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    Methods of Forming Phase-Changeable Memory Devices
    5.
    发明申请
    Methods of Forming Phase-Changeable Memory Devices 有权
    形成相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US20060270180A1

    公开(公告)日：2006-11-30

    申请号：US11462443

    申请日：2006-08-04

    申请人： Su-Youn Lee ,  Su-Jin Ahn ,  Chang-Wook Jeong

    发明人： Su-Youn Lee ,  Su-Jin Ahn ,  Chang-Wook Jeong

    IPC分类号： H01L21/76

    CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

    摘要： Phase-changeable memory devices include non-volatile memory cells. Each of these non-volatile memory cells may include a phase-changeable diode on a semiconductor substrate and a phase-changeable memory element having a first terminal electrically coupled to a terminal of the phase-changeable diode. This phase-changeable diode may include a lower electrode pattern on the semiconductor substrate, a first phase-changeable pattern on the lower electrode pattern and a gate switching layer pattern on the first phase-changeable pattern. The phase-changeable memory element includes a second phase-changeable pattern electrically coupled to the terminal of the phase-changeable diode and a memory switching layer pattern on the second phase-changeable pattern. The memory switching layer pattern may include a composite of a titanium layer pattern contacting the phase-changeable memory element and a titanium nitride layer pattern contacting the titanium layer pattern.

    摘要翻译： 可变相存储器件包括非易失性存储器单元。 这些非易失性存储器单元中的每一个可以包括半导体衬底上的相位可变二极管和具有电耦合到相位可变二极管的端子的第一端子的可相位改变的存储元件。 该相变二极管可以包括半导体衬底上的下电极图案，下电极图案上的第一相变图案和第一相位可变图案上的栅极切换层图案。 相位可变存储元件包括电耦合到相变二极管的端子的第二相位变化图案和第二相位可变图案上的存储器切换层图案。 存储器切换层图案可以包括与相变存储元件接触的钛层图案与接触钛层图案的氮化钛层图案的复合物。

    Phase-Changeable Memory Devices
    8.
    发明申请
    Phase-Changeable Memory Devices 有权
    相变存储器件

    公开(公告)号：US20050285094A1

    公开(公告)日：2005-12-29

    申请号：US11145154

    申请日：2005-06-03

    申请人： Su-Youn Lee ,  Su-Jin Ahn ,  Chang-Wook Jeong

    发明人： Su-Youn Lee ,  Su-Jin Ahn ,  Chang-Wook Jeong

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L27/108 ,  H01L27/24 ,  H01L29/02 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/119 ,  H01L47/00

    CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

    摘要： Phase-changeable memory devices include non-volatile memory cells. Each of these non-volatile memory cells may include a phase-changeable diode on a semiconductor substrate and a phase-changeable memory element having a first terminal electrically coupled to a terminal of the phase-changeable diode. This phase-changeable diode may include a lower electrode pattern on the semiconductor substrate, a first phase-changeable pattern on the lower electrode pattern and a gate switching layer pattern on the first phase-changeable pattern. The phase-changeable memory element includes a second phase-changeable pattern electrically coupled to the terminal of the phase-changeable diode and a memory switching layer pattern on the second phase-changeable pattern. The memory switching layer pattern may include a composite of a titanium layer pattern contacting the phase-changeable memory element and a titanium nitride layer pattern contacting the titanium layer pattern.

    摘要翻译： 可变相存储器件包括非易失性存储器单元。 这些非易失性存储器单元中的每一个可以包括半导体衬底上的相位可变二极管和具有电耦合到相位可变二极管的端子的第一端子的可相位改变的存储元件。 该相变二极管可以包括半导体衬底上的下电极图案，下电极图案上的第一相变图案和第一相位可变图案上的栅极切换层图案。 相位可变存储元件包括电耦合到相变二极管的端子的第二相位变化图案和第二相位可变图案上的存储器切换层图案。 存储器切换层图案可以包括与相变存储元件接触的钛层图案与接触钛层图案的氮化钛层图案的复合物。

    Methods of forming phase-changeable memory devices
    10.
    发明授权
    Methods of forming phase-changeable memory devices 有权
    形成相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US07521281B2

    公开(公告)日：2009-04-21

    申请号：US11462443

    申请日：2006-08-04

    申请人： Su-Youn Lee ,  Su-Jin Ahn ,  Chang-Wook Jeong

    发明人： Su-Youn Lee ,  Su-Jin Ahn ,  Chang-Wook Jeong

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

    摘要： Phase-changeable memory devices include non-volatile memory cells. Each of these non-volatile memory cells may include a phase-changeable diode on a semiconductor substrate and a phase-changeable memory element having a first terminal electrically coupled to a terminal of the phase-changeable diode. This phase-changeable diode may include a lower electrode pattern on the semiconductor substrate, a first phase-changeable pattern on the lower electrode pattern and a gate switching layer pattern on the first phase-changeable pattern. The phase-changeable memory element includes a second phase-changeable pattern electrically coupled to the terminal of the phase-changeable diode and a memory switching layer pattern on the second phase-changeable pattern. The memory switching layer pattern may include a composite of a titanium layer pattern contacting the phase-changeable memory element and a titanium nitride layer pattern contacting the titanium layer pattern.

    摘要翻译： 可变相存储器件包括非易失性存储器单元。 这些非易失性存储器单元中的每一个可以包括半导体衬底上的相位可变二极管和具有电耦合到相位可变二极管的端子的第一端子的可相位改变的存储元件。 该相变二极管可以包括半导体衬底上的下电极图案，下电极图案上的第一相变图案和第一相位可变图案上的栅极切换层图案。 相位可变存储元件包括电耦合到相变二极管的端子的第二相位变化图案和第二相位可变图案上的存储器切换层图案。 存储器切换层图案可以包括与相变存储元件接触的钛层图案与接触钛层图案的氮化钛层图案的复合物。