公开(公告)号：US20070122719A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11594248

申请日：2006-11-08

申请人： Douglas Van Den Broeke ,  Sangbong Park ,  Chung-Wei Hsu ,  Jang Chen

发明人： Douglas Van Den Broeke ,  Sangbong Park ,  Chung-Wei Hsu ,  Jang Chen

IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A method of applying optical proximity correction features to a mask having a plurality of features to be imaged. The method includes the steps of defining a set of process parameters to be utilized to image the mask; defining a set of pitch ranges corresponding to pitches exhibited by the plurality of features to be imaged; determining an interference map for at least one of the pitch ranges; and generating a set of rules for positioning scattering bars adjacent the plurality of features based on the interference map, where the set of rules governs scattering bar placement for features having a pitch which falls within the pitch range utilized to generate the interference map.

摘要翻译： 将光学邻近校正特征应用于具有要成像的多个特征的掩模的方法。 该方法包括以下步骤：定义要用于对掩模进行成像的一组过程参数; 定义对应于待成像的多个特征所展示的间距的一组音调范围; 确定所述音高范围中的至少一个的干涉图; 以及基于所述干涉图来生成用于定位与所述多个特征相邻的散射条的一组规则，其中所述规则集合管理具有落在用于生成所述干涉图的所述音调范围内的音调的特征的散射棒放置。

公开(公告)号：US20080014509A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11647599

申请日：2006-12-29

申请人： Chung-Wei Hsu ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Chen

发明人： Chung-Wei Hsu ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Chen

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A method of applying optical proximity correction features to a mask having a target pattern comprising a plurality of features to be imaged. The method includes the steps of defining a set of process parameters to be utilized to image the mask; determining an interference map based on the process parameters and the target pattern; defining an area of influence which represents the area about a given feature in the target pattern in which scattering bars will be utilized in the mask; and disposing a scattering bar in the mask adjacent the given feature in a location indicated by said interference map only within the area of influence of the given feature.

摘要翻译： 一种将光学邻近校正特征应用于具有包括要成像的多个特征的目标图案的掩模的方法。 该方法包括以下步骤：定义要用于对掩模进行成像的一组过程参数; 基于过程参数和目标模式确定干涉图; 定义影响区域，其表示在掩模中将使用散射条的目标图案中的给定特征的区域; 以及仅在给定特征的影响区域内，在由所述干涉图指示的位置中的与给定特征相邻的掩模中布置散射条。

公开(公告)号：US20080020296A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：US11783261

申请日：2007-04-06

申请人： Duan-Fu Hsu ,  Sangbong Park ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Chen

发明人： Duan-Fu Hsu ,  Sangbong Park ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Chen

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70466

摘要： A method of generating complementary masks for use in a dark field double dipole imaging process. The method includes the steps of identifying a target pattern having a plurality of features, including horizontal and vertical features; generating a horizontal mask based on the target pattern, where the horizontal mask includes low contrast vertical features. The generation of the horizontal mask includes the steps of optimizing the bias of the low contrast vertical features contained in the horizontal mask; and applying assist features to the horizontal mask. The method further includes generating a vertical mask based on the target pattern, where the vertical mask contains low contrast horizontal features. The generation of the vertical mask includes the steps of optimizing the bias of low contrast horizontal features contained in the vertical mask; and applying assist features to the vertical mask.

摘要翻译： 一种产生用于暗场双偶极成像过程的互补掩模的方法。 该方法包括以下步骤：识别具有多个特征的目标图案，包括水平和垂直特征; 基于目标图案生成水平掩模，其中水平掩模包括低对比度垂直特征。 水平掩模的生成包括优化包含在水平掩模中的低对比度垂直特征的偏压的步骤; 并将辅助特征应用于水平掩模。 该方法还包括基于目标图案生成垂直掩模，其中垂直掩模包含低对比度水平特征。 垂直掩模的产生包括优化垂直掩模中包含的低对比度水平特征的偏差的步骤; 并将辅助特征应用于垂直掩模。

公开(公告)号：US20070031740A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11472544

申请日：2006-06-22

申请人： Jang Chen ,  Duan-Fu Hsu ,  Douglas Van Den Broeke ,  Thomas Laidig

发明人： Jang Chen ,  Duan-Fu Hsu ,  Douglas Van Den Broeke ,  Thomas Laidig

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/70

摘要： A method for forming exposure masks for imaging a target pattern having features to be imaged on a substrate in a multi-exposure process. The method includes the steps of generating a set of decomposition rules defining whether a given feature of the target pattern is assigned to a first exposure mask or a second exposure mask; applying the decomposition rules to each of the features in the target pattern so as to assign each of the features in the target pattern to one of the first exposure mask or second exposure mask; and generating the first exposure mask and the second exposure mask containing the respective features assigned to each mask.

摘要翻译： 一种形成曝光掩模的方法，用于在多曝光过程中对具有要被成像的特征的目标图案进行成像。 该方法包括以下步骤：产生一组分解规则，定义目标图案的给定特征是否被分配给第一曝光掩模或第二曝光掩模; 将分解规则应用于目标图案中的每个特征，以将目标图案中的每个特征分配给第一曝光掩模或第二曝光掩模之一; 以及生成包含分配给每个掩模的各个特征的第一曝光掩模和第二曝光掩模。

公开(公告)号：US20080092106A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11898647

申请日：2007-09-13

申请人： Duan-Fu Hsu ,  Noel Corcoran ,  Jang Chen ,  Douglas Van Den Broeke

发明人： Duan-Fu Hsu ,  Noel Corcoran ,  Jang Chen ,  Douglas Van Den Broeke

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433

摘要： A method for decomposing a target pattern containing features to be printed on a wafer into multiple patterns. The method includes the steps of: (a) determining a minimum critical dimension and pitch associated with a process to be utilized to image the multiple patterns; (b) generating an anchoring feature; (c) disposing the anchoring feature adjacent a first feature of the target pattern; (d) growing the anchoring feature a predetermined amount so as to define a first area; (e) assigning any feature within the first area to a first pattern; (f) disposing the anchoring feature adjacent a second feature of the target pattern; (g) growing the anchoring feature the predetermined amount so as to define a second area; and (h) assigning any feature within the second area to a second pattern. Steps (c)-(h) are then repeated until the densely spaced features within the target pattern have been assigned to either the first or second pattern.

摘要翻译： 一种用于将包含要印刷在晶片上的特征的目标图案分解为多个图案的方法。 该方法包括以下步骤：（a）确定与要用于对多个图案成像的过程相关联的最小临界尺寸和间距; （b）产生锚固特征; （c）将所述锚定特征设置在所述目标图案的第一特征附近; （d）使锚定特征增长预定量以限定第一区域; （e）将第一区域内的任何特征分配给第一模式; （f）将所述锚定特征设置在所述目标图案的第二特征附近; （g）使锚定特征增长预定量以限定第二区域; 和（h）将第二区域内的任何特征分配给第二模式。 然后重复步骤（c） - （h），直到目标图案内密集间隔的特征被分配给第一或第二图案。

公开(公告)号：US20060277521A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：US11402273

申请日：2006-04-12

申请人： Jang Chen ,  Duan-Fu Hsu ,  Douglas Van Den Broeke

发明人： Jang Chen ,  Duan-Fu Hsu ,  Douglas Van Den Broeke

IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/00 ,  G21K5/00 ,  G06F19/00 ,  A61N5/00 ,  G21G5/00

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G03F1/144 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70466 ,  G06F2217/08 ,  G06F2217/12

摘要： A method of generating complementary masks based on a target pattern having features to be imaged on a substrate for use in a multiple-exposure lithographic imaging process. The method includes the steps of: defining an initial H-mask corresponding to the target pattern; defining an initial V-mask corresponding to the target pattern; identifying horizontal critical features in the H-mask having a width which is less than a predetermined critical width; identifying vertical critical features in the V-mask having a width which is less than a predetermined critical width; assigning a first phase shift and a first percentage transmission to the horizontal critical features, which are to be formed in the H-mask; and assigning a second phase shift and a second percentage transmission to the vertical critical features, which are to be formed in the V-mask. The method further includes the step of assigning chrome to all non-critical features in the H-mask and the V-mask. The non-critical features are those features having a width which is greater than or equal to the predetermined critical width. The non-critical features are formed in the H-mask and the V-mask utilizing chrome. The target pattern is then imaged on the substrate by imaging both the H-mask and V-mask.

摘要翻译： 基于具有要在多曝光光刻成像处理中使用的基板上成像的特征的目标图案产生互补掩模的方法。 该方法包括以下步骤：定义对应于目标图案的初始H掩码; 定义对应于目标图案的初始V掩模; 识别具有小于预定临界宽度的宽度的H掩模中的水平临界特征; 识别具有小于预定临界宽度的宽度的V形掩模中的垂直关键特征; 将第一相移和第一百分比传输分配给​​要在H掩模中形成的水​​平临界特征; 以及将要在V掩模中形成的垂直关键特征分配第二相移和第二百分比传输。 该方法还包括将铬分配给H掩模和V掩模中的所有非关键特征的步骤。 非关键特征是具有大于或等于预定临界宽度的宽度的那些特征。 非关键特征形成在H掩模和使用铬的V形掩模中。 然后通过成像H掩模和V掩模来将目标图案成像在衬底上。

公开(公告)号：US20080069432A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11898646

申请日：2007-09-13

申请人： Duan-Fu Hsu ,  Jung Park ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Chen

发明人： Duan-Fu Hsu ,  Jung Park ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Chen

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G06T7/0004 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/70475

摘要： A method for decomposing a target circuit pattern containing features to be imaged into multiple patterns. The process includes the steps of separating the features to be printed into a first pattern and a second pattern; performing a first optical proximity correction process on the first pattern and the second pattern; determining an imaging performance of the first pattern and the second pattern; determining a first error between the first pattern and the imaging performance of the first pattern, and a second error between the second pattern and the imaging performance of said second pattern; utilizing the first error to adjust the first pattern to generate a modified first pattern; utilizing the second error to adjust the second pattern to generate a modified second pattern; and applying a second optical proximity correction process to the modified first pattern and the modified second pattern.

摘要翻译： 一种用于将包含要成像的特征的目标电路图案分解为多个图案的方法。 该方法包括将待印刷的特征分离成第一图案和第二图案的步骤; 对所述第一图案和所述第二图案执行第一光学邻近校正处理; 确定所述第一图案和所述第二图案的成像性能; 确定所述第一图案和所述第一图案的成像性能之间的第一误差，以及所述第二图案和所述第二图案的成像性能之间的第二误差; 利用第一误差来调整第一图案以产生修改的第一图案; 利用第二误差来调整第二图案以产生修改的第二图案; 以及对修改的第一图案和修改的第二图案应用第二光学邻近校正处理。

公开(公告)号：US20080068668A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11889587

申请日：2007-08-14

申请人： Xuelong Shi ,  Jang Chen ,  Douglas Van Den Broeke

发明人： Xuelong Shi ,  Jang Chen ,  Douglas Van Den Broeke

IPC分类号： G10K7/06

CPC分类号： G03F7/705

摘要： A method of determining calibration test patterns to be utilized to calibrate a model for simulating the imaging performance of an optical imaging system. The method includes the steps of defining design rules associated with a given imaging process; defining a model equation representing the imaging performance of the optical imaging system; determining a boundary of an imaging signal space based on the design rules; selecting calibration patterns based on the boundary of the imaging signal space such that the calibration patterns are on the boundary or within the boundary of the imaging signal space; and storing the selected calibration test patterns, where the calibration test patterns are utilized to calibrate the model for simulating the imaging performance of the optical imaging system.

摘要翻译： 确定用于校准用于模拟光学成像系统的成像性能的模型的校准测试图案的方法。 该方法包括定义与给定成像过程相关联的设计规则的步骤; 定义表示光学成像系统的成像性能的模型方程; 基于设计规则确定成像信号空间的边界; 基于成像信号空间的边界选择校准图案，使得校准图案位于成像信号空间的边界或边界内; 并存储所选择的校准测试图案，其中使用校准测试图案来校准用于模拟光学成像系统的成像性能的模型。

公开(公告)号：US20050196682A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：US10981762

申请日：2004-11-05

申请人： Stephen Hsu ,  Jang Chen ,  Xuelong Shi ,  Douglas Van Den Broeke

发明人： Stephen Hsu ,  Jang Chen ,  Xuelong Shi ,  Douglas Van Den Broeke

IPC分类号： G03F1/08 ,  G03B27/72 ,  G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  G06F17/50 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70425 ,  G03F7/70441

摘要： A method of generating a mask for use in a photolithography process. The method includes the steps of determining a target mask pattern having a plurality of features to be imaged and an illumination system to be utilized to image the mask; identifying a critical pitch within the target pattern and optimizing illumination settings of the illumination system for imaging the critical pitch; identifying a forbidden pitch within the target pattern; and modifying the transmittance of the features having a pitch equal to or substantially equal to the forbidden pitch such that the exposure latitude of the features equal to or substantially equal to the forbidden pitch is increased.

摘要翻译： 一种生成用于光刻工艺的掩模的方法。 该方法包括以下步骤：确定具有要成像的多个特征的目标掩模图案和要用于对掩模进行成像的照明系统; 识别所述目标图案内的临界音调并且优化所述照明系统的照明设置以对所述关键音调成像; 识别目标模式内的禁止音高; 以及修改具有等于或基本上等于禁止间距的间距的特征的透射率，使得等于或基本上等于禁止间距的特征的曝光宽容度增加。

公开(公告)号：US20070065733A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11501916

申请日：2006-08-10

申请人： Jang Chen ,  Duan-Fu Hsu ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jung Park ,  Thomas Laidig

发明人： Jang Chen ,  Duan-Fu Hsu ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jung Park ,  Thomas Laidig

IPC分类号： G03C5/00 ,  G06F17/50 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/34 ,  G03F1/32

摘要： A method of generating a mask for printing a pattern including a plurality of features. The method includes the steps of obtaining data representing the plurality of features; and forming at least one of the plurality of features by etching a substrate to form a mesa and depositing a chrome layer over the entire upper surface of the mesa, where said mesa has a predetermined height.

摘要翻译： 一种生成用于打印包括多个特征的图案的掩模的方法。 该方法包括获取表示多个特征的数据的步骤; 以及通过蚀刻基底以形成台面并在所述台面的整个上表面上沉积铬层，形成所述多个特征中的至少一个，其中所述台面具有预定高度。