公开(公告)号：US20090175781A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US12240762

申请日：2008-09-29

申请人： Arvind Kumar ,  Indrajit Mukhopadhyay ,  Pushpito Kumar Ghosh ,  Vadakke Puthoor Mohandas ,  Jignesh Jasvantrai Shukla ,  Rahul Jasvantrai Sanghavi

发明人： Arvind Kumar ,  Indrajit Mukhopadhyay ,  Pushpito Kumar Ghosh ,  Vadakke Puthoor Mohandas ,  Jignesh Jasvantrai Shukla ,  Rahul Jasvantrai Sanghavi

IPC分类号： C01D3/06

CPC分类号： C01D3/16 ,  C01D3/06

摘要： The process of the invention is an improvement over the existing process of producing salt of high purity from alum-treated brine disclosed recently in the prior art. More particularly, the invention rectifies the ratio of Ca2+ to Mg2+ from a value

摘要翻译： 本发明的方法是相对于现有技术中最近公开的由明矾处理的卤水生产高纯度盐的现有方法的改进。 更具体地说，本发明将Ca2 +与Mg2 +的比值从值<1改为由氯碱和苏打灰工业所要求的2-3的范围内的值。 改进的方法包括用HCl水溶液调节澄清盐水的pH，以便在pH6.5下进行盐结晶，而不是在7的天然pH下进行盐结晶。pH调节降低了盐中的Mg 2+杂质，同时略微提高了Ca2 +杂质 在盐中，从而达到所需的比例。

公开(公告)号：US08021442B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12240762

申请日：2008-09-29

申请人： Arvind Kumar ,  Indrajit Mukhopadhyay ,  Pushpito Kumar Ghosh ,  Vadakke Puthoor Mohandas ,  Jignesh Jasvantrai Shukla ,  Rahul Jasvantrai Sanghavi

发明人： Arvind Kumar ,  Indrajit Mukhopadhyay ,  Pushpito Kumar Ghosh ,  Vadakke Puthoor Mohandas ,  Jignesh Jasvantrai Shukla ,  Rahul Jasvantrai Sanghavi

IPC分类号： C01D3/00

CPC分类号： C01D3/16 ,  C01D3/06

摘要： The process of the invention is an improvement over the existing process of producing salt of high purity from alum-treated brine disclosed recently in the prior art. More particularly, the invention rectifies the ratio of Ca2+ to Mg2+ from a value

摘要翻译： 本发明的方法是相对于现有技术中最近公开的由明矾处理的卤水生产高纯度盐的现有方法的改进。 更具体地说，本发明将Ca2 +与Mg2 +的比值从值<1改为由氯碱和苏打灰工业所要求的2-3的范围内的值。 改进的方法包括用HCl水溶液调节澄清盐水的pH，以便在pH6.5下进行盐结晶，而不是在7的天然pH下进行盐结晶。pH调节降低了盐中的Mg 2+杂质，同时略微提高了Ca2 +杂质 在盐中，从而达到所需的比例。

公开(公告)号：US09619538B2

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：US14041719

申请日：2013-09-30

申请人： Thomas Kevin Ryan ,  Achal Patel ,  Neelesh Bansode ,  Arvind Kumar ,  Anand Louis

发明人： Thomas Kevin Ryan ,  Achal Patel ,  Neelesh Bansode ,  Arvind Kumar ,  Anand Louis

IPC分类号： G06F17/30

CPC分类号： G06F17/30569

摘要： Techniques for data integration are provided. Source attributes for source data are interactively mapped to target attributes for target data. Rules define how records from the source data are merged, selected, and for duplication detection. The mappings and rules are recorded as a profile for the source data and processed against the source data to transform the source attributes to the target attributes.

公开(公告)号：US20160379048A1

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：US14752529

申请日：2015-06-26

申请人： Arvind Kumar

发明人： Arvind Kumar

IPC分类号： G06K9/00 ,  G06K9/62 ,  G06T11/60

CPC分类号： G06K9/00409 ,  G06K9/00355 ,  G06K9/00402 ,  G06K9/6256 ,  G06T11/203 ,  G06T11/60

摘要： Systems, apparatuses and methods may provide font substitution based on a custom font. In one example, a custom handwritten font may be generated based on a comparison between handwritten sample text and training text. In another example, handwritten original text may be converted to unique machine text based on a substitution of the handwritten original text with the custom handwritten font. Thus, a user's handwriting may be converted to the user's own best or preferred handwriting.

摘要翻译： 系统，设备和方法可以提供基于定制字体的字体替换。 在一个示例中，可以基于手写样本文本和训练文本之间的比较来生成自定义手写字体。 在另一个例子中，手写的原始文本可以基于用手写字体代替手写的原始文本而被转换为唯一的机器文本。 因此，用户的笔迹可以被转换成用户自己的最佳或优选的笔迹。

公开(公告)号：US08816473B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13440172

申请日：2012-04-05

申请人： Arvind Kumar ,  Anthony I-Chih Chou ,  Renee T. Mo ,  Shreesh Narasimha

发明人： Arvind Kumar ,  Anthony I-Chih Chou ,  Renee T. Mo ,  Shreesh Narasimha

IPC分类号： H01L29/86 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L21/84 ,  H01L28/20 ,  H01L29/86 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure providing a precision resistive element and method of fabrication is disclosed. Polysilicon is embedded in a silicon substrate. The polysilicon may be doped to control the resistance. Embodiments may include resistors, eFuses, and silicon-on-insulator structures. Some embodiments may include non-rectangular cross sections.

摘要翻译： 公开了提供精密电阻元件的半导体结构和制造方法。 多晶硅嵌入在硅衬底中。 可以掺杂多晶硅以控制电阻。 实施例可以包括电阻器，eFuse和绝缘体上硅结构。 一些实施例可以包括非矩形横截面。

公开(公告)号：US20140215437A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：US13976971

申请日：2013-03-15

申请人： Venkatraman Iyer ,  Darren S. Jue ,  Rahul Shah ,  Arvind Kumar

发明人： Venkatraman Iyer ,  Darren S. Jue ,  Rahul Shah ,  Arvind Kumar

IPC分类号： G06F9/44

CPC分类号： G06F13/22 ,  G06F1/3287 ,  G06F8/71 ,  G06F8/73 ,  G06F8/77 ,  G06F9/30145 ,  G06F9/44505 ,  G06F9/466 ,  G06F11/1004 ,  G06F12/0806 ,  G06F12/0808 ,  G06F12/0813 ,  G06F12/0815 ,  G06F12/0831 ,  G06F12/0833 ,  G06F13/4022 ,  G06F13/4068 ,  G06F13/4221 ,  G06F13/4282 ,  G06F13/4286 ,  G06F13/4291 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/2542 ,  G06F2212/622 ,  H04L9/0662 ,  H04L12/4641 ,  H04L45/74 ,  H04L49/15 ,  Y02D10/13 ,  Y02D10/14 ,  Y02D10/151 ,  Y02D10/40 ,  Y02D10/44 ,  Y02D30/30

摘要： A serial data link is to be adapted during initialization of the link. Adaptation of the link is to include receiving a pseudorandom binary sequence (PRBS) from a remote agent, analyzing the PRBS to identify characteristics of the data link, and generating metric data describing the characteristics.

摘要翻译： 串行数据链路在链路初始化期间进行调整。 链路的适应包括从远程代理接收伪随机二进制序列（PRBS），分析PRBS以识别数据链路的特性，以及生成描述特征的度量数据。

公开(公告)号：US20140176572A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：US13724291

申请日：2012-12-21

申请人： Balaji Vembu ,  David I. Poisner ,  Arvind Kumar ,  Chaitanya R. Gandra

发明人： Balaji Vembu ,  David I. Poisner ,  Arvind Kumar ,  Chaitanya R. Gandra

IPC分类号： G06T1/20

CPC分类号： G06T1/20

摘要： In an embodiment, a processor includes a graphics domain including a graphics engines each having at least one execution unit. The graphics domain is to schedule a touch application offloaded from a core domain to at least one of the plurality of graphics engines. The touch application is to execute responsive to an update to a doorbell location in a system memory coupled to the processor, where the doorbell location is written responsive to a user input to the touch input device. Other embodiments are described and claimed.

公开(公告)号：US08673738B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13531780

申请日：2012-06-25

申请人： Bruce B. Doris ,  Kangguo Cheng ,  Balasubramanian S. Haran ,  Ali Khakifirooz ,  Pranita Kulkarni ,  Arvind Kumar ,  Shom Ponoth

发明人： Bruce B. Doris ,  Kangguo Cheng ,  Balasubramanian S. Haran ,  Ali Khakifirooz ,  Pranita Kulkarni ,  Arvind Kumar ,  Shom Ponoth

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76283

摘要： Shallow trench isolation structures are provided for use with UTBB (ultra-thin body and buried oxide) semiconductor substrates, which prevent defect mechanisms from occurring, such as the formation of electrical shorts between exposed portions of silicon layers on the sidewalls of shallow trench of a UTBB substrate, in instances when trench fill material of the shallow trench is subsequently etched away and recessed below an upper surface of the UTBB substrate.

摘要翻译： 提供了与UTBB（超薄体和掩埋氧化物）半导体衬底一起使用的浅沟槽隔离结构，其防止发生缺陷机制，例如在浅沟槽的侧壁上的硅层的暴露部分之间形成电短路 UTBB衬底，在浅沟槽的沟槽填充材料随后被蚀刻掉并凹入UTBB衬底的上表面的情况下。

公开(公告)号：US20140073302A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：US13608419

申请日：2012-09-10

申请人： James R. Trethewey ,  Arvind Kumar ,  Kristoffer D. Fleming ,  Ajay V. Bhatt ,  Roger A. Hurwitz ,  Huaiyu Liu ,  Stuart A. Golden

发明人： James R. Trethewey ,  Arvind Kumar ,  Kristoffer D. Fleming ,  Ajay V. Bhatt ,  Roger A. Hurwitz ,  Huaiyu Liu ,  Stuart A. Golden

IPC分类号： H04W24/02

CPC分类号： H04W24/02 ,  G06F1/3215 ,  G06F1/329 ,  H04W48/04 ,  H04W52/0251 ,  H04W52/0254 ,  Y02D10/24 ,  Y02D70/124 ,  Y02D70/1262 ,  Y02D70/142 ,  Y02D70/144 ,  Y02D70/164 ,  Y02D70/22 ,  Y02D70/26

摘要： A method to adjust operation of a network controller of a device is disclosed. The method may include receiving contextual data from a sensor communicatively coupled to the device. The method may also include analyzing the contextual data to determine the context of the device. The method may also include modifying the network controller operation based on the analyzed contextual data.

摘要翻译： 公开了一种调整设备的网络控制器的操作的方法。 该方法可以包括从通信地耦合到该设备的传感器接收上下文数据。 该方法还可以包括分析上下文数据以确定设备的上下文。 该方法还可以包括基于所分析的上下文数据修改网络控制器操作。

公开(公告)号：US20130264679A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：US13440172

申请日：2012-04-05

申请人： Arvind Kumar ,  Anthony I. Chou ,  Renee T. Mo ,  Shreesh Narasimha

发明人： Arvind Kumar ,  Anthony I. Chou ,  Renee T. Mo ,  Shreesh Narasimha

IPC分类号： H01L29/86 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L21/84 ,  H01L28/20 ,  H01L29/86 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure providing a precision resistive element and method of fabrication is disclosed. Polysilicon is embedded in a silicon substrate. The polysilicon may be doped to control the resistance. Embodiments may include resistors, eFuses, and silicon-on-insulator structures. Some embodiments may include non-rectangular cross sections.

摘要翻译： 公开了提供精密电阻元件的半导体结构和制造方法。 多晶硅嵌入在硅衬底中。 可以掺杂多晶硅以控制电阻。 实施例可以包括电阻器，eFuse和绝缘体上硅结构。 一些实施例可以包括非矩形横截面。