公开(公告)号：US06368924B1

公开(公告)日：2002-04-09

申请号：US09703208

申请日：2000-10-31

申请人： David P. Mancini ,  Steven M. Smith ,  Douglas J. Resnick

发明人： David P. Mancini ,  Steven M. Smith ,  Douglas J. Resnick

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L21/0271 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3146

摘要： An improved and novel semiconductor device including an amorphous carbon layer for improved adhesion of photoresist and method of fabrication. The device includes a substrate having a surface, a carbon layer formed on the surface of the substrate, and a resist layer formed on a surface of the carbon layer. The device is formed by providing a substrate having a surface, depositing a carbon layer on the surface of the substrate using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or sputtering, and forming a resist layer on a surface of the carbon layer.

摘要翻译： 一种改进且新颖的半导体器件，包括用于改善光致抗蚀剂粘附性的无定形碳层和制造方法。 该装置包括具有表面的基板，形成在基板的表面上的碳层和形成在碳层的表面上的抗蚀剂层。 该器件通过提供具有表面的衬底，使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或溅射在衬底的表面上沉积碳层并在碳层的表面上形成抗蚀剂层而形成。

公开(公告)号：US06576520B2

公开(公告)日：2003-06-10

申请号：US10040984

申请日：2002-01-07

申请人： David P. Mancini ,  Steven M. Smith ,  Douglas J. Resnick

发明人： David P. Mancini ,  Steven M. Smith ,  Douglas J. Resnick

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L21/0271 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3146

摘要： An improved and novel semiconductor device including an amorphous carbon layer for improved adhesion of photoresist and method of fabrication. The device includes a substrate having a surface, a carbon layer, formed on the surface of the substrate, and a resist layer formed on a surface of the carbon layer. The device is formed by providing a substrate having a surface, depositing a carbon layer on the surface of the substrate using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or sputtering, and forming a resist layer on a surface of the carbon layer.

公开(公告)号：US06562553B2

公开(公告)日：2003-05-13

申请号：US09881242

申请日：2001-05-10

申请人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick

发明人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick

IPC分类号： G03F700

CPC分类号： G03F7/115 ,  G03F1/48 ,  G03F7/2014

摘要： A method of contact printing on a device using a partially transparent mask (18) having first and second surfaces, comprises the steps of applying a layer of low surface energy polymeric material (22) to the first surface of the mask; placing the first surface (24) of the mask contiguous to the device (10), the layer of low surface energy polymeric material being substantially in contact with the device; and applying radiation (32) to the second surface of the mask for affecting a pattern in the device.

摘要翻译： 使用具有第一表面和第二表面的部分透明掩模（18）在装置上进行接触印刷的方法包括以下步骤：将低表面能聚合材料层（22）施加到掩模的第一表面; 将所述掩模的所述第一表面（24）邻近所述装置（10）放置，所述低表面能聚合物材料层基本上与所述装置接触; 以及将辐射（32）施加到所述掩模的第二表面以影响所述装置中的图案。

公开(公告)号：US06300042B1

公开(公告)日：2001-10-09

申请号：US09198627

申请日：1998-11-24

申请人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick

发明人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick

IPC分类号： G03F700

CPC分类号： G03F7/115 ,  G03F1/48 ,  G03F7/2014

摘要： A method of contact printing on a device using a partially transparent mask (18) having first and second surfaces, comprises the steps of applying a layer of low surface energy polymeric material (22) to the first surface of the mask; placing the first surface (24) of the mask contiguous to the device (10), the layer of low surface energy polymeric material being substantially in contact with the device; and applying radiation (32) to the second surface of the mask for affecting a pattern in the device.

公开(公告)号：US07063919B2

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：US10209167

申请日：2002-07-31

申请人： David P. Mancini ,  William J. Dauksher ,  Kevin J. Nordquist ,  Douglas J. Resnick

发明人： David P. Mancini ,  William J. Dauksher ,  Kevin J. Nordquist ,  Douglas J. Resnick

IPC分类号： G03H1/04

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F1/60 ,  G03F7/0002

摘要： This invention relates to semiconductor devices, microelectronic devices, micro electro mechanical devices, microfluidic devices, and more particularly to an improved lithographic template including a repaired defect, a method of fabricating the improved lithographic template, a method for repairing defects present in the template, and a method for making semiconductor devices with the improved lithographic template. The lithographic template (10) is formed having a relief structure (26) and a repaired gap defect (36) within the relief structure (26). The template (10) is used in the fabrication of a semiconductor device (40) for affecting a pattern in device (40) by positioning the template (10) in close proximity to semiconductor device (40) having a radiation sensitive material formed thereon and applying a pressure to cause the radiation sensitive material to flow into the relief structure present on the template. Radiation is then applied through the template so as to further cure portions of the radiation sensitive material and further define the pattern in the radiation sensitive material. The template (10) is then removed to complete fabrication of semiconductor device (40).

摘要翻译： 本发明涉及半导体器件，微电子器件，微机电器件，微流体器件，更具体地涉及包括修复缺陷的改进的光刻模板，制造改进的光刻模板的方法，修复模板中存在的缺陷的方法， 以及用于制造具有改进的光刻模板的半导体器件的方法。 光刻模板（10）形成在浮雕结构（26）内具有浮雕结构（26）和修复的间隙缺陷（36）。 模板（10）用于制造半导体器件（40），用于通过将模板（10）靠近其上形成有辐射敏感材料的半导体器件（40）定位来影响器件（40）中的图案，以及 施加压力以使辐射敏感材料流入存在于模板上的浮雕结构中。 然后通过模板施加辐射，以进一步固化辐射敏感材料的部分，并进一步限定辐射敏感材料中的图案。 然后移除模板（10）以完成半导体器件（40）的制造。

公开(公告)号：US06890688B2

公开(公告)日：2005-05-10

申请号：US10022489

申请日：2001-12-18

申请人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick ,  Carlton Grant Willson

发明人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick ,  Carlton Grant Willson

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/09 ,  G03C5/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0017 ,  G03F7/093

摘要： This invention relates to a lithographic template, a method of forming the lithographic template and a method for forming devices with the lithographic template. The lithographic template (10, 110, 210) is formed having a substrate (12, 112, 212) and a charge dissipation layer (20, 120, 220), and a patterned imageable relief layer, (16, 116, 216) formed on a surface (14, 114, 214) of the substrate (10, 110, 210) using radiation. The template (10, 110, 210) is used in the fabrication of a semiconductor device (344) for affecting a pattern in the device (344) by positioning (338) the template (10, 11, 210) in close proximity to semiconductor device (344) having a radiation sensitive material (334) formed thereon and applying a pressure (340) to cause the radiation sensitive material to flow into the relief image present on the template (10, 110, 210). Radiation (342) is then applied through the template (10, 110, 210) to cure portions of the radiation sensitive material and define the pattern in the radiation sensitive material. The template (10, 110, 210) is then removed to complete fabrication of semiconductor device (344).

摘要翻译： 本发明涉及一种光刻模板，一种形成光刻模板的方法和一种用该光刻模板形成器件的方法。 光刻模板（10,110,210）形成为具有衬底（12,112,212）和电荷耗散层（20,120,220），以及形成图案的可成像的浮雕层（16,116,216），形成 在使用辐射的衬底（10,110,210）的表面（14,114,214）上。 模板（10,110,210）用于制造半导体器件（344），用于通过将模板（10,11,210）定位（338）靠近半导体来影响器件（344）中的图案 装置（344），其上形成有辐射敏感材料（334），并施加压力（340）以使得辐射敏感材料流入存在于模板（10,110,210）上的浮雕图像中。 辐射（342）然后通过模板（10,110,210）施加以固化辐射敏感材料的部分并且限定辐射敏感材料中的图案。 然后去除模板（10,110,210）以完成半导体器件（344）的制造。

公开(公告)号：US06852454B2

公开(公告)日：2005-02-08

申请号：US10174464

申请日：2002-06-18

申请人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick

发明人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick

IPC分类号： G03F7/11 ,  B81C99/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0017 ,  G03F7/0035

摘要： This invention relates to semiconductor devices, microelectronic devices, microelectromechanical devices, microfluidic devices, photonic devices, and more particularly to a multi-tiered lithographic template, a method of forming the multi-tiered lithographic template and a method for forming devices with the multi-tiered lithographic template. The multi-tiered lithographic template (10/10′) is formed having a first relief structure and a second relief structure, thereby defining a multi-tiered relief image. The template is used in the fabrication of a semiconductor device (40) for affecting a pattern in device (40) by positioning the template in close proximity to semiconductor device (40) having a radiation sensitive material formed thereon and applying a pressure to cause the radiation sensitive material to flow into the multi-tiered relief image present on the template. Radiation is then applied through the multi-tiered template so as to further cure portions of the radiation sensitive material and further define the pattern in the radiation sensitive material. The multi-tiered template is then removed to complete fabrication of semiconductor device (40).

摘要翻译： 本发明涉及半导体器件，微电子器件，微机电器件，微流器件，光子器件，更具体地涉及多层光刻模板，形成多层光刻模板的方法和用于形成具有多层光刻模板的器件的方法， 分层光刻模板。 多层平版印刷板（10/10'）形成为具有第一浮雕结构和第二浮雕结构，由此限定多层浮雕图像。 该模板用于制造用于通过将模板靠近其上形成有辐射敏感材料的半导体器件（40）定位模板来影响器件（40）中的图案并施加压力的半导体器件（40） 辐射敏感材料流入模板上存在的多层浮雕图像。 然后通过多层模板施加辐射，以便进一步固化辐射敏感材料的部分，并进一步限定辐射敏感材料中的图案。 然后去除多层模板以完成半导体器件（40）的制造。

公开(公告)号：US06630746B1

公开(公告)日：2003-10-07

申请号：US09566961

申请日：2000-05-09

申请人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick ,  Harland G. Tompkins ,  Karen E. Moore

发明人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick ,  Harland G. Tompkins ,  Karen E. Moore

IPC分类号： H01L2348

CPC分类号： G03F9/7076 ,  G03F9/7069 ,  H01L2223/54426

摘要： An alignment mark (51) is formed on the surface (64) of a silicon carbide substrate (50). The alignment mark (51) is used to reflect a light signal (72) to determine the proper position for the silicon carbide substrate (50). The materials that are used to form the alignment mark (51) can be used to form an alignment mark on any transparent or semi-transparent substrate and will maintain physical integrity through very high temperature processing steps.

摘要翻译： 在碳化硅衬底（50）的表面（64）上形成对准标记（51）。 对准标记（51）用于反射光信号（72）以确定碳化硅衬底（50）的适当位置。 用于形成对准标记（51）的材料可以用于在任何透明或半透明基材上形成对准标记，并且将通过非常高的温度处理步骤来保持物理完整性。

公开(公告)号：US06083806A

公开(公告)日：2000-07-04

申请号：US110352

申请日：1998-07-06

申请人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick ,  Harland G. Tompkins ,  Karen E. Moore

发明人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick ,  Harland G. Tompkins ,  Karen E. Moore

IPC分类号： G03F9/00 ,  H01L23/544 ,  H01L21/76

CPC分类号： G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002

摘要： An alignment mark (51) is formed on the surface (64) of a silicon carbide substrate (50). The alignment mark (51) is used to reflect a light signal (72) to determine the proper position for the silicon carbide substrate (50). The materials that are used to form the alignment mark (51) can be used to form an alignment mark on any transparent or semi-transparent substrate and will maintain physical integrity through very high temperature processing steps.

摘要翻译： 在碳化硅衬底（50）的表面（64）上形成对准标记（51）。 对准标记（51）用于反射光信号（72）以确定碳化硅衬底（50）的适当位置。 用于形成对准标记（51）的材料可以用于在任何透明或半透明基材上形成对准标记，并且将通过非常高的温度处理步骤来保持物理完整性。

公开(公告)号：US06992371B2

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：US10892693

申请日：2004-07-16

申请人： David P. Mancini ,  Jaime A. Quintero ,  Doug J. Resnick ,  Steven M. Smith

发明人： David P. Mancini ,  Jaime A. Quintero ,  Doug J. Resnick ,  Steven M. Smith

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/42 ,  H01L29/40

CPC分类号： G03F7/094 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/09

摘要： A novel device, such as a semiconductor device, a microfluidic device, a surface acoustic wave device an imprint template, or the like, including an amorphous carbon layer for improved adhesion of organic layers and method of fabrication. The device includes a substrate having a surface, an amorphous carbon layer, formed overlying the surface of the substrate, and a low surface energy material layer overlying the surface of the substrate. The device is formed by providing a substrate having a surface, depositing a low surface energy material layer and an amorphous carbon layer overlying the surface of the substrate adjacent the low surface energy material layer using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or sputtering.

摘要翻译： 包括用于改善有机层的粘合性的无定形碳层和制造方法的新型装置，例如半导体装置，微流体装置，表面声波装置，印模模板等。 该器件包括具有覆盖在衬底表面上的表面，无定形碳层和覆盖衬底表面的低表面能材料层的衬底。 该器件通过使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或溅射提供具有表面的衬底，沉积低表面能材料层和覆盖邻近低表面能材料层的衬底的表面的无定形碳层而形成。