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    Non-volatile resistive-switching memories formed using anodization
    1.
    发明授权
    Non-volatile resistive-switching memories formed using anodization 有权
    使用阳极氧化形成的非易失性电阻式开关存储器

    公开(公告)号：US08318534B2

    公开(公告)日：2012-11-27

    申请号：US13098632

    申请日：2011-05-02

    申请人： Alexander Gorer ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang ,  Igor Ivanov

    发明人： Alexander Gorer ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang ,  Igor Ivanov

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L45/10 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

    摘要： Non-volatile resistive-switching memories formed using anodization are described. A method for forming a resistive-switching memory element using anodization includes forming a metal containing layer, anodizing the metal containing layer at least partially to form a resistive switching metal oxide, and forming a first electrode over the resistive switching metal oxide. In some examples, an unanodized portion of the metal containing layer may be a second electrode of the memory element.

    摘要翻译： 描述了使用阳极氧化形成的非易失性电阻式开关存储器。 一种使用阳极氧化形成电阻式开关存储元件的方法包括形成含金属层，至少部分地阳极氧化含金属层以形成电阻式开关金属氧化物，以及在电阻式开关金属氧化物上形成第一电极。 在一些实例中，含金属层的未渐变部分可以是存储元件的第二电极。

    NON-VOLATILE RESISTIVE-SWITCHING MEMORIES FORMED USING ANODIZATION
    2.
    发明申请
    NON-VOLATILE RESISTIVE-SWITCHING MEMORIES FORMED USING ANODIZATION 有权
    使用阳极化形成的非易失性电阻开关存储器

    公开(公告)号：US20110204311A1

    公开(公告)日：2011-08-25

    申请号：US13098632

    申请日：2011-05-02

    申请人： Alexander Gorer ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang ,  Igor Ivanov

    发明人： Alexander Gorer ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang ,  Igor Ivanov

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/8239

    CPC分类号： H01L45/10 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

    摘要： Non-volatile resistive-switching memories formed using anodization are described. A method for forming a resistive-switching memory element using anodization includes forming a metal containing layer, anodizing the metal containing layer at least partially to form a resistive switching metal oxide, and forming a first electrode over the resistive switching metal oxide. In some examples, an unanodized portion of the metal containing layer may be a second electrode of the memory element.

    摘要翻译： 描述了使用阳极氧化形成的非易失性电阻式开关存储器。 一种使用阳极氧化形成电阻式开关存储元件的方法包括形成含金属层，至少部分地阳极氧化含金属层以形成电阻式开关金属氧化物，以及在电阻式开关金属氧化物上形成第一电极。 在一些实例中，含金属层的未渐变部分可以是存储元件的第二电极。

    Non-volatile resistive-switching memories formed using anodization
    3.
    发明授权
    Non-volatile resistive-switching memories formed using anodization 失效
    使用阳极氧化形成的非易失性电阻式开关存储器

    公开(公告)号：US07977152B2

    公开(公告)日：2011-07-12

    申请号：US12463319

    申请日：2009-05-08

    申请人： Alexander Gorer ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang ,  Igor Ivanov

    发明人： Alexander Gorer ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang ,  Igor Ivanov

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L45/10 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

    摘要： Non-volatile resistive-switching memories formed using anodization are described. A method for forming a resistive-switching memory element using anodization includes forming a metal containing layer, anodizing the metal containing layer at least partially to form a resistive switching metal oxide, and forming a first electrode over the resistive switching metal oxide. In some examples, an unanodized portion of the metal containing layer may be a second electrode of the memory element.

    摘要翻译： 描述了使用阳极氧化形成的非易失性电阻式开关存储器。 一种使用阳极氧化形成电阻式开关存储元件的方法包括形成含金属层，至少部分地阳极氧化含金属层以形成电阻式开关金属氧化物，以及在电阻式开关金属氧化物上形成第一电极。 在一些实例中，含金属层的未渐变部分可以是存储元件的第二电极。

    NON-VOLATILE RESISTIVE-SWITCHING MEMORIES FORMED USING ANODIZATION
    4.
    发明申请
    NON-VOLATILE RESISTIVE-SWITCHING MEMORIES FORMED USING ANODIZATION 失效
    使用阳极化形成的非易失性电阻开关存储器

    公开(公告)号：US20090278110A1

    公开(公告)日：2009-11-12

    申请号：US12463319

    申请日：2009-05-08

    申请人： Alexander Gorer ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang ,  Igor Ivanov

    发明人： Alexander Gorer ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang ,  Igor Ivanov

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/16

    CPC分类号： H01L45/10 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

    摘要： Non-volatile resistive-switching memories formed using anodization are described. A method for forming a resistive-switching memory element using anodization includes forming a metal containing layer, anodizing the metal containing layer at least partially to form a resistive switching metal oxide, and forming a first electrode over the resistive switching metal oxide. In some examples, an unanodized portion of the metal containing layer may be a second electrode of the memory element.

    摘要翻译： 描述了使用阳极氧化形成的非易失性电阻式开关存储器。 一种使用阳极氧化形成电阻式开关存储元件的方法包括形成含金属层，至少部分地阳极氧化含金属层以形成电阻式开关金属氧化物，以及在电阻式开关金属氧化物上形成第一电极。 在一些实例中，含金属层的未渐变部分可以是存储元件的第二电极。

    Closed loop sputtering controlled to enhance electrical characteristics in deposited layer
    7.
    发明申请
    Closed loop sputtering controlled to enhance electrical characteristics in deposited layer 有权
    控制闭环溅射以增强沉积层中的电特性

    公开(公告)号：US20120256155A1

    公开(公告)日：2012-10-11

    申请号：US13249631

    申请日：2011-09-30

    申请人： Wayne French ,  Pragati Kumar ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang

    发明人： Wayne French ,  Pragati Kumar ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： C23C14/083 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/54 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/165

    摘要： This disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device layer and an associated memory cell. Empirical data may be used to generate a hysteresis curve associated with deposition for a metal-insulator-metal structure, with curve measurements reflecting variance of an electrical property as a function of cathode voltage used during a sputtering process. By generating at least one voltage level to be used during the sputtering process, where the voltage reflects a suitable value for the electrical property from among the values obtainable in mixed-mode deposition, a semiconductor device layer may be produced with improved characteristics and durability. A multistable memory cell or array of such cells manufactured according to this process can, for a set of given materials, be fabricated to have minimal leakage or “off” current characteristics (Ileak or Ioff, respectively) or a maximum ratio of “on” current to “off” current (Ion/Ioff).

    摘要翻译： 本公开提供了制造半导体器件层和相关联的存储单元的方法。 经验数据可用于产生与金属 - 绝缘体 - 金属结构的沉积相关联的滞后曲线，其中曲线测量反映作为在溅射过程中使用的阴极电压的函数的电特性的变化。 通过在溅射过程中产生要使用的至少一个电压电平，其中电压从混合模式沉积中可获得的值中反映适合的电特性值，可以制造具有改进的特性和耐久性的半导体器件层。 对于一组给定材料制造的这种电池的多电平存储器单元或阵列可以被制造成具有最小的泄漏或截止电流特性（分别为Ileak或Ioff）或电流与截止电流的最大比率 （Ion / Ioff）。

    RESISTIVE SWITCHING MEMORY ELEMENT INCLUDING DOPED SILICON ELECTRODE
    8.
    发明申请
    RESISTIVE SWITCHING MEMORY ELEMENT INCLUDING DOPED SILICON ELECTRODE 有权
    电阻式开关元件包括掺杂的硅电极

    公开(公告)号：US20120205610A1

    公开(公告)日：2012-08-16

    申请号：US13454392

    申请日：2012-04-24

    申请人： Prashant Phatak ,  Tony Chiang ,  Michael Miller ,  Wen Wu

    发明人： Prashant Phatak ,  Tony Chiang ,  Michael Miller ,  Wen Wu

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/1616 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/10 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

    摘要： A resistive switching memory element including a doped silicon electrode is described, including a first electrode comprising doped silicon having a first work function, a second electrode having a second work function that is different from the first work function by between 0.1 and 1.0 electron volts (eV), a metal oxide layer between the first electrode and the second electrode, the metal oxide layer switches using bulk-mediated switching and has a bandgap of greater than 4 eV, and the memory element switches from a low resistance state to a high resistance state and vice versa.

    摘要翻译： 描述了包括掺杂硅电极的电阻式开关存储元件，其包括包括具有第一功函数的掺杂硅的第一电极，具有与第一功函数不同的第二功函数的第二电极在0.1和1.0电子伏特之间 eV），第一电极和第二电极之间的金属氧化物层，金属氧化物层使用体积介导的开关进行开关，并且具有大于4eV的带隙，并且存储元件从低电阻状态切换到高电阻 状态，反之亦然。

    Stress-engineered resistance-change memory device
    10.
    发明授权
    Stress-engineered resistance-change memory device 有权
    应力工程电阻变化记忆装置

    公开(公告)号：US08049305B1

    公开(公告)日：2011-11-01

    申请号：US12580196

    申请日：2009-10-15

    申请人： Michael Miller ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang

    发明人： Michael Miller ,  Prashant Phatak ,  Tony Chiang

    IPC分类号： H01L29/10

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/525 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/08 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A resistance-change memory device using stress engineering is described, including a first layer including a first conductive electrode, a second layer above the first layer including a resistive-switching element, a third layer above the second layer including a second conductive electrode, where a first stress is created in the switching element at a first interface between the first layer and the second layer upon heating the memory element, and where a second stress is created in the switching element at a second interface between the second layer and the third layer upon the heating. A stress gradient equal to a difference between the first stress and the second stress has an absolute value greater than 50 MPa, and a reset voltage of the memory element has a polarity relative to a common electrical potential that has a sign opposite the stress gradient when applied to the first conductive electrode.

    摘要翻译： 描述了使用应力工程的电阻变化存储器件，包括第一层，包括第一导电电极，第一层上方的第二层，包括电阻式开关元件，第二层上方的第三层包括第二导电电极， 在加热存储元件时在第一层和第二层之间的第一界面处在开关元件中产生第一应力，并且其中在第二层和第三层之间的第二界面处在开关元件中产生第二应力 加热。 等于第一应力和第二应力之间的差的应力梯度具有大于50MPa的绝对值，并且存储元件的复位电压具有相对于具有与应力梯度相反的符号的公共电位的极性， 应用于第一导电电极。