公开(公告)号：US07709823B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US11552527

申请日：2006-10-25

申请人： Chih-Ming Lai ,  Wen-Yueh Liu ,  Jenq-Dar Tsay ,  Jung-Tsung Hsu ,  Shang-Jr Gwo ,  Chang-Hong Shen ,  Hon-Way Lin

发明人： Chih-Ming Lai ,  Wen-Yueh Liu ,  Jenq-Dar Tsay ,  Jung-Tsung Hsu ,  Shang-Jr Gwo ,  Chang-Hong Shen ,  Hon-Way Lin

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/0657 ,  B82Y10/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/60 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

摘要： The invention is directed to a group-III nitride vertical-rods substrate. The group-III vertical-rods substrate comprises a substrate, a buffer layer and a vertical rod layer. The buffer layer is located over the substrate. The vertical rod layer is located on the buffer layer and the vertical rod layer is comprised of a plurality of vertical rods standing on the buffer layer.

摘要翻译： 本发明涉及III族氮化物垂直杆衬底。 III族垂直杆基板包括基板，缓冲层和垂直杆层。 缓冲层位于衬底上。 垂直杆层位于缓冲层上，垂直杆层由站在缓冲层上的多个垂直杆组成。

公开(公告)号：US20070272914A1

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：US11552527

申请日：2006-10-25

申请人： Chih-Ming Lai ,  Wen-Yueh Liu ,  Jenq-Dar Tsay ,  Jung-Tsung Hsu ,  Shang-Jr Gwo ,  Chang-Hong Shen ,  Hon-Way Lin

发明人： Chih-Ming Lai ,  Wen-Yueh Liu ,  Jenq-Dar Tsay ,  Jung-Tsung Hsu ,  Shang-Jr Gwo ,  Chang-Hong Shen ,  Hon-Way Lin

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0657 ,  B82Y10/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/60 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

摘要： The invention is directed to a group-III nitride vertical-rods substrate. The group-III vertical-rods substrate comprises a substrate, a buffer layer and a vertical rod layer. The buffer layer is located over the substrate. The vertical rod layer is located on the buffer layer and the vertical rod layer is comprised of a plurality of vertical rods standing on the buffer layer.

摘要翻译： 本发明涉及III族氮化物垂直杆衬底。 III族垂直杆基板包括基板，缓冲层和垂直杆层。 缓冲层位于衬底上。 垂直杆层位于缓冲层上，垂直杆层由站在缓冲层上的多个垂直杆组成。

公开(公告)号：US08058705B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12551534

申请日：2009-08-31

申请人： Po-Chun Liu ,  Wen-Yueh Liu ,  Chih-Ming Lai ,  Yih-Der Guo ,  Jenq-Dar Tsay

发明人： Po-Chun Liu ,  Wen-Yueh Liu ,  Chih-Ming Lai ,  Yih-Der Guo ,  Jenq-Dar Tsay

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2007

摘要： A composite material substrate having patterned structure includes a substrate, a first dielectric layer, a second dielectric layer, and a nitride semiconductor material. Herein, the first dielectric layer is stacked on the substrate, the second dielectric layer is stacked on the first dielectric layer, and the nitride semiconductor material is stacked on the second dielectric layer and is characterized by a plurality of patterns thereon.

摘要翻译： 具有图案化结构的复合材料基板包括基板，第一介电层，第二介质层和氮化物半导体材料。 这里，第一电介质层层叠在基板上，第二介电层层叠在第一电介质层上，氮化物半导体材料层叠在第二电介质层上，其特征在于多个图案。

公开(公告)号：US07687378B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11467167

申请日：2006-08-25

申请人： Po-Chun Liu ,  Wen-Yueh Liu ,  Chih-Ming Lai ,  Yih-Der Guo ,  Jenq-Dar Tsay

发明人： Po-Chun Liu ,  Wen-Yueh Liu ,  Chih-Ming Lai ,  Yih-Der Guo ,  Jenq-Dar Tsay

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2007

摘要： A fabricating method of nitride semiconductor substrate is provided. First, a first substrate including a first base material, a nitride semiconductor template layer stacked on the first base material, and a first dielectric layer stacked on the nitride semiconductor template layer is provided. Then, the first dielectric layer and the nitride semiconductor template layer are patterned, and a second substrate including a second base material and a second dielectric layer stacked on the second base material is provided. Next, the nitride semiconductor template layer and the first dielectric layer of the first substrate are transferred onto the second dielectric layer of the second substrate through bonding and transferring processes, and then a nitride semiconductor thick film is grown from the nitride semiconductor template layer through an epitaxy process. After that, the nitride semiconductor thick film and the second substrate are separated.

摘要翻译： 提供一种氮化物半导体衬底的制造方法。 首先，提供包括第一基材，层叠在第一基材上的氮化物半导体模板层和层叠在氮化物半导体模板层上的第一电介质层的第一基板。 然后，对第一电介质层和氮化物半导体模板层进行构图，并且提供包括堆叠在第二基底材料上的第二基底材料和第二电介质层的第二基底。 接下来，通过接合和转移工艺将第一衬底的氮化物半导体模板层和第一电介质层转移到第二衬底的第二电介质层上，然后从氮化物半导体模板层通过 外延工艺。 之后，分离氮化物半导体厚膜和第二基板。

公开(公告)号：US20080006849A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11467167

申请日：2006-08-25

申请人： Po-Chun Liu ,  Wen-Yueh Liu ,  Chih-Ming Lai ,  Yih-Der Guo ,  Jenq-Dar Tsay

发明人： Po-Chun Liu ,  Wen-Yueh Liu ,  Chih-Ming Lai ,  Yih-Der Guo ,  Jenq-Dar Tsay

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/745

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2007

摘要： A fabricating method of nitride semiconductor substrate is provided. First, a first substrate including a first base material, a nitride semiconductor template layer stacked on the first base material, and a first dielectric layer stacked on the nitride semiconductor template layer is provided. Then, the first dielectric layer and the nitride semiconductor template layer are patterned, and a second substrate including a second base material and a second dielectric layer stacked on the second base material is provided. Next, the nitride semiconductor template layer and the first dielectric layer of the first substrate are transferred onto the second dielectric layer of the second substrate through bonding and transferring processes, and then a nitride semiconductor thick film is grown from the nitride semiconductor template layer through an epitaxy process. After that, the nitride semiconductor thick film and the second substrate are separated.

摘要翻译： 提供一种氮化物半导体衬底的制造方法。 首先，提供包括第一基材，层叠在第一基材上的氮化物半导体模板层和层叠在氮化物半导体模板层上的第一电介质层的第一基板。 然后，对第一电介质层和氮化物半导体模板层进行构图，并且提供包括堆叠在第二基底材料上的第二基底材料和第二电介质层的第二基底。 接下来，通过接合和转移工艺将第一衬底的氮化物半导体模板层和第一电介质层转移到第二衬底的第二电介质层上，然后从氮化物半导体模板层通过 外延工艺。 之后，分离氮化物半导体厚膜和第二基板。

公开(公告)号：US20100041216A1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：US12581891

申请日：2009-10-20

申请人： Chih-Ming Lai ,  Jenq-Dar Tsay ,  Wen-Yueh Liu ,  Yih-Der Guo

发明人： Chih-Ming Lai ,  Jenq-Dar Tsay ,  Wen-Yueh Liu ,  Yih-Der Guo

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02642 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： The present invention relates to a method of forming a nitride semiconductor substrate. This method includes steps of providing a substrate and then forming an epitaxy layer on the substrate. A patterned mask layer is formed on the epitaxy layer, wherein the patterned mask layer exposes a portion of the epitaxy layer. Next, an oxidation process is performed to oxidize the exposed epitaxy layer so as to form a plurality of dislocation blocking structures. The patterned mask layer is then removed. Further, a nitride semiconductor layer is formed on the epitaxy layer having the dislocation blocking structures.

摘要翻译： 本发明涉及形成氮化物半导体衬底的方法。 该方法包括提供衬底，然后在衬底上形成外延层的步骤。 在外延层上形成图案化掩模层，其中图案化掩模层暴露外延层的一部分。 接下来，进行氧化处理以氧化暴露的外延层，以形成多个位错阻挡结构。 然后去除图案化的掩模层。 此外，在具有位错阻挡结构的外延层上形成氮化物半导体层。

公开(公告)号：US20100013054A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：US12551534

申请日：2009-08-31

申请人： Po-Chun Liu ,  Wen-Yueh Liu ,  Chih-Ming Lai ,  Yih-Der Guo ,  Jenq-Dar Tsay

发明人： Po-Chun Liu ,  Wen-Yueh Liu ,  Chih-Ming Lai ,  Yih-Der Guo ,  Jenq-Dar Tsay

IPC分类号： H01L29/201

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2007

摘要： A composite material substrate having patterned structure includes a substrate, a first dielectric layer, a second dielectric layer, and a nitride semiconductor material. Herein, the first dielectric layer is stacked on the substrate, the second dielectric layer is stacked on the first dielectric layer, and the nitride semiconductor material is stacked on the second dielectric layer and is characterized by a plurality of patterns thereon.

摘要翻译： 具有图案化结构的复合材料基板包括基板，第一介电层，第二介质层和氮化物半导体材料。 这里，第一电介质层层叠在基板上，第二介电层层叠在第一电介质层上，氮化物半导体材料层叠在第二电介质层上，其特征在于多个图案。

公开(公告)号：US20080054294A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11562422

申请日：2006-11-22

申请人： Chih-Ming Lai ,  Jenq-Dar Tsay ,  Wen-Yueh Liu ,  Yih-Der Guo

发明人： Chih-Ming Lai ,  Jenq-Dar Tsay ,  Wen-Yueh Liu ,  Yih-Der Guo

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L21/02642 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： The present invention relates to a method of forming a nitride semiconductor substrate. This method includes steps of providing a substrate and then forming an epitaxy layer on the substrate. A patterned mask layer is formed on the epitaxy layer, wherein the patterned mask layer exposes a portion of the epitaxy layer. Next, an oxidation process is performed to oxidize the exposed epitaxy layer so as to form a plurality of dislocation blocking structures. The patterned mask layer is then removed. Further, a nitride semiconductor layer is formed on the epitaxy layer having the dislocation blocking structures.

摘要翻译： 本发明涉及形成氮化物半导体衬底的方法。 该方法包括提供衬底，然后在衬底上形成外延层的步骤。 在外延层上形成图案化掩模层，其中图案化掩模层暴露外延层的一部分。 接下来，进行氧化处理以氧化暴露的外延层，以形成多个位错阻挡结构。 然后去除图案化的掩模层。 此外，在具有位错阻挡结构的外延层上形成氮化物半导体层。

公开(公告)号：US20080272378A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US12137519

申请日：2008-06-11

申请人： Yih-Der Guo ,  Chih-Ming Lai ,  Jenq-Dar Tsay ,  Po-Chun Liu

发明人： Yih-Der Guo ,  Chih-Ming Lai ,  Jenq-Dar Tsay ,  Po-Chun Liu

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L21/31

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0079

摘要： There is provided a method of forming a nitride semiconductor layer, including the steps of firstly providing a substrate on which a patterned epitaxy layer with a pier structure is formed. A protective layer is then formed on the patterned epitaxy layer, exposing a top surface of the pier structure. Next, a nitride semiconductor layer is formed over the patterned epitaxy layer connected to the nitride semiconductor layer through the pier structure, wherein the nitride semiconductor layer, the pier structure, and the patterned epitaxy layer together form a space exposing a bottom surface of the nitride semiconductor layer. Thereafter, a weakening process is performed to remove a portion of the bottom surface of the nitride semiconductor layer and to weaken a connection point between the top surface of the pier structure and the nitride semiconductor layer. Finally, the substrate is separated from the nitride semiconductor layer through the connection point.

摘要翻译： 提供一种形成氮化物半导体层的方法，包括以下步骤：首先提供其上形成有墩结构的图案化外延层的基板。 然后在图案化的外延层上形成保护层，露出墩结构的顶表面。 接下来，在通过墩结构连接到氮化物半导体层的图案化外延层上形成氮化物半导体层，其中氮化物半导体层，墩结构和图案化外延层一起形成暴露氮化物的底表面的空间 半导体层。 此后，执行弱化处理以去除氮化物半导体层的底表面的一部分并削弱墩结构的顶表面和氮化物半导体层之间的连接点。 最后，通过连接点将衬底与氮化物半导体层分离。

公开(公告)号：US07772595B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US11554603

申请日：2006-10-31

申请人： Yih-Der Guo ,  Chih-Ming Lai ,  Jenq-Dar Tsay ,  Po-Chun Liu

发明人： Yih-Der Guo ,  Chih-Ming Lai ,  Jenq-Dar Tsay ,  Po-Chun Liu

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0079

摘要： There is provided a method of forming a nitride semiconductor layer, including the steps of firstly providing a substrate on which a patterned epitaxy layer with a pier structure is formed. A protective layer is then formed on the patterned epitaxy layer, exposing a top surface of the pier structure. Next, a nitride semiconductor layer is formed over the patterned epitaxy layer connected to the nitride semiconductor layer through the pier structure, wherein the nitride semiconductor layer, the pier structure, and the patterned epitaxy layer together form a space exposing a bottom surface of the nitride semiconductor layer. Thereafter, a weakening process is performed to remove a portion of the bottom surface of the nitride semiconductor layer and to weaken a connection point between the top surface of the pier structure and the nitride semiconductor layer. Finally, the substrate is separated from the nitride semiconductor layer through the connection point.

摘要翻译： 提供一种形成氮化物半导体层的方法，包括以下步骤：首先提供其上形成有墩结构的图案化外延层的基板。 然后在图案化的外延层上形成保护层，露出墩结构的顶表面。 接下来，在通过墩结构连接到氮化物半导体层的图案化外延层上形成氮化物半导体层，其中氮化物半导体层，墩结构和图案化外延层一起形成暴露氮化物的底表面的空间 半导体层。 此后，执行弱化处理以去除氮化物半导体层的底表面的一部分并削弱墩结构的顶表面和氮化物半导体层之间的连接点。 最后，通过连接点将衬底与氮化物半导体层分离。