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    Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance
    5.
    发明授权
    Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance 有权
    使用具有可编程电阻的纳米管制品的存储器阵列

    公开(公告)号：US07479654B2

    公开(公告)日：2009-01-20

    申请号：US11274967

    申请日：2005-11-15

    申请人： Claude L. Bertin ,  Frank Guo ,  Thomas Rueckes ,  Steven L. Konsek ,  Mitchell Meinhold ,  Max Strasburg ,  Ramesh Sivarajan ,  X. M. Henry Huang

    发明人： Claude L. Bertin ,  Frank Guo ,  Thomas Rueckes ,  Steven L. Konsek ,  Mitchell Meinhold ,  Max Strasburg ,  Ramesh Sivarajan ,  X. M. Henry Huang

    IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L35/24

    CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/19 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/79

    摘要： A memory array includes a plurality of memory cells, each of which receives a bit line, a first word line, and a second word line. Each memory cell includes a cell selection circuit, which allows the memory cell to be selected. Each memory cell also includes a two-terminal switching device, which includes first and second conductive terminals in electrical communication with a nanotube article. The memory array also includes a memory operation circuit, which is operably coupled to the bit line, the first word line, and the second word line of each cell. The circuit can select the cell by activating an appropriate line, and can apply appropriate electrical stimuli to an appropriate line to reprogrammably change the relative resistance of the nanotube article between the first and second terminals. The relative resistance corresponds to an informational state of the memory cell.

    摘要翻译： 存储器阵列包括多个存储器单元，每个存储单元接收位线，第一字线和第二字线。 每个存储单元包括单元选择电路，其允许选择存储单元。 每个存储单元还包括两端开关器件，其包括与纳米管制品电连通的第一和第二导电端子。 存储器阵列还包括可操作地耦合到每个单元的位线，第一字线和第二字线的存储器操作电路。 电路可以通过激活适当的线路来选择细胞，并且可以将适当的电刺激施加到适当的线以可重新编程地改变纳米管制品在第一和第二端子之间的相对电阻。 相对电阻对应于存储单元的信息状态。