Okunuki

IPC分类号： H01J1/13

CPC分类号： H01J1/135

摘要： An electron emission device is provided in which a drive current for driving an electron emission element is maintained at a constant level. The device comprises a transistor having its base provided with a divided voltage. The electron emission element is responsive to the transistor.

摘要翻译： 提供一种电子发射器件，其中用于驱动电子发射元件的驱动电流保持在恒定水平。 该器件包括其基极设置有分压的晶体管。 电子发射元件响应晶体管。

公开(公告)号：US4833507A

公开(公告)日：1989-05-23

申请号：US179863

申请日：1988-04-11

申请人： Akira Shimizu ,  Takeo Tsukamoto ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda ,  Masahiko Okunuki

发明人： Akira Shimizu ,  Takeo Tsukamoto ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda ,  Masahiko Okunuki

IPC分类号： H01J1/30 ,  H01J1/308 ,  H01J9/02

CPC分类号： H01J1/308

摘要： An electron emission device comprises a P-type semiconductor layer which emits electron injected into the P-type semiconductor layer by utilizing the negative electron affinity state. At least one of said N-type semiconductor layer and the P-type semiconductor layer is made to have a super-lattice structure.

公开(公告)号：US5838019A

公开(公告)日：1998-11-17

申请号：US415587

申请日：1995-04-03

申请人： Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda ,  Masahiko Okunuki

发明人： Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda ,  Masahiko Okunuki

IPC分类号： H01L29/86 ,  H01J1/30 ,  H01J1/308 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01J1/308

摘要： An electron emitting device is provided with an N type semiconductor disposed in contact with a first electrode. A P type semiconductor contacts the N type semiconductor to define a PN junction. A low work function metal electrode contacts the P type semiconductor thus defining a Schottky barrier. First and second means are provided to forward bias the PN junction and to reversed bias the Schottky barrier, respectively.

摘要翻译： 电子发射器件设置有与第一电极接触的N型半导体。 P型半导体接触N型半导体以限定PN结。 低功函数金属电极与P型半导体接触，从而限定了肖特基势垒。 提供第一和第二装置以正向偏置PN结并且分别反向偏置肖特基势垒。

公开(公告)号：US5327050A

公开(公告)日：1994-07-05

申请号：US874218

申请日：1992-04-27

申请人： Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda ,  Masahiko Okunuki

发明人： Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda ,  Masahiko Okunuki

IPC分类号： H01J1/14 ,  H01J1/316 ,  H01J9/04

CPC分类号： H01J9/042 ,  H01J1/14 ,  H01J1/316

摘要： An electron emitting device causes electron emission by a current supply in a coarse resistor film. The coarse thin resistor film is composed at least of a coarse thin silicon film.

摘要翻译： 电子发射器件通过粗电阻膜中的电流源引起电子发射。 粗糙的薄电阻膜至少由粗的薄膜构成。

公开(公告)号：US5304815A

公开(公告)日：1994-04-19

申请号：US94404

申请日：1993-07-21

申请人： Akira Suzuki ,  Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda ,  Masahiko Okunuki

发明人： Akira Suzuki ,  Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda ,  Masahiko Okunuki

IPC分类号： H01J1/308 ,  H01J1/34 ,  H01L27/14 ,  H01J29/12 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01J1/308 ,  H01J1/34 ,  H01J2201/3423

摘要： An electron emission element comprises a P-type semiconductor substrate and electrodes formed on both ends of the semiconductor substrate. A voltage is applied between said electrodes. The P-type semiconductor substrate is irradiated with light to emit the electrons, generated in the P-type semiconductor substrate by photoexcitation, from an electron emitting face at an end of the P-type semiconductor substrate.

摘要翻译： 电子发射元件包括P型半导体衬底和形成在半导体衬底两端的电极。 在所述电极之间施加电压。 P型半导体衬底被照射从P型半导体衬底的端部的电子发射面通过光激发发射在P型半导体衬底中产生的电子。

公开(公告)号：US4825082A

公开(公告)日：1989-04-25

申请号：US60238

申请日：1987-06-11

申请人： Masahiko Okunuki ,  Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda

发明人： Masahiko Okunuki ,  Takeo Tsukamoto ,  Akira Shimizu ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda

IPC分类号： H01J37/073 ,  H01J1/316 ,  H01J3/02 ,  H01J37/06 ,  H01L21/027 ,  H01J27/00

CPC分类号： H01J3/027 ,  H01J1/316 ,  H01J37/06

摘要： An electron emitting apparatus comprising a plurality of electron emitting devices having an elongated electron emitting pattern which extends in a first direction. The adjacent electron emitting devices are arranged so as to be deviated in a second direction which crosses the first direction.

摘要翻译： 一种电子发射设备，包括多个电子发射器件，其具有在第一方向上延伸的细长电子发射图案。 相邻的电子发射器件被布置成在与第一方向交叉的第二方向上偏离。

公开(公告)号：US4994708A

公开(公告)日：1991-02-19

申请号：US515352

申请日：1990-04-30

申请人： Akira Shimizu ,  Takeo Tsukamoto ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda ,  Masahiko Okunuki

发明人： Akira Shimizu ,  Takeo Tsukamoto ,  Akira Suzuki ,  Masao Sugata ,  Isamu Shimoda ,  Masahiko Okunuki

IPC分类号： H01J1/308 ,  H01J21/10

CPC分类号： H01J1/308 ,  H01J21/105

摘要： A cold cathode device wherein a cold cathode and an anode face each other with an electron transit path intermediated therebetween, and one or more control electrodes structurally insulated from the said cathode and the anode, are provided exposing to the electron transit path. A cold cathode vacuum tube has an electron emission element having a p-type semiconductor region on an electron emission side and a work function lowering region with junctional relation to the p-type semiconductor region; and a plate electrode structurally insulated from the electron emission element by using an insulation layer which is formed with an electron transmit path corresponding in position to an electron emission area of the electron emission element.

摘要翻译： 一种冷阴极器件，其中冷阴极和阳极彼此面对并具有中间的电子传输路径，以及与所述阴极和阳极结构绝缘的一个或多个控制电极暴露于电子传输路径。 冷阴极真空管具有在电子发射侧具有p型半导体区域的电子发射元件和与p型半导体区域具有连接关系的功函数降低区域; 以及通过使用形成有与电子发射元件的电子发射区域相对应的电子发射路径的绝缘层与电子发射元件结构地绝缘的平板电极。