公开(公告)号：US07994003B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US12382646

申请日：2009-03-20

申请人： Byong-Ju Kim ,  Sun-Jung Kim ,  Zong-Liang Huo ,  Jun-Kyu Yang ,  Seon-Ho Jo ,  Han-Mei Choi ,  Young-Sun Kim

发明人： Byong-Ju Kim ,  Sun-Jung Kim ,  Zong-Liang Huo ,  Jun-Kyu Yang ,  Seon-Ho Jo ,  Han-Mei Choi ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/84 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A method of fabricating a nonvolatile memory device includes forming a tunnel insulating layer on a semiconductor substrate, forming a charge storage layer on the tunnel insulating layer, forming a dielectric layer on the charge storage layer, the dielectric layer including a first aluminum oxide layer, a silicon oxide layer, and a second aluminum oxide layer sequentially stacked on the charge storage layer, and forming a gate electrode on the dielectric layer, the gate electrode directly contacting the second aluminum oxide layer of the dielectric layer.

摘要翻译： 一种制造非易失性存储器件的方法包括在半导体衬底上形成隧道绝缘层，在隧道绝缘层上形成电荷存储层，在电荷存储层上形成电介质层，电介质层包括第一氧化铝层， 氧化硅层和第二氧化铝层，所述第二氧化铝层依次堆叠在所述电荷存储层上，并且在所述电介质层上形成栅电极，所述栅电极与所述电介质层的所述第二氧化铝层直接接触。

公开(公告)号：US20090239367A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12382646

申请日：2009-03-20

申请人： Byong-Ju Kim ,  Sun-Jung Kim ,  Zong-Liang Huo ,  Jun-Kyu Yang ,  Seon-Ho Jo ,  Han-Mei Choi ,  Young-Sun Kim

发明人： Byong-Ju Kim ,  Sun-Jung Kim ,  Zong-Liang Huo ,  Jun-Kyu Yang ,  Seon-Ho Jo ,  Han-Mei Choi ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/84 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A method of fabricating a nonvolatile memory device includes forming a tunnel insulating layer on a semiconductor substrate, forming a charge storage layer on the tunnel insulating layer, forming a dielectric layer on the charge storage layer, the dielectric layer including a first aluminum oxide layer, a silicon oxide layer, and a second aluminum oxide layer sequentially stacked on the charge storage layer, and forming a gate electrode on the dielectric layer, the gate electrode directly contacting the second aluminum oxide layer of the dielectric layer.

摘要翻译： 一种制造非易失性存储器件的方法包括在半导体衬底上形成隧道绝缘层，在隧道绝缘层上形成电荷存储层，在电荷存储层上形成电介质层，电介质层包括第一氧化铝层， 氧化硅层和第二氧化铝层，所述第二氧化铝层依次堆叠在所述电荷存储层上，并且在所述电介质层上形成栅电极，所述栅电极与所述电介质层的所述第二氧化铝层直接接触。

公开(公告)号：US20100052041A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12550958

申请日：2009-08-31

申请人： Junkyu Yang ,  Young-Geun Park ,  Chunhyung Chung ,  EunSok Choi ,  Seon-Ho Jo ,  Hanmei Choi ,  Young-Sun Kim

发明人： Junkyu Yang ,  Young-Geun Park ,  Chunhyung Chung ,  EunSok Choi ,  Seon-Ho Jo ,  Hanmei Choi ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/4234 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/792

摘要： Provided is a nonvolatile memory device. The nonvolatile memory device may include a tunnel insulating layer on a semiconductor substrate; a charge trap layer disposed on the tunnel insulating layer and having an electron affinity greater than a silicon nitride layer; a barrier insulating layer on the charge trap layer; a blocking insulating layer on the barrier insulating layer; and a gate electrode on the blocking insulating layer. An electron affinity of the barrier insulating layer is smaller than an electron affinity of the blocking insulating layer.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件。 非易失性存储器件可以包括在半导体衬底上的隧道绝缘层; 电荷陷阱层，其设置在所述隧道绝缘层上并且具有大于氮化硅层的电子亲和力; 电荷陷阱层上的阻挡绝缘层; 阻挡绝缘层上的阻挡绝缘层; 以及在所述阻挡绝缘层上的栅电极。 阻挡绝缘层的电子亲和力小于阻挡绝缘层的电子亲和力。

公开(公告)号：US20110303971A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US13157659

申请日：2011-06-10

申请人： Changwon Lee ,  Kihyun Hwang ,  Hanmei Choi ,  Sun Woo Lee ,  Junkyu Yang ,  Sunggil Kim ,  Jeonggil Lee ,  Seon-Ho Jo

发明人： Changwon Lee ,  Kihyun Hwang ,  Hanmei Choi ,  Sun Woo Lee ,  Junkyu Yang ,  Sunggil Kim ,  Jeonggil Lee ,  Seon-Ho Jo

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926

摘要： A method for manufacturing a three-dimensional semiconductor memory includes forming a plurality of stacked structures disposed on a substrate to be spaced apart from each other, each of the stacked structures including a plurality of dielectric patterns and a plurality of polysilicon patterns alternately stacked, forming a metal layer to cover sidewalls of the stacked structures and a top surface of the substrate exposed between the stacked structures, and forming stacked gate electrodes on the substrate and a conductive line in the substrate by performing a silicidation process between the metal layer and each of the polysilicon patterns and the substrate.

摘要翻译： 一种三维半导体存储器的制造方法，其特征在于，在基板上形成多个层叠结构，使其彼此间隔开，所述堆叠结构中的每一个包括多个电介质图案和多个多晶硅图案，交替层叠，形成 覆盖层叠结构的侧壁的金属层和露出在层叠结构之间的基板的顶面，通过在金属层与金属层之间进行硅化处理，在基板上形成层叠的栅电极和基板的导电线 多晶硅图案和衬底。