公开(公告)号：US08222680B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US10274961

申请日：2002-10-22

申请人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

摘要： A double gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin, a first gate and a second gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate surrounds the fin and the first gate. In another implementation, a triple gate MOSFET includes a fin, a first gate, a second gate, and a third gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate is formed adjacent the fin. The third gate is formed adjacent the fin and opposite the second gate.

摘要翻译： 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括鳍状物，第一栅极和第二栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门围绕翅片和第一个门。 在另一实施方案中，三栅极MOSFET包括鳍片，第一栅极，第二栅极和第三栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门形成在翅片附近。 第三栅极形成在翅片附近并与第二栅极相对。

公开(公告)号：US06706571B1

公开(公告)日：2004-03-16

申请号：US10274951

申请日：2002-10-22

申请人： Bin Yu ,  Judy Xilin An ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang

发明人： Bin Yu ,  Judy Xilin An ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78684

摘要： A method of forming multiple structures in a semiconductor device includes depositing a film over a conductive layer, etching a trench in a portion of the film and forming adjacent the sidewalls of the trench. The film may then be etched, followed by an of the conductive layer to form the structures.

摘要翻译： 在半导体器件中形成多个结构的方法包括在导电层上沉积膜，蚀刻膜的一部分中的沟槽并且形成在沟槽的侧壁附近。 然后可以对该膜进行蚀刻，然后进行导电层的形成以形成结构。

公开(公告)号：US08580660B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13523603

申请日：2012-06-14

申请人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

摘要： A double gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin, a first gate and a second gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate surrounds the fin and the first gate. In another implementation, a triple gate MOSFET includes a fin, a first gate, a second gate, and a third gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate is formed adjacent the fin. The third gate is formed adjacent the fin and opposite the second gate.

摘要翻译： 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括鳍状物，第一栅极和第二栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门围绕翅片和第一个门。 在另一实施方案中，三栅极MOSFET包括鳍片，第一栅极，第二栅极和第三栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门形成在翅片附近。 第三栅极形成在翅片附近并与第二栅极相对。

公开(公告)号：US07432558B1

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US10863392

申请日：2004-06-09

申请人： Shibly S. Ahmed ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Cyrus E. Tabery ,  Bin Yu

发明人： Shibly S. Ahmed ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Cyrus E. Tabery ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor device may include a substrate and an insulating layer formed on the substrate. A fin may be formed on the insulating layer. The fin may include a side surface and a top surface, and the side surface may have a orientation. A first gate may be formed on the insulating layer proximate to the side surface of the fin.

摘要翻译： 半导体器件可以包括衬底和形成在衬底上的绝缘层。 可以在绝缘层上形成翅片。 翅片可以包括侧表面和顶表面，并且侧表面可以具有<100>取向。 第一栅极可以形成在靠近鳍片的侧表面的绝缘层上。

公开(公告)号：US06872647B1

公开(公告)日：2005-03-29

申请号：US10429780

申请日：2003-05-06

申请人： Bin Yu ,  Judy Xilin An ,  Cyrus E. Tabery

发明人： Bin Yu ,  Judy Xilin An ,  Cyrus E. Tabery

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： A method of forming multiple fins in a semiconductor device includes forming a structure having an upper surface and side surfaces on the semiconductor device. The semiconductor device includes a conductive layer located below the structure. The method also includes forming spacers adjacent the structure and selectively etching the spacers and the conductive layer to form the fins. The fins may be used in a FinFET device.

摘要翻译： 在半导体器件中形成多个散热片的方法包括形成具有半导体器件上表面和侧表面的结构。 半导体器件包括位于结构下方的导电层。 该方法还包括在该结构附近形成间隔物并选择性地蚀刻间隔物和导电层以形成翅片。 翅片可用于FinFET器件。

公开(公告)号：US07029958B2

公开(公告)日：2006-04-18

申请号：US10699887

申请日：2003-11-04

申请人： Cyrus E. Tabery ,  Shibly S. Ahmed ,  Matthew S. Buynoski ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Chih-Yuh Yang ,  Bin Yu

发明人： Cyrus E. Tabery ,  Shibly S. Ahmed ,  Matthew S. Buynoski ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Chih-Yuh Yang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7842

摘要： A method for forming a metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes patterning a fin area, a source region, and a drain region on a substrate, forming a fin in the fin area, and forming a mask in the fin area. The method further includes etching the mask to expose a channel area of the MOSFET, etching the fin to thin a width of the fin in the channel area, forming a gate over the fin, and forming contacts to the gate, the source region, and the drain region.

摘要翻译： 一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的方法包括在衬底上构图翅片区域，源极区域和漏极区域，在翅片区域中形成鳍片，并在鳍片区域中形成掩模 。 该方法还包括蚀刻掩模以暴露MOSFET的沟道区域，蚀刻鳍以在沟道区域中减薄翅片的宽度，在鳍上方形成栅极，以及形成与栅极，源区和 漏极区域。

公开(公告)号：US06787854B1

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：US10385753

申请日：2003-03-12

申请人： Chih-Yuh Yang ,  Shibly S. Ahmed ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Chih-Yuh Yang ,  Shibly S. Ahmed ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L218238

CPC分类号： H01L29/7853 ,  H01L29/66818

摘要： A method for forming a fin structure on a silicon-on-insulator (SOI) wafer that includes a silicon layer on an insulating layer that is formed over a semiconductor substrate includes etching the silicon layer using a first etch procedure, etching, following the first etch procedure, the silicon layer using a second etch procedure, and etching, following the second etch procedure, the silicon layer using a third etch procedure to form a T-shaped fin structure.

摘要翻译： 一种在绝缘体上硅（SOI）晶片上形成翅片结构的方法，包括在半导体衬底上形成的绝缘层上的硅层，包括使用第一蚀刻步骤蚀刻硅层，然后蚀刻第一 蚀刻步骤，使用第二蚀刻步骤的硅层，以及在第二蚀刻程序之后，使用第三蚀刻工艺蚀刻硅层以形成T形翅片结构。

公开(公告)号：US06645797B1

公开(公告)日：2003-11-11

申请号：US10310926

申请日：2002-12-06

申请人： Matthew S. Buynoski ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Chih-Yuh Yang ,  Bin Yu

发明人： Matthew S. Buynoski ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Chih-Yuh Yang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L2184

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795

摘要： A method for forming a fin in a semiconductor device that includes a substrate, an insulating layer formed on the substrate, and a conductive layer formed on the insulating layer, includes forming a carbon layer over the conductive layer and forming a mask over the carbon layer. The method further includes etching the mask and carbon layer to form at least one structure, where the structure has a first width, reducing the width of the carbon layer in the at least one structure to a second width, depositing an oxide layer to surround the at least one structure, removing a portion of the oxide layer and the mask, removing the carbon layer to form an opening in a remaining portion of the oxide layer for each of the at least one structure, filling the at least one opening with conductive material, and removing the remaining portion of the oxide layer and a portion of the conductive layer to form the fin.

摘要翻译： 一种在半导体器件中形成翅片的方法，包括：衬底，形成在衬底上的绝缘层和形成在绝缘层上的导电层，包括在导电层上形成碳层，并在碳层上形成掩模 。 该方法还包括蚀刻掩模和碳层以形成至少一种结构，其中结构具有第一宽度，将至少一个结构中的碳层的宽度减小到第二宽度，沉积氧化物层以围绕 至少一个结构，去除所述氧化物层和所述掩模的一部分，除去所述碳层以在所述至少一个结构中的每一个结构的氧化物层的剩余部分中形成开口，用导电材料填充所述至少一个开口 并且去除氧化物层的剩余部分和导电层的一部分以形成翅片。

公开(公告)号：US06787439B2

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：US10290276

申请日：2002-11-08

申请人： Shibly S. Ahmed ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Shibly S. Ahmed ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L213205

CPC分类号： H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device may include forming a fin structure on an insulator. The fin structure may include side surfaces and a top surface. The method may also include depositing a gate material over the fin structure and planarizing the deposited gate material. An antireflective coating may be deposited on the planarized gate material, and a gate structure may be formed out of the planarized gate material using the antireflective coating.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法可以包括在绝缘体上形成翅片结构。 翅片结构可以包括侧表面和顶表面。 该方法还可以包括在鳍结构上沉积栅极材料并平坦化沉积的栅极材料。 可以在平坦化的栅极材料上沉积抗反射涂层，并且可以使用抗反射涂层从平坦化栅极材料形成栅极结构。

公开(公告)号：US06787476B1

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：US10632989

申请日：2003-08-04

申请人： Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Cyrus E. Tabery ,  Chih-Yuh Yang ,  Bin Yu

发明人： Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Cyrus E. Tabery ,  Chih-Yuh Yang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795

摘要： A method of forming a gate for a Fin Field Effect Transistor (FinFET) is provided. The method includes forming a first layer of material over a fin and forming a second layer over the first layer. The second layer includes either Ti or TiN. The method further includes forming a third layer over the second layer. The third layer includes an anti-reflective coating. The method also includes etching the first, second and third layers to form the gate for the FinFET.

摘要翻译： 提供了一种形成Fin场效应晶体管（FinFET）的栅极的方法。 该方法包括在翅片上形成第一层材料，并在第一层上形成第二层。 第二层包括Ti或TiN。 该方法还包括在第二层上形成第三层。 第三层包括抗反射涂层。 该方法还包括蚀刻第一，第二和第三层以形成用于FinFET的栅极。