公开(公告)号：US07002166B2

公开(公告)日：2006-02-21

申请号：US10484647

申请日：2002-08-27

申请人： David Norman Jamieson ,  Steven Prawer ,  Andrew Steven Dzurak ,  Robert Graham Clark ,  Changyi Yang

发明人： David Norman Jamieson ,  Steven Prawer ,  Andrew Steven Dzurak ,  Robert Graham Clark ,  Changyi Yang

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L31/115 ,  H01J37/304 ,  G06N1/00 ,  G01T1/00

CPC分类号： H01J37/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G06N99/002 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20292 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31711 ,  H01J2237/31713 ,  H01J2237/31755 ,  H01J2237/31788 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513

摘要： This invention concerns a method and system for single ion doping and machining by detecting the impact, penetration and stopping of single ions in a substrate. Such detection is essential for the successful implantation of a counted number of 31P ions into a semi-conductor substrate for construction of a Kane quantum computer. The invention particularly concerns the application of a potential across two electrodes on the surface of the substrate to create a field to separate and sweep out electron-hole pairs formed within the substrate. A detector is then used to detecting transient current in the electrodes, and so determine the arrival of a single ion in the substrate.

摘要翻译： 本发明涉及通过检测衬底中单一离子的冲击，穿透和停止来进行单离子掺杂和机械加工的方法和系统。 这种检测对于将数量为“31”的P离子成功地注入到用于构建Kane量子计算机的半导体衬底中是必不可少的。 本发明特别涉及在衬底的表面上跨两个电极施加电位以产生分离和扫除在衬底内形成的电子 - 空穴对的场。 然后使用检测器来检测电极中的瞬态电流，并且因此确定单个离子到达衬底中。

公开(公告)号：US07834422B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US11596720

申请日：2005-05-18

申请人： Soren Andresen ,  Andrew Steven Dzurak ,  Eric Gauja ,  Sean Hearne ,  Toby Felix Hopf ,  David Norman Jamieson ,  Mladen Mitic ,  Steven Prawer ,  Changyi Yang

发明人： Soren Andresen ,  Andrew Steven Dzurak ,  Eric Gauja ,  Sean Hearne ,  Toby Felix Hopf ,  David Norman Jamieson ,  Mladen Mitic ,  Steven Prawer ,  Changyi Yang

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/785

摘要： This invention concerns semiconductor devices of the general type comprising a counted number of dopant atoms (142) implanted in regions of a substrate (158) that are substantially intrinsic semiconductor. One or more doped surface regions (152) of the substrate (158) are metallized to form electrodes (150) and a counted number of dopant ions (142) are implanted in a region of the substantially intrinsic semiconductor.

摘要翻译： 本发明涉及一般类型的半导体器件，其包括注入在基本上是本征半导体的衬底（158）的区域中的数量的掺杂剂原子（142）。 衬底（158）的一个或多个掺杂表面区域（152）被金属化以形成电极（150），并且在本质上本征半导体的区域中注入计数的掺杂离子（142）。