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    System and Method For Improving Immersion Scanner Overlay Performance
    4.
    发明申请
    System and Method For Improving Immersion Scanner Overlay Performance 有权
    提高浸入式扫描仪覆盖性能的系统和方法

    公开(公告)号：US20080129969A1

    公开(公告)日：2008-06-05

    申请号：US11677949

    申请日：2007-02-22

    申请人： Jui-Chung Peng ,  Tzung-Chi Fu ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chien-Hsun Lin ,  Chun-Hung Lin ,  Yao-Wen Guo ,  Shy-Jay Lin ,  Heng-Hsin Liu

    发明人： Jui-Chung Peng ,  Tzung-Chi Fu ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chien-Hsun Lin ,  Chun-Hung Lin ,  Yao-Wen Guo ,  Shy-Jay Lin ,  Heng-Hsin Liu

    IPC分类号： G03B27/52

    CPC分类号： G03F7/70875 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70783

    摘要： System and method for improving immersion scanner overlay performance are described. One embodiment is a method of improving overlay performance of an photolithography immersion scanner comprising a wafer table having lens cooling water (“LCW”) disposed in a water channel therein, the wafer table having an input for receiving the LCW into the water channel and an output for expelling the LCW from the water channel. The method comprises providing a water tank at least one of the wafer table input and the wafer table output; monitoring a pressure of water in the water tank; and maintaining the pressure of the water in the water tank at a predetermined level.

    摘要翻译： 描述了用于提高浸没式扫描仪覆盖性能的系统和方法。 一个实施例是一种提高光刻浸没式扫描仪的覆盖性能的方法，其包括设置在其中的水通道中的透镜冷却水（“LCW”）的晶片台，晶片台具有用于将LCW接收到水通道中的输入端， 输出用于从水道排出LCW。 该方法包括：提供一个水箱至少一个晶片台输入和晶片台输出; 监测水箱内的水压; 并且将水箱中的水的压力保持在预定水平。

    Method and apparatus to improve lithography throughput
    8.
    发明授权
    Method and apparatus to improve lithography throughput 有权
    提高光刻产量的方法和装置

    公开(公告)号：US07795601B2

    公开(公告)日：2010-09-14

    申请号：US11421590

    申请日：2006-06-01

    申请人： Chin-Hsiang Lin ,  Jui-Chung Peng ,  Yung-Cheng Chen ,  Shy-Jay Lin

    发明人： Chin-Hsiang Lin ,  Jui-Chung Peng ,  Yung-Cheng Chen ,  Shy-Jay Lin

    IPC分类号： C12Q1/68 ,  H01J40/00

    CPC分类号： G03F7/70991 ,  G03F7/70466

    摘要： The present disclosure provides a lithography apparatus with improved lithography throughput. The lithography apparatus includes a first lens system; a first substrate stage configured to receive a first radiation energy from the first lens system, and designed operable to move a substrate during an exposing process; a second lens system, having a higher resolution than that of the first lens system; and a second substrate stage approximate to the first substrate stage and configured to receive a second radiation energy from the second lens system, and designed operable to receive the substrate from the first substrate stage and move the substrate.

    摘要翻译： 本公开提供了具有改进的光刻产量的光刻设备。 光刻设备包括第一透镜系统; 第一衬底台，被配置为从所述第一透镜系统接收第一辐射能量，并且被设计为可操作以在曝光过程期间移动衬底; 第二透镜系统，具有比第一透镜系统更高的分辨率; 以及第二衬底台，其近似于所述第一衬底台并且被配置为从所述第二透镜系统接收第二辐射能量，并且被设计为可操作以从所述第一衬底台接收所述衬底并移动所述衬底。

    Multiple-patterning overlay decoupling method
    9.
    发明授权
    Multiple-patterning overlay decoupling method 有权
    多图案叠加去耦方法

    公开(公告)号：US09134627B2

    公开(公告)日：2015-09-15

    申请号：US13328264

    申请日：2011-12-16

    申请人： Wen-Chuan Wang ,  Shy-Jay Lin ,  Pei-Yi Liu ,  Jaw-Jung Shin ,  Burn Jeng Lin

    发明人： Wen-Chuan Wang ,  Shy-Jay Lin ,  Pei-Yi Liu ,  Jaw-Jung Shin ,  Burn Jeng Lin

    IPC分类号： H01L21/66 ,  G03F7/20 ,  H01L23/544

    CPC分类号： G03F7/70633 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for fabricating a semiconductor device is disclosed. An exemplary method includes forming a first structure in a first layer by a first exposure and determining placement information of the first structure. The method further includes forming a second structure in a second layer overlying the first layer by a second exposure and determining placement information of the second structure. The method further includes forming a third structure including first and second substructures in a third layer overlying the second layer by a third exposure. Forming the third structure includes independently aligning the first substructure to the first structure and independently aligning the second substructure to the second structure.

    摘要翻译： 公开了一种制造半导体器件的方法。 一种示例性方法包括通过第一曝光在第一层中形成第一结构并确定第一结构的放置信息。 该方法还包括通过第二曝光在覆盖第一层的第二层中形成第二结构，并确定第二结构的放置信息。 该方法还包括在第三层中形成第三结构，该第三结构包括通过第三次曝光覆盖第二层的第三层中的第一和第二子结构。 形成第三结构包括将第一子结构独立地对准第一结构并且将第二子结构独立地对准到第二结构。

    Error diffusion and grid shift in lithography
    10.
    发明授权
    Error diffusion and grid shift in lithography 有权
    光刻中的误差扩散和栅格位移

    公开(公告)号：US08510687B1

    公开(公告)日：2013-08-13

    申请号：US13409765

    申请日：2012-03-01

    申请人： Pei-Yi Liu ,  Shy-Jay Lin ,  Wen-Chuan Wang ,  Jaw-Jung Shin ,  Burn Jeng Lin

    发明人： Pei-Yi Liu ,  Shy-Jay Lin ,  Wen-Chuan Wang ,  Jaw-Jung Shin ,  Burn Jeng Lin

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G03F1/36

    摘要： The present disclosure involves a method of data preparation in lithography processes. The method of data preparation includes providing an integrated circuit (IC) layout design in a graphic database system (GDS) grid, and converting the IC layout design GDS grid to a second exposure grid by applying an error diffusion and a grid shift technique to a sub-pixel exposure grid.

    摘要翻译： 本公开涉及在光刻工艺中的数据准备方法。 数据准备的方法包括在图形数据库系统（GDS）网格中提供集成电路（IC）布局设计，并且通过向第二曝光网格应用误差扩散和网格移位技术将IC布局设计GDS网格转换为第二曝光网格 子像素曝光网格。