公开(公告)号：US20110311718A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US12968328

申请日：2010-12-15

申请人： Cengiz Ahmet Palanduz ,  Allan Beikmohamadi ,  Juan Carlos Figueroa ,  David Ross McGregor ,  Damien Francis Reardon ,  Richard Ray Traylor

发明人： Cengiz Ahmet Palanduz ,  Allan Beikmohamadi ,  Juan Carlos Figueroa ,  David Ross McGregor ,  Damien Francis Reardon ,  Richard Ray Traylor

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： H01G4/33 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1283 ,  H01G4/1227 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/1194

摘要： Disclosed is a method of making a thin-film dielectric, comprising providing a base metal foil, forming a barium titanate-based dielectric precursor layer over a base metal foil, pre-annealing the dielectric precursor layer and base metal foil, rapidly heating the pre-annealed dielectric precursor layer from a temperature of less than 530° C. to an annealing temperature of more than 800° C. in less than 15 seconds; and annealing the dielectric to form a crystalline barium titanate-based dielectric on the base metal foil, wherein the crystalline barium titanate-based dielectric has grains with an average grain size that is greater or equal to 50 nanometers. Also disclosed is a method of making a capacitor comprised of the thin-film dielectric formed on a base metal foil according to the method described above with a second conductive layer formed over the dielectric.

摘要翻译： 公开了一种制造薄膜电介质的方法，包括提供基底金属箔，在基底金属箔上形成钛酸钡基电介质前体层，对电介质前体层和基底金属箔进行预退火，快速加热前体 从小于530℃的温度到大于800℃的退火温度在少于15秒内的退火电介质前体层; 并且在所述基底金属箔上退火所述电介质以形成结晶的钛酸钡基电介质，其中所述结晶钛酸钡基电介质具有平均晶粒尺寸大于或等于50纳米的晶粒。 还公开了一种制造电容器的方法，所述电容器由根据上述方法形成在基底金属箔上的薄膜电介质组成，并且在电介质上形成第二导电层。

公开(公告)号：US20050032254A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10887364

申请日：2004-07-08

申请人： Lap-Tak Cheng ,  Allan Beikmohamadi

发明人： Lap-Tak Cheng ,  Allan Beikmohamadi

IPC分类号： B05D5/12 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01L21/00 ,  H05K3/00 ,  H05K3/10 ,  H05K3/40 ,  H05K3/46

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H05K3/0023 ,  H05K3/4069 ,  H05K3/4664 ,  H05K2203/0139 ,  H05K2203/0514

摘要： The present invention relates to a process for filling vias in an electronic structure with thick film paste. The vias may be preexisting in a substrate comprised of thick film materials or fabricated in a photoresist layer over-coating the substrate. The invention is particularly useful in fabrication of electron field emission triode arrays where the vias are of fine dimension (

摘要翻译： 本发明涉及用厚膜糊状物填充电子结构中的通孔的方法。 通孔可以预先存在于由厚膜材料构成的衬底中或者在覆盖衬底的光致抗蚀剂层中制造。 本发明特别可用于电子场发射三极管阵列的制造，其中通孔具有精细尺寸（直径<100μm），并且可能含有碳纳米管的电子发射体厚膜浆料具有高价值。