公开(公告)号：US07288465B2

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：US11117122

申请日：2005-04-28

申请人： Allan D. Abrams ,  Donald W. Brouillette ,  Joseph D. Danaher ,  Timothy C. Krywanczyk ,  Rene A. Lamothe ,  Ivan J. Stone ,  Matthew R. Whalen

发明人： Allan D. Abrams ,  Donald W. Brouillette ,  Joseph D. Danaher ,  Timothy C. Krywanczyk ,  Rene A. Lamothe ,  Ivan J. Stone ,  Matthew R. Whalen

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L21/3081 ,  H01L21/304 ,  H01L2221/6834

摘要： There is provided a method for making a wafer comprising the steps of providing a substrate having a first surface, an opposite second surface, and at least one side edge defining a thickness of the substrate, the at least one side edge having a first peripheral region and a second peripheral region adjacent to the first peripheral region. The method includes applying a fluid to the first surface and the first peripheral region of the at least one side edge and removing the opposite second surface and the second peripheral region of the at least one side edge to form a third surface. A semiconductor chip made from the method for making the wafer is also provided.

摘要翻译： 提供了一种用于制造晶片的方法，包括以下步骤：提供具有第一表面，相对的第二表面和限定衬底的厚度的至少一个侧边缘的衬底，所述至少一个侧边缘具有第一周边区域 以及与第一周边区域相邻的第二周边区域。 该方法包括将流体施加到至少一个侧边缘的第一表面和第一周边区域，并且移除至少一个侧边缘的相对的第二表面和第二周边区域以形成第三表面。 还提供了由制造晶片的方法制成的半导体芯片。

公开(公告)号：US07001827B2

公开(公告)日：2006-02-21

申请号：US10413698

申请日：2003-04-15

申请人： Allan D. Abrams ,  Donald W. Brouillette ,  Joseph D. Danaher ,  Timothy C. Krywanczyk ,  Rene A. Lamothe ,  Ivan J. Stone ,  Matthew R. Whalen

发明人： Allan D. Abrams ,  Donald W. Brouillette ,  Joseph D. Danaher ,  Timothy C. Krywanczyk ,  Rene A. Lamothe ,  Ivan J. Stone ,  Matthew R. Whalen

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L21/304 ,  H01L2221/6834

摘要： There is provided a method for making a wafer including the steps of providing a substrate having a first surface, an opposite second surface, and at least one side edge defining a thickness of the substrate, the at least one side edge having a first peripheral region and a second peripheral region adjacent to the first peripheral region. The method includes applying a fluid to the first surface and the first peripheral region of the at least one side edge and removing the opposite second surface and the second peripheral region of the at least one side edge to form a third surface. A semiconductor chip made from the method for making the wafer is also provided.

摘要翻译： 提供了一种用于制造晶片的方法，包括以下步骤：提供具有第一表面，相对的第二表面的基底和限定基底的厚度的至少一个侧边缘，所述至少一个侧边缘具有第一周边区域 以及与第一周边区域相邻的第二周边区域。 该方法包括将流体施加到至少一个侧边缘的第一表面和第一周边区域，并且移除至少一个侧边缘的相对的第二表面和第二周边区域以形成第三表面。 还提供了由制造晶片的方法制成的半导体芯片。

公开(公告)号：US4624740A

公开(公告)日：1986-11-25

申请号：US693698

申请日：1985-01-22

申请人： Allan D. Abrams ,  Robert C. Bausmith ,  Karey L. Holland ,  Steven P. Holland

发明人： Allan D. Abrams ,  Robert C. Bausmith ,  Karey L. Holland ,  Steven P. Holland

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/312 ,  B44C1/22 ,  C03C25/06

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/31116 ,  Y10S438/978

摘要： A method of selectively tailoring the slope of via hole sidewalls. A first polyimide layer (in which the vias are to be formed) is covered by a strippable layer, and the two layers are isotropically etched. By varying the thickness of the strippable layer with respect to that of the polyimide layer, the slope of the via hole sidewalls can be controlled.

摘要翻译： 选择性地定制通孔侧壁的斜率的方法。 第一聚酰亚胺层（其中将形成通孔）被可剥离层覆盖，并且两层被各向同性地蚀刻。 通过改变可剥离层相对于聚酰亚胺层的厚度，可以控制通孔侧壁的斜率。