公开(公告)号：US06737354B2

公开(公告)日：2004-05-18

申请号：US10197989

申请日：2002-07-18

申请人： Donald S. Miles ,  Douglas T. Grider ,  Chidi P R Chidambaram ,  Amitabh Jain

发明人： Donald S. Miles ,  Douglas T. Grider ,  Chidi P R Chidambaram ,  Amitabh Jain

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6656

摘要： An improved source/drain extension process is provided by processing steps (steps A and G) that cover the wafer and dry etching steps (steps D and I) that provide side wall spacers of poly oxide and/or cap oxide from the PMOS gate areas before doing PMOS implanting steps(K and M). The capping of the wafer (step G)with the cap oxide after the NMOS implant also prevents the arsenic from out diffusing from the silicon. Further embodiments include implanting directly on the base.

摘要翻译： 通过覆盖晶片的处理步骤（步骤A和G）和从PMOS栅极区域提供多晶氧化物和/或氧化物半导体的侧壁间隔物的干蚀刻步骤（步骤D和I）提供改进的源极/漏极扩展过程 在进行PMOS植入步骤（K和M）之前。 在NMOS注入之后，具有帽氧化物的晶片（步骤G）的封盖还防止砷从硅扩散出来。 其它实施例包括直接植入基底。

公开(公告)号：US06709938B2

公开(公告)日：2004-03-23

申请号：US10197988

申请日：2002-07-18

申请人： Donald S. Miles ,  Douglas T. Grider ,  P. R. Chidambaram ,  Amitabh Jain

发明人： Donald S. Miles ,  Douglas T. Grider ,  P. R. Chidambaram ,  Amitabh Jain

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864

摘要： An improved source/drain extension process is provided by the following processing steps of implanting NMOS devices directly on either side of the gates without an oxide layer (step D2), covering the gates with a cap oxide layer(step E2), covering NMOS devices with photoresist(step F2), dry etching all PMOS devices (Step G2), and implanting PMOS devices (step I2).

摘要翻译： 通过以下处理步骤，通过以下处理步骤提供改进的源极/漏极扩展过程，即将NMOS器件直接注入到栅极的任一侧而不具有氧化物层（步骤D2），覆盖具有帽氧化物层的栅极（步骤E2），覆盖NMOS器件 （步骤F2），干蚀刻所有PMOS器件（步骤G2）和注入PMOS器件（步骤I2）。

公开(公告)号：US07244654B2

公开(公告)日：2007-07-17

申请号：US10901568

申请日：2004-07-29

申请人： Pr Chidambaram ,  Douglas T. Grider ,  Brian A. Smith ,  Haowen Bu ,  Lindsey Hall

发明人： Pr Chidambaram ,  Douglas T. Grider ,  Brian A. Smith ,  Haowen Bu ,  Lindsey Hall

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848

摘要： A method (100) of forming a transistor includes forming a gate structure (106, 108) over a semiconductor body and forming recesses (112) substantially aligned to the gate structure in the semiconductor body. Silicon germanium is then epitaxially grown (114) in the recesses, followed by forming sidewall spacers (118) over lateral edges of the gate structure. The method continues by implanting source and drain regions in the semiconductor body (120) after forming the sidewall spacers. The silicon germanium formed in the recesses resides close to the transistor channel and serves to provide a compressive stress to the channel, thereby facilitating improved carrier mobility in PMOS type transistor devices.

摘要翻译： 形成晶体管的方法（100）包括在半导体主体上形成栅极结构（106,108），并形成与半导体本体中的栅极结构基本对齐的凹槽（112）。 然后在凹槽中外延生长硅（114），随后在栅极结构的横向边缘上形成侧壁间隔物（118）。 该方法通过在形成侧壁间隔物之后将源区和漏区注入半导体本体（120）中来继续。 在凹槽中形成的硅锗位于晶体管沟道附近，用于向通道提供压缩应力，从而有助于改善PMOS型晶体管器件的载流子迁移率。

公开(公告)号：US07192894B2

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：US10833419

申请日：2004-04-28

申请人： Haowen Bu ,  Rajesh Khamankar ,  Douglas T. Grider

发明人： Haowen Bu ,  Rajesh Khamankar ,  Douglas T. Grider

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843 ,  Y10S438/954

摘要： A silicon nitride layer (110) is formed over a transistor gate (40) and source and drain regions (70). The as-formed silicon nitride layer (110) comprises a first tensile stress and a high hydrogen concentration. The as-formed silicon nitride layer (110) is thermally annealed converting the first tensile stress into a second tensile stress that is larger than the first tensile stress. Following the thermal anneal, the hydrogen concentration in the silicon nitride layer (110) is greater than 12 atomic percent.

摘要翻译： 氮化硅层（110）形成在晶体管栅极（40）和源极和漏极区域（70）之上。 所形成的氮化硅层（110）包括第一拉伸应力和高氢浓度。 将所形成的氮化硅层（110）进行热退火，将第一拉伸应力转换成大于第一拉伸应力的第二拉伸应力。 在热退火之后，氮化硅层（110）中的氢浓度大于12原子％。

公开(公告)号：US6093659A

公开(公告)日：2000-07-25

申请号：US47713

申请日：1998-03-25

申请人： Douglas T. Grider ,  Vincent M. McNeil

发明人： Douglas T. Grider ,  Vincent M. McNeil

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/37 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L21/26506

摘要： A method for forming an integrated circuit having multiple gate oxide thicknesses is disclosed herein. The circuit (10) is processed up to gate oxide formation. A pattern (36) is then formed exposing areas of the circuit where a thinner gate oxide (20) is desired. These areas are then implanted with a halogen species such as fluorine or chlorine, to retard oxidation. The pattern (36) is then removed and an oxidation step is performed. Oxidation is selectively retarded in areas (14) previously doped with the halogen species but not in the remaining areas (12). Thus, a single oxidation step may be used to form gate oxides (20,22) of different thicknesses.

摘要翻译： 本文公开了一种用于形成具有多个栅极氧化物厚度的集成电路的方法。 电路（10）被加工成栅极氧化物形成。 然后形成图案（36），暴露需要更薄栅极氧化物（20）的电路的区域。 然后用卤素物质如氟或氯注入这些区域以延缓氧化。 然后去除图案（36），并进行氧化步骤。 在先前掺杂卤素物质的区域（14）中选择性地延迟氧化，但在其余区域（12）中不会氧化。 因此，可以使用单个氧化步骤来形成不同厚度的栅极氧化物（20,22）。

公开(公告)号：US5585286A

公开(公告)日：1996-12-17

申请号：US521795

申请日：1995-08-31

申请人： Sheldon Aronowitz ,  James Kimball ,  Yu-Lam Ho ,  Gobi Padmanabhan ,  Douglas T. Grider ,  Chi-Yi Kao

发明人： Sheldon Aronowitz ,  James Kimball ,  Yu-Lam Ho ,  Gobi Padmanabhan ,  Douglas T. Grider ,  Chi-Yi Kao

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L21/26506

摘要： A process and resulting product are described for controlling the channeling and/or diffusion of a boron dopant in a P- region forming the lightly doped drain (LDD) region of a PMOS device in a single crystal semiconductor substrate, such as a silicon substrate. The channeling and/or diffusion of the boron dopant is controlled by implanting the region, prior to implantation with a boron dopant,, with noble gas ions, such as argon ions, at a dosage at least equal to the subsequent dosage of the implanted boron dopant, but not exceeding an amount equivalent to the implantation of about 3.times.10.sup.13 argon ions/cm.sup.2 into a silicon substrate, whereby channeling and diffusion of the subsequently implanted boron dopant is inhibited without, however, amorphizing the semiconductor substrate.

摘要翻译： 描述了一种工艺和产生的产品，用于控制在诸如硅衬底的单晶半导体衬底中形成PMOS器件的轻掺杂漏极（LDD）区域的P区中的硼掺杂剂的沟道化和/或扩散。 硼掺杂剂的通道和/或扩散通过在用硼掺杂剂注入之前用惰性气体离子（例如氩离子）注入该区域，剂量至少等于注入硼的后续剂量 掺杂剂，但不超过与硅衬底中注入约3×1013氩离子/ cm 2相当的量，由此抑制随后注入的硼掺杂剂的通道化和扩散，而不会使半导体衬底非晶化。

公开(公告)号：US07670892B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11268040

申请日：2005-11-07

申请人： Srinivasan Chakravarthi ,  Pr Chidambaram ,  Rajesh Khamankar ,  Haowen Bu ,  Douglas T. Grider

发明人： Srinivasan Chakravarthi ,  Pr Chidambaram ,  Rajesh Khamankar ,  Haowen Bu ,  Douglas T. Grider

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843

摘要： A transistor is fabricated upon a semiconductor substrate, where the yield strength or elasticity of the substrate is enhanced or otherwise adapted. A strain inducing layer is formed over the transistor to apply a strain thereto to alter transistor operating characteristics, and more particularly to enhance the mobility of carriers within the transistor. Enhancing carrier mobility allows transistor dimensions to be reduced while also allowing the transistor to operate as desired. However, high strain and temperature associated with fabricating the transistor result in deleterious plastic deformation. The yield strength of the silicon substrate is therefore adapted by incorporating nitrogen into the substrate, and more particularly into source/drain extension regions and/or source/drain regions of the transistor. The nitrogen can be readily incorporated during transistor fabrication by adding it as part of source/drain extension region formation and/or source/drain region formation. The enhanced yield strength of the substrate mitigates plastic deformation of the transistor due to the strain inducing layer.

摘要翻译： 晶体管制造在半导体衬底上，其中衬底的屈服强度或弹性得到增强或适应。 应变感应层形成在晶体管上以向其施加应变以改变晶体管工作特性，更具体地说，增强晶体管内的载流子迁移率。 增强载流子迁移率允许晶体管尺寸减小，同时也允许晶体管根据需要进行操作。 然而，与制造晶体管相关的高应变和温度导致有害的塑性变形。 因此，硅衬底的屈服强度通过将氮掺入到衬底中，更具体地掺入晶体管的源极/漏极延伸区域和/或源极/漏极区域来适应。 在晶体管制造期间，可以通过将其作为源极/漏极延伸区域形成和/或源极/漏极区域形成的一部分来添加来将氮容易地并入。 由于应变诱导层，衬底的增强的屈服强度减轻了晶体管的塑性变形。

公开(公告)号：US06632718B1

公开(公告)日：2003-10-14

申请号：US09339444

申请日：1999-06-24

申请人： Douglas T. Grider ,  Terence Breedijk

发明人： Douglas T. Grider ,  Terence Breedijk

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L21/823864

摘要： A method of fabricating a CMOS transistor using a silicon germanium disposable spacer (114) for the source/drain implant. After gate etch, silicon germanium disposable spacers (114) are formed. A NMOS resist pattern (116) is formed exposing the NMOS regions (120) and the n-type source/drain implant is performed. The disposable spacers (114) in the NMOS regions are removed and, with the NMOS resist mask (116) still in place, the LDD/MDD implant is performed. The process may then be repeated for the PMOS regions (122).

摘要翻译： 用于源极/漏极注入的制造使用硅锗一次性间隔物（ 114 ）的CMOS晶体管的方法。 在栅极蚀刻之后，形成硅锗一次性间隔物（ 114 ）。 形成暴露NMOS区域（ 120 ）的NMOS抗蚀剂图案（ 116 ）和n型源极/漏极 进行植入。 去除NMOS区域中的一次性间隔物（ 114 ）仍然存在于NMOS抗蚀剂掩模（ 116 ） 位置，执行LDD / MDD植入。 然后可以对PMOS区域重复该过程（ 122 ）。

公开(公告)号：US06063670A

公开(公告)日：2000-05-16

申请号：US60919

申请日：1998-04-15

申请人： Bo-Yang Lin ,  Douglas T. Grider ,  George Misium

发明人： Bo-Yang Lin ,  Douglas T. Grider ,  George Misium

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  Y10S438/911

摘要： A method for forming an integrated circuit having multiple gate oxide thicknesses is disclosed herein. The circuit (10) is processed up to gate oxide formation. A first gate dielectric (20) is formed. Next, a disposable layer (22) is formed over the first gate dielectric (20). The disposable layer (22) comprises a material that may be removed selectively with respect to silicon and the gate dielectric, such as germanium. If desired, a second dielectric layer (24) may be formed over the disposable layer (22). A pattern (26) is then formed exposing areas (14) of the circuit where a thinner gate dielectric is desired. The second dielectric layer (24), if it is present, and the disposable layer (22) are removed from the exposed areas. The pattern (26) is then removed. Following pre-gate cleaning, the second gate dielectric (30) is formed. The remaining portions of the disposable layer (22) may be removed either prior to, during, or after the second gate dielectric formation (30).

摘要翻译： 本文公开了一种用于形成具有多个栅极氧化物厚度的集成电路的方法。 电路（10）被加工成栅极氧化物形成。 形成第一栅极电介质（20）。 接下来，在第一栅极电介质（20）上形成一次性层（22）。 一次性层（22）包括可相对于硅和栅极电介质（例如锗）选择性去除的材料。 如果需要，可以在一次性层（22）上形成第二介电层（24）。 然后形成图案（26），暴露需要较薄栅极电介质的电路的区域（14）。 如果存在第二电介质层（24），并且一次性层（22）从暴露区域移除。 然后移除图案（26）。 在栅极清洗之后，形成第二栅极电介质（30）。 一次性层（22）的剩余部分可以在第二栅极电介质形成（30）之前，之中或之后被去除。

公开(公告)号：US08084787B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US11740426

申请日：2007-04-26

申请人： Haowen Bu ,  Rajesh Khamankar ,  Douglas T. Grider

发明人： Haowen Bu ,  Rajesh Khamankar ,  Douglas T. Grider

IPC分类号： H01L27/118

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/665 ,  Y10S438/938

摘要： Semiconductor devices (102) and fabrication methods (10) are provided, in which a nitride film (130) is formed over NMOS transistors to impart a tensile stress in ail or a portion of the NMOS transistor to improve carrier mobility. The nitride layer (130) is initially deposited over the transistors at low temperature with high hydrogen content to provide a moderate tensile stress in the semiconductor body prior to back-end processing. Subsequent back-end thermal processing reduces the film hydrogen content and causes an increase in the applied tensile stress.

摘要翻译： 提供半导体器件（102）和制造方法（10），其中在NMOS晶体管上形成氮化物膜（130），以在NMOS晶体管的一部分或一部分中施加拉伸应力以改善载流子迁移率。 氮化物层（130）最初以高氢含量在低温下沉积在晶体管上，以在后端处理之前在半导体本体中提供适度的拉伸应力。 随后的后端热处理降低了膜的氢含量并且引起所施加的拉伸应力的增加。