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62 条记录 (耗时 0.027 秒)

    Electrical device and fabrication method
    3.
    发明授权
    Electrical device and fabrication method 有权
    电气设备及制造方法

    公开(公告)号：US08274132B2

    公开(公告)日：2012-09-25

    申请号：US12031321

    申请日：2008-02-14

    申请人： Christian Russ ,  Gunther Lehmann ,  Franz Ungar

    发明人： Christian Russ ,  Gunther Lehmann ,  Franz Ungar

    IPC分类号： H01L29/66

    CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An electrical device with a fin structure, a first section of the fin structure having a first width and a first height, a second section of the fin structure having a second width and a second height, wherein the first width is smaller than the second width and the first height is lower than the second height.

    摘要翻译： 一种具有翅片结构的电气装置，翅片结构的第一部分具有第一宽度和第一高度，翅片结构的第二部分具有第二宽度和第二高度，其中第一宽度小于第二宽度 并且第一高度低于第二高度。

    Electrical Device and Fabrication Method
    4.
    发明申请
    Electrical Device and Fabrication Method 有权
    电气设备和制造方法

    公开(公告)号：US20090206446A1

    公开(公告)日：2009-08-20

    申请号：US12031321

    申请日：2008-02-14

    申请人： Christian Russ ,  Gunther Lehmann ,  Franz Ungar

    发明人： Christian Russ ,  Gunther Lehmann ,  Franz Ungar

    IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An electrical device with a fin structure, a first section of the fin structure having a first width and a first height, a second section of the fin structure having a second width and a second height, wherein the first width is smaller than the second width and the first height is lower than the second height.

    摘要翻译： 一种具有翅片结构的电气装置，所述翅片结构的第一部分具有第一宽度和第一高度，所述翅片结构的第二部分具有第二宽度和第二高度，其中所述第一宽度小于所述第二宽度 并且第一高度低于第二高度。

    ESD protection devices and methods
    5.
    发明授权
    ESD protection devices and methods 有权
    ESD保护装置和方法

    公开(公告)号：US08958184B2

    公开(公告)日：2015-02-17

    申请号：US12979635

    申请日：2010-12-28

    申请人： Christian Russ ,  Werner Hoellinger ,  Bernhard Stein

    发明人： Christian Russ ,  Werner Hoellinger ,  Bernhard Stein

    IPC分类号： H02H9/00 ,  H02H9/04

    CPC分类号： H02H9/046

    摘要： Various embodiments described below relate to an ESD protection device that includes a voltage controlled shunt (e.g., a transistor) to selectively shunt energy of an incoming ESD pulse away from a circuit that includes a semiconductor device to be protected. In some embodiments, the ESD protection device includes a power up detection element to determine whether the circuit has powered up. If the circuit is powered up, the power up detection element prevents inadvertent triggering of the ESD protection device.

    摘要翻译： 下面描述的各种实施例涉及ESD保护装置，其包括电压控制分流器（例如，晶体管），以便选择性地将输入的ESD脉冲的能量远离包括待保护的半导体器件的电路分流。 在一些实施例中，ESD保护装置包括用于确定电路是否通电的上电检测元件。 如果电路通电，则上电检测元件可防止ESD保护器件的意外触发。

    Selective Current Pumping to Enhance Low-Voltage ESD Clamping Using High Voltage Devices
    6.
    发明申请
    Selective Current Pumping to Enhance Low-Voltage ESD Clamping Using High Voltage Devices 有权
    选择性电流泵浦以增强使用高压器件的低电压ESD钳位

    公开(公告)号：US20130250461A1

    公开(公告)日：2013-09-26

    申请号：US13429577

    申请日：2012-03-26

    申请人： Mayank Shrivastava ,  Christian Russ ,  Harald Gossner

    发明人： Mayank Shrivastava ,  Christian Russ ,  Harald Gossner

    IPC分类号： H02H9/04

    CPC分类号： H02H9/046

    摘要： Some embodiments relate to an electrostatic discharge (ESD) protection device to protect a circuit from an ESD event. The ESD protection device includes first and second trigger elements. Upon detecting an ESD pulse, the first trigger element provides a first trigger signal having a first pulse length. The second trigger element, upon detecting the ESD pulse, provides a second trigger signal having a second pulse length. The second pulse length is different from the first pulse length. A primary shunt shunts power of the ESD pulse away from the ESD susceptible circuit based on the first trigger signal. A current control element selectively pumps current due to the ESD pulse into a substrate of the primary shunt based on the second trigger signal.

    摘要翻译： 一些实施例涉及用于保护电路免受ESD事件的静电放电（ESD）保护装置。 ESD保护装置包括第一和第二触发元件。 在检测到ESD脉冲时，第一触发元件提供具有第一脉冲长度的第一触发信号。 第二触发元件在检测到ESD脉冲时提供具有第二脉冲长度的第二触发信号。 第二脉冲长度与第一脉冲长度不同。 基于第一触发信号，主分流器将ESD脉冲的功率分配离开ESD敏感电路。 电流控制元件基于第二触发信号选择性地将由于ESD脉冲引起的电流泵送到主分流器的衬底中。

    Electrostatic discharge protection element
    8.
    发明授权
    Electrostatic discharge protection element 有权
    静电放电保护元件

    公开(公告)号：US07919816B2

    公开(公告)日：2011-04-05

    申请号：US11506683

    申请日：2006-08-18

    申请人： Harald Gossner ,  Christian Russ

    发明人： Harald Gossner ,  Christian Russ

    IPC分类号： H01L23/62

    CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L27/0288 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/8086 ,  H01L2029/7857

    摘要： A gate controlled fin resistance element for use as an electrostatic discharge (ESD) protection element in an electrical circuit has a fin structure having a first connection region, a second connection region and a channel region formed between the first and second connection regions. Furthermore, the fin resistance element has a gate region formed at least over a part of the surface of the channel region. The gate region is electrically coupled to a gate control device, which gate control device controls an electrical potential applied to the gate region in such a way that the gate controlled fin resistance element has a high electrical resistance during a first operating state of the electrical circuit and a lower electrical resistance during a second operating state, which is characterized by the occurrence of an ESD event.

    摘要翻译： 在电路中用作静电放电（ESD）保护元件的栅极控制鳍电阻元件具有鳍状结构，其具有形成在第一和第二连接区域之间的第一连接区域，第二连接区域和沟道区域。 此外，散热片电阻元件具有形成在通道区域的表面的至少一部分上的栅极区域。 栅极区域电耦合到栅极控制装置，栅极控制装置控制施加到栅极区域的电位，使得栅极控制的鳍状电阻元件在电路的第一操作状态期间具有高电阻 并且在第二操作状态期间具有较低的电阻，其特征在于发生ESD事件。