公开(公告)号：US20070166839A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11308831

申请日：2006-05-12

申请人： Chih-Huang Lai ,  Sheng-Huang Huang ,  Cheng-Han Yang ,  Yung-Hung Wang ,  Wei-Chuan Chen ,  Kuei-Hung Shen

发明人： Chih-Huang Lai ,  Sheng-Huang Huang ,  Cheng-Han Yang ,  Yung-Hung Wang ,  Wei-Chuan Chen ,  Kuei-Hung Shen

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3903 ,  H01F10/3268 ,  H01F41/308 ,  H01L43/12

摘要： A fabrication method of a magnetoresistance multi-layer is provided. The method includes forming a multi-layer with at least an antiferromagnetic layer and performing an ion irradiation process to the multi-layer to transform a disordered structure of the antiferromagnetic layer to an ordered structure. Accordingly, the process time can be reduced and the interdiffusion in the multi-layer can be prevented.

摘要翻译： 提供了一种磁阻多层的制造方法。 该方法包括形成至少具有反铁磁性层的多层，并对多层进行离子辐射处理，以将反铁磁性层的无序结构转换为有序结构。 因此，可以减少处理时间，并且可以防止多层中的相互扩散。

公开(公告)号：US07583529B2

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：US11676239

申请日：2007-02-16

申请人： Wei-Chuan Chen ,  Yung-Hung Wang ,  Shan-Yi Yang ,  Kuei-Hung Shen

发明人： Wei-Chuan Chen ,  Yung-Hung Wang ,  Shan-Yi Yang ,  Kuei-Hung Shen

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11C11/16 ,  Y10S977/935

摘要： A magnetic random access memory (MRAM) is disclosed. The MRAM includes a first electrode, an antiferromagnetic layer formed over the first electrode, a pinned layer formed over the antiferromagnetic layer, a barrier layer formed over the pinned layer, a composite free layer formed over the barrier layer, and a second electrode formed over the composite free layer. The composite free layer includes a first magnetic layer, a spacer layer and a second magnetic layer sequentially stacked over the barrier layer and the spacer layer allows parallel coupling between the first and second magnetic layers. A magnetic tunnel junction (MTJ) device suitable for a memory unit of a magnetic memory device is also provided.

摘要翻译： 公开了一种磁性随机存取存储器（MRAM）。 MRAM包括第一电极，形成在第一电极上的反铁磁层，形成在反铁磁层上的被钉扎层，形成在被钉扎层上的阻挡层，形成在阻挡层上的复合自由层，以及形成在第二电极上的第二电极 复合自由层。 复合自由层包括顺序层叠在阻挡层上的第一磁性层，间隔层和第二磁性层，间隔层允许第一和第二磁性层之间的平行耦合。 还提供了适用于磁存储器件的存储器单元的磁隧道结（MTJ）器件。

公开(公告)号：US07606063B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11764624

申请日：2007-06-18

申请人： Chih-Ta Shen ,  Yung-Hung Wang ,  Cheng-Tying Yen ,  Kuei-Hung Shen ,  Wei-Chuan Chen ,  Shan-Yi Yang

发明人： Chih-Ta Shen ,  Yung-Hung Wang ,  Cheng-Tying Yen ,  Kuei-Hung Shen ,  Wei-Chuan Chen ,  Shan-Yi Yang

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/82

CPC分类号： G11C11/16

摘要： A magnetic memory device includes a substrate, a magnetic tunneling junction (MTJ) structure disposed on the substrate, and a capping layer disposed on the MTJ structure. By adding a capping layer on the MTJ structure, the property of the magnetic memory device is improved, the magnetoresistance (MR) ratio is raised, and the time cost by the magnetic memory device to process data is effectively reduced.

摘要翻译： 磁存储器件包括衬底，设置在衬底上的磁隧道结（MTJ）结构，以及设置在MTJ结构上的覆盖层。 通过在MTJ结构上添加覆盖层，改善了磁存储器件的性能，提高了磁阻（MR）比，并且有效地减少了磁存储器件处理数据的时间成本。

公开(公告)号：US20080094888A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11676239

申请日：2007-02-16

申请人： Wei-Chuan Chen ,  Yung-Hung Wang ,  Shan-Yi Yang ,  Kuei-Hung Shen

发明人： Wei-Chuan Chen ,  Yung-Hung Wang ,  Shan-Yi Yang ,  Kuei-Hung Shen

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11C11/16 ,  Y10S977/935

摘要： A magnetic random access memory (MRAM) is disclosed. The MRAM includes a first electrode, an antiferromagnetic layer formed over the first electrode, a pinned layer formed over the antiferromagnetic layer, a barrier layer formed over the pinned layer, a composite free layer formed over the barrier layer, and a second electrode formed over the composite free layer. The composite free layer includes a first magnetic layer, a spacer layer and a second magnetic layer sequentially stacked over the barrier layer and the spacer layer allows parallel coupling between the first and second magnetic layers. A magnetic tunnel junction (MTJ) device suitable for a memory unit of a magnetic memory device is also provided.

摘要翻译： 公开了一种磁性随机存取存储器（MRAM）。 MRAM包括第一电极，形成在第一电极上的反铁磁层，形成在反铁磁层上的被钉扎层，形成在被钉扎层上的阻挡层，形成在阻挡层上的复合自由层，以及形成在第二电极上的第二电极 复合自由层。 复合自由层包括顺序层叠在阻挡层上的第一磁性层，间隔层和第二磁性层，间隔层允许第一和第二磁性层之间的平行耦合。 还提供了适用于磁存储器件的存储器单元的磁隧道结（MTJ）器件。

公开(公告)号：US20070164383A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11496405

申请日：2006-08-01

申请人： Wei-Chuan Chen ,  Yung-Hung Wang ,  Shan-Yi Yang ,  Kuei-Hung Shen

发明人： Wei-Chuan Chen ,  Yung-Hung Wang ,  Shan-Yi Yang ,  Kuei-Hung Shen

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/08

摘要： A magnetic memory with improved writing margin is provided, which includes a magnetic tunnel junction device and an adjustment layer. The magnetic tunnel junction device includes an anti-ferromagnetic layer, a pinned layer, a tunnel barrier layer, and a free layer formed sequentially. The adjustment layer is formed on one side of the magnetic tunnel junction device and contacts the free layer. The thickness of the adjustment layer is smaller than 20 nm and it employs Ru or Ru-base materials. The magnetic memory with improved writing margin may improve the switching uniformity and reduce the switching field of the free layer. Therefore, the current necessary for the write word line is reduced.

摘要翻译： 提供具有改善的写入裕度的磁存储器，其包括磁性隧道结装置和调整层。 磁性隧道结装置包括反铁磁层，钉扎层，隧道势垒层和顺序形成的自由层。 调整层形成在磁性隧道结装置的一侧并与自由层接触。 调整层的厚度小于20nm，采用Ru或Ru基材料。 具有改善写入裕度的磁存储器可以提高开关均匀性并减小自由层的开关场。 因此，减少写入字线所需的电流。

公开(公告)号：US20070172964A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：US11308903

申请日：2006-05-24

申请人： Cheng-Tyng Yen ,  Wei-Chuan Chen ,  Kuei-Hung Shen

发明人： Cheng-Tyng Yen ,  Wei-Chuan Chen ,  Kuei-Hung Shen

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L43/12

摘要： A method of forming a self-aligned contact via for a MRAM is disclosed. A first conductive layer, a pinned layer, a tunneling barrier layer, a free layer, a capping layer and a first dielectric layer are formed sequentially over a substrate has formed lots of transistors and interconects. A portion of the first dielectric layer and the capping layer are removed until a surface of the free layer is exposed. A portion of the pinned layer, the tunneling barrier layer and the free layer are removed to form a MRAM device. A second dielectric layer is formed over the magnetic random access memory device. A planarization process is performed to form a planar surface of the second dielectric layer. The first dielectric layer and a portion of the second dielectric layer are removed to form a self-aligned contact opening. A second conductive layer is filled into the self-aligned contact opening.

摘要翻译： 公开了一种形成用于MRAM的自对准接触通孔的方法。 在衬底上顺序地形成第一导电层，钉扎层，隧道势垒层，自由层，覆盖层和第一介电层，形成了许多晶体管和相互间的关系。 去除第一电介质层和覆盖层的一部分直到暴露自由层的表面。 钉扎层的一部分，隧道势垒层和自由层被去除以形成MRAM器件。 第二电介质层形成在磁性随机存取存储器件上。 进行平面化处理以形成第二电介质层的平坦表面。 去除第一电介质层和第二电介质层的一部分以形成自对准的接触开口。 将第二导电层填充到自对准接触开口中。

公开(公告)号：US20090032891A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US11954217

申请日：2007-12-12

申请人： Cheng-Tyng Yen ,  Wei-Chuan Chen ,  Yung-Hsiang Chen ,  Yung-Hung Wang

发明人： Cheng-Tyng Yen ,  Wei-Chuan Chen ,  Yung-Hsiang Chen ,  Yung-Hung Wang

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L27/222 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675

摘要： A structure of magnetic random access memory includes a magnetic memory cell formed on a substrate. An insulating layer covers over the substrate and the magnetic memory cell. A write current line is in the insulating layer and above the magnetic memory cell. A magnetic cladding layer surrounds the periphery of the write current line. The magnetic cladding layer includes a first region surrounding the top of the write current line, and a second region surrounding the side edge of the write current line, and extending towards the magnetic memory cell and exceed by a distance.

摘要翻译： 磁性随机存取存储器的结构包括形成在衬底上的磁存储单元。 绝缘层覆盖在基板和磁存储单元上。 写入电流线位于绝缘层中并位于磁存储单元之上。 磁性覆层围绕写入电流线的周边。 磁性包覆层包括围绕写入电流线的顶部的第一区域和围绕写入电流线的侧边缘的第二区域，并朝向磁性存储单元延伸并且超过一定距离。

公开(公告)号：US08148756B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12410665

申请日：2009-03-25

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Chih-Yu Lin ,  Wei-Chuan Chen ,  Cheng-Wei Chen

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Chih-Yu Lin ,  Wei-Chuan Chen ,  Cheng-Wei Chen

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L27/14

CPC分类号： G01N27/4145 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A separative extended gate field effect transistor based uric acid sensing device is provided, including: a substrate; a conductive layer including a silver paste layer on the substrate and a graphite-based paste layer on the silver paste layer; a conductive wire extended from the conductive layer; a titanium dioxide layer on the conductive layer; and a uric acid enzyme sensing film on the titanium dioxide layer.

摘要翻译： 提供一种基于分离扩展栅极场效应晶体管的尿酸感测装置，包括：基板; 在基材上包含银膏层的导电层和银膏层上的石墨基膏层; 从导电层延伸的导线; 导电层上的二氧化钛层; 和二氧化钛层上的尿酸酶感测膜。

公开(公告)号：US20060254650A1

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：US11411789

申请日：2006-04-27

申请人： Shinn-Tyan Wu ,  Wei-Chuan Chen

发明人： Shinn-Tyan Wu ,  Wei-Chuan Chen

IPC分类号： F16K27/06

CPC分类号： F16K27/00 ,  E03C1/04 ,  F16K11/00 ,  F16K19/006 ,  Y10T137/7036

摘要： A composite faucet includes a body coated with refractory material, the body directly contacting with water is made of metallic alloys; the body already coated with refractory material is further covered with a plastic material by injection for easier fabrication.

摘要翻译： 复合龙头包括涂有耐火材料的主体，与水直接接触的主体由金属合金制成; 已经涂覆有耐火材料的身体通过注射进一步用塑料材料覆盖以便于制造。

公开(公告)号：US20060102971A1

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：US11159137

申请日：2005-06-23

申请人： Yuan-Jen Lee ,  Yung-Hsiang Chen ,  Wei-Chuan Chen ,  Ming-Jer Kao ,  Lien-Chang Wang

发明人： Yuan-Jen Lee ,  Yung-Hsiang Chen ,  Wei-Chuan Chen ,  Ming-Jer Kao ,  Lien-Chang Wang

IPC分类号： H01L43/00 ,  H01L29/82 ,  G11C11/22

CPC分类号： G11C11/16 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic random access memory with lower switching field is provided. The memory includes a first antiferromagnetic layer, a pinned layer formed on the first antiferromagnetic layer, a tunnel barrier layer formed on the pinned layer, a ferromagnetic free layer formed on the tunnel barrier layer, and a multi-layered metal layer. The multi-layered metal layer is formed by at least one metal layer, where the direction of the anisotropy axis of the antiferromagnetic layer and the ferromagnetic layer and that of the ferromagnetic free layer are arranged orthogonally. The provided memory has the advantage of lowering the switching field of the ferromagnetic layer, and further lowering the writing current.

摘要翻译： 提供具有较低开关电场的磁性随机存取存储器。 存储器包括第一反铁磁层，形成在第一反铁磁层上的钉扎层，形成在钉扎层上的隧道势垒层，形成在隧道势垒层上的铁磁自由层，以及多层金属层。 多层金属层由至少一个金属层形成，其中反铁磁层和铁磁层的各向异性轴的方向和铁磁性层的各向异性轴的方向被正交布置。 提供的存储器具有降低铁磁层的开关场的优点，并进一步降低写入电流。