公开(公告)号：US20070224743A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11756078

申请日：2007-05-31

申请人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin ,  William Clark

发明人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin ,  William Clark

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L29/78606 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/785

摘要： A fin-type field effect transistor has an insulator layer above a substrate and a fin extending above the insulator layer. The fin has a channel region, and source and drain regions. A gate conductor is positioned over the channel region. The insulator layer includes a heat dissipating structural feature adjacent the fin, and a portion of the gate conductor contacts the heat dissipating structural feature. The heat dissipating structural feature can comprise a recess within the insulator layer or a thermal conductor extending through the insulator layer.

摘要翻译： 翅片型场效应晶体管具有在衬底上方的绝缘体层和在绝缘体层上方延伸的翅片。 鳍片有一个通道区域，以及源极和漏极区域。 栅极导体位于沟道区域的上方。 绝缘体层包括邻近翅片的散热结构特征，并且栅极导体的一部分接触散热结构特征。 散热结构特征可以包括绝缘体层内的凹槽或延伸穿过绝缘体层的热导体。

公开(公告)号：US20070134864A1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：US11671795

申请日：2007-02-06

申请人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin

发明人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

摘要： Disclosed is a structure and method for producing a fin-type field effect transistor (FinFET) that has a buried oxide layer over a substrate, at least one first fin structure and at least one second fin structure positioned on the buried oxide layer. First spacers are adjacent the first fin structure and second spacers are adjacent the second fin structure. The first spacers cover a larger portion of the first fin structure when compared to the portion of the second fin structure covered by the second spacers. Those fins that have larger spacers will receive a smaller area of semiconductor doping and those fins that have smaller spacers will receive a larger area of semiconductor doping. Therefore, there is a difference in doping between the first fins and the second fins that is caused by the differently sized spacers. The difference in doping between the first fins and the second fins changes an effective width of the second fins when compared to the first fins.

摘要翻译： 公开了一种用于制造在衬底上具有掩埋氧化层的鳍式场效应晶体管（FinFET）的结构和方法，至少一个第一鳍结构和位于掩埋氧化物层上的至少一个第二鳍结构。 第一间隔件与第一翅片结构相邻，第二间隔件邻近第二翅片结构。 当与由第二间隔物覆盖的第二鳍结构的部分相比时，第一间隔物覆盖第一鳍结构的较大部分。 具有较大间隔物的那些翅片将接收较小的半导体掺杂面积，并且具有较小间隔物的那些翅片将接收更大面积的半导体掺杂。 因此，由不同尺寸的间隔件引起的第一散热片和第二散热片之间的掺杂存在差异。 与第一鳍片相比，第一鳍片和第二鳍片之间的掺杂差异改变了第二鳍片的有效宽度。

公开(公告)号：US20070264729A1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：US11382489

申请日：2006-05-10

申请人： Brent Anderson ,  Shahid Butt ,  Allen Gabor ,  Patrick Lindo ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin

发明人： Brent Anderson ,  Shahid Butt ,  Allen Gabor ,  Patrick Lindo ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01R31/26

CPC分类号： H01L22/20

摘要： A method of reducing parametric variation in an integrated circuit (IC) chip and an IC chip with reduced parametric variation. The method includes: on a first wafer having a first arrangement of chips, each IC chip divided into a second arrangement of regions, measuring a test device parameter of test devices distributed in different regions; and on a second wafer having the first arrangement of IC chips and the second arrangement of regions, adjusting a functional device parameter of identically designed field effect transistors within one or more regions of all IC chips of the second wafer based on a values of the test device parameter measured on test devices in regions of the IC chip of the first wafer by a non-uniform adjustment of physical or metallurgical polysilicon gate widths of the identically designed field effect transistors from region to region within each IC chip.

摘要翻译： 一种降低参数变化减小的集成电路（IC）芯片和IC芯片的参数变化的方法。 该方法包括：在具有第一芯片布置的第一晶片上，将每个IC芯片分成第二区域布置，测量分布在不同区域中的测试装置的测试装置参数; 并且在具有IC芯片的第一布置和第二区域布置的第二晶片上，基于测试值调整第二晶片的所有IC芯片的一个或多个区域内相同设计的场效应晶体管的功能器件参数 在第一晶片的IC芯片的区域中的测试装置上测量的器件参数通过在每个IC芯片内的区域到区域的相同设计的场效应晶体管的物理或冶金多晶硅栅极宽度的不均匀调整而不均匀地调整。

公开(公告)号：US20050280090A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：US11213231

申请日：2005-08-26

申请人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin

发明人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/01

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795

摘要： A FinFET structure and method of forming a FinFET device. The method includes: (a) providing a semiconductor substrate, (b) forming a dielectric layer on a top surface of the substrate; (c) forming a silicon fin on a top surface of the dielectric layer; (d) forming a protective layer on at least one sidewall of the fin; and (e) removing the protective layer from the at least one sidewall in a channel region of the fin. In a second embodiment, the protective layer is converted to a protective spacer.

摘要翻译： FinFET结构和形成FinFET器件的方法。 该方法包括：（a）提供半导体衬底，（b）在衬底的顶表面上形成电介质层; （c）在所述电介质层的顶表面上形成硅鳍片; （d）在翅片的至少一个侧壁上形成保护层; 和（e）在所述翅片的通道区域中从所述至少一个侧壁去除所述保护层。 在第二实施例中，保护层被转换成保护间隔物。

公开(公告)号：US20050161739A1

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：US10707964

申请日：2004-01-28

申请人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin

发明人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L21/36 ,  H01L31/0392

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

摘要： Disclosed is a structure and method for producing a fin-type field effect transistor (FinFET) that has a buried oxide layer over a substrate, at least one first fin structure and at least one second fin structure positioned on the buried oxide layer. First spacers are adjacent the first fin structure and second spacers are adjacent the second fin structure. The first spacers cover a larger portion of the first fin structure when compared to the portion of the second fin structure covered by the second spacers. Those fins that have larger spacers will receive a smaller area of semiconductor doping and those fins that have smaller spacers will receive a larger area of semiconductor doping. Therefore, there is a difference in doping between the first fins and the second fins that is caused by the differently sized spacers. The difference in doping between the first fins and the second fins changes an effective width of the second fins when compared to the first fins.

摘要翻译： 公开了一种用于制造在衬底上具有掩埋氧化层的鳍式场效应晶体管（FinFET）的结构和方法，至少一个第一鳍结构和位于掩埋氧化物层上的至少一个第二鳍结构。 第一间隔件与第一翅片结构相邻，第二间隔件邻近第二翅片结构。 当与由第二间隔物覆盖的第二鳍结构的部分相比时，第一间隔物覆盖第一鳍结构的较大部分。 具有较大间隔物的那些翅片将接收较小的半导体掺杂面积，并且具有较小间隔物的那些翅片将接收更大面积的半导体掺杂。 因此，由不同尺寸的间隔件引起的第一散热片和第二散热片之间的掺杂存在差异。 与第一鳍片相比，第一鳍片和第二鳍片之间的掺杂差异改变了第二鳍片的有效宽度。

公开(公告)号：US20050093074A1

公开(公告)日：2005-05-05

申请号：US10605905

申请日：2003-11-05

申请人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin

发明人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795

摘要： A FinFET structure and method of forming a FinFET device. The method includes: (a) providing a semiconductor substrate, (b) forming a dielectric layer on a top surface of the substrate; (c) forming a silicon fin on a top surface of the dielectric layer; (d) forming a protective layer on at least one sidewall of the fin; and (e) removing the protective layer from the at least one sidewall in a channel region of the fin. In a second embodiment, the protective layer is converted to a protective spacer.

摘要翻译： FinFET结构和形成FinFET器件的方法。 该方法包括：（a）提供半导体衬底，（b）在衬底的顶表面上形成电介质层; （c）在所述电介质层的顶表面上形成硅鳍片; （d）在翅片的至少一个侧壁上形成保护层; 和（e）在所述翅片的通道区域中从所述至少一个侧壁去除所述保护层。 在第二实施例中，保护层被转换成保护间隔物。

公开(公告)号：US20070194373A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：US11276274

申请日：2006-02-22

申请人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin

发明人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/84 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1211

摘要： A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) structure includes a semiconductor substrate having first mesa having a first ratio of channel effective horizontal surface area to channel effective vertical surface area. The CMOS structure also includes a second mesa having a second ratio of the same surface areas that is greater than the first ratio. A first device having a first polarity uses the first mesa as a channel and benefits from the enhanced vertical crystallographic orientation. A second device having a second polarity different from the first polarity uses the second mesa as a channel and benefits from the enhanced horizontal crystallographic orientation.

摘要翻译： 互补金属氧化物半导体（CMOS）结构包括具有第一台面的半导体衬底，其具有沟道有效水平表面积与沟道有效垂直表面面积的第一比率。 CMOS结构还包括具有大于第一比率的相同表面积的第二比率的第二台面。 具有第一极性的第一器件使用第一台面作为通道，并且受益于增强的垂直结晶取向。 具有与第一极性不同的第二极性的第二装置使用第二台面作为通道，并且受益于增强的水平晶体取向。

公开(公告)号：US20070010049A1

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：US11160360

申请日：2005-06-21

申请人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin ,  William Clark

发明人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin ,  William Clark

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/78606 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/785

摘要： A fin-type field effect transistor has an insulator layer above a substrate and a fin extending above the insulator layer. The fin has a channel region, and source and drain regions. A gate conductor is positioned over the channel region. The insulator layer includes a heat dissipating structural feature adjacent the fin, and a portion of the gate conductor contacts the heat dissipating structural feature. The heat dissipating structural feature can comprise a recess within the insulator layer or a thermal conductor extending through the insulator layer.

公开(公告)号：US20060084212A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US11200271

申请日：2005-08-09

申请人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin

发明人： Brent Anderson ,  Edward Nowak ,  Jed Rankin

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795

摘要： A planar substrate device integrated with fin field effect transistors (FinFETs) and a method of manufacture comprises a silicon-on-insulator (SOI) wafer comprising a substrate; a buried insulator layer over the substrate; and a semiconductor layer over the buried insulator layer. The structure further comprises a FinFET over the buried insulator layer and a field effect transistor (FET) integrated in the substrate, wherein the FET gate is planar to the FinFET gate. The structure further comprises retrograde well regions configured in the substrate. In one embodiment, the structure further comprises a shallow trench isolation region configured in the substrate.

摘要翻译： 与鳍状场效应晶体管（FinFET）集成的平面基板器件和制造方法包括：包括衬底的绝缘体上硅（SOI）晶片; 衬底上的掩埋绝缘体层; 以及掩埋绝缘体层上的半导体层。 所述结构还包括在所述掩埋绝缘体层上的FinFET和集成在所述衬底中的场效应晶体管（FET），其中所述FET栅极与所述FinFET栅极平面。 该结构还包括在衬底中配置的逆行阱区。 在一个实施例中，该结构还包括在衬底中配置的浅沟槽隔离区域。

公开(公告)号：US20070254438A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11774663

申请日：2007-07-09

申请人： Andres Bryant ,  Meikei Ieong ,  K. Muller ,  Edward Nowak ,  David Fried ,  Jed Rankin

发明人： Andres Bryant ,  Meikei Ieong ,  K. Muller ,  Edward Nowak ,  David Fried ,  Jed Rankin

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： A method for forming a transistor. A semiconductor substrate is provided. The semiconductor substrate is patterned to provide a first body edge. A first gate structure of a first fermi level is provided adjacent the first body edge. The semiconductor substrate is patterned to provide a second body edge. The first and second body edges of the semiconductor substrate define a transistor body. A second gate structure of a second fermi level is provided adjacent the second body edge. A substantially uniform dopant concentration density is formed throughout the transistor body.

摘要翻译： 一种形成晶体管的方法。 提供半导体衬底。 图案化半导体衬底以提供第一本体边缘。 在第一身体边缘附近提供第一费米能级的第一门结构。 图案化半导体衬底以提供第二本体边缘。 半导体衬底的第一和第二主体边缘限定晶体管体。 在第二身体边缘附近设置第二费米能级的第二门结构。 在整个晶体管本体中形成基本均匀的掺杂剂浓度密度。