公开(公告)号：US20160172034A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：US14968016

申请日：2015-12-14

申请人： EUN-CHU OH ,  PIL-SANG YOON ,  JUN-JIN KONG ,  HONG-RAK SON

发明人： EUN-CHU OH ,  PIL-SANG YOON ,  JUN-JIN KONG ,  HONG-RAK SON

IPC分类号： G11C13/00 ,  H03M13/00 ,  H03M13/05

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G06F11/1048 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G11C8/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0088 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H03M13/05 ,  H03M13/27

摘要： A method of operating a resistive memory system including a plurality of layers may include receiving a write request and first data corresponding to a first address, converting the first address into a second address and assigning n (n is an integer equal to or larger than 2) pieces of sub-region data generated from the first data to the plurality of layers, and writing the n pieces of sub-region data to at least two layers according to the second address.

摘要翻译： 一种操作包括多个层的电阻式存储器系统的方法可以包括：接收与第一地址对应的写请求和第一数据，将第一地址转换为第二地址并分配n（n是等于或大于2的整数） ）子区域数据从第一数据生成到多个层，并且根据第二地址将n个子区域数据写入至少两个层。

公开(公告)号：US20150162093A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：US14309959

申请日：2014-06-20

申请人： EUN-CHU OH ,  EUN-CHEOL KIM ,  JUN-JIN KONG ,  KWANG-HOON KIM ,  KWANG-HOON KIM ,  HONG-RAK SON

发明人： EUN-CHU OH ,  EUN-CHEOL KIM ,  JUN-JIN KONG ,  KWANG-HOON KIM ,  KWANG-HOON KIM ,  HONG-RAK SON

IPC分类号： G11C16/34 ,  G11C16/26 ,  G11C16/16

CPC分类号： G11C16/3445 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C29/50004 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/0409

摘要： A method of operating a memory controller in a memory system including a nonvolatile memory device includes; erasing memory cells of a target memory block of the non-volatile memory device on a block basis, and then searching for a bad memory cell by a performing an erase verifying operation, comparing a threshold voltage of the bad memory cell to a reference voltage to generate comparison results, and designating as a bad area one of the entire target memory block, and a sub-block of the target memory block in response to the comparison results.

摘要翻译： 一种在包括非易失性存储器件的存储器系统中操作存储器控制器的方法包括： 以块为单位擦除非易失性存储器件的目标存储块的存储单元，然后通过执行擦除验证操作来搜索不良存储单元，将坏存储单元的阈值电压与参考电压进行比较，以 生成比较结果，并且根据比较结果将整个目标存储器块中的一个指定为不良区域，以及目标存储器块的子块。

公开(公告)号：US20150199267A1

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：US14323294

申请日：2014-07-03

申请人： EUN-CHU OH ,  CHANG-KYU SEOL ,  JUN-JIN KONG ,  JONG-HA KIM ,  HONG-RAK SON

发明人： EUN-CHU OH ,  CHANG-KYU SEOL ,  JUN-JIN KONG ,  JONG-HA KIM ,  HONG-RAK SON

IPC分类号： G06F12/02 ,  G06F11/10 ,  G06F3/06

CPC分类号： G06F11/1072 ,  G06F2212/202 ,  G06F2212/403

摘要： A method of operating a memory controller comprises receiving original data from an external source, partitioning the original data into multiple elements of unit data, changing an order of at least one element of unit data to reduce the number of occurrences of a target state among the multiple units of unit data, and controlling a non-volatile memory device to program the multiple elements of unit data having the reduced number of occurrences of the target state.

摘要翻译： 操作存储器控制器的方法包括从外部源接收原始数据，将原始数据划分为单元数据的多个元素，改变单元数据的至少一个元素的顺序以减少目标状态的发生次数 多个单元数据单元，以及控制非易失性存储器件来编程具有减少的目标状态出现次数的单元数据的多个元件。

公开(公告)号：US20160217030A1

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：US15001012

申请日：2016-01-19

申请人： DONG-MIN SHIN ,  JUN-JIN KONG ,  BEOM-KYU SHIN ,  EUN-CHU OH ,  PIL-SANG YOON

发明人： DONG-MIN SHIN ,  JUN-JIN KONG ,  BEOM-KYU SHIN ,  EUN-CHU OH ,  PIL-SANG YOON

IPC分类号： G06F11/08 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F11/085 ,  G06F11/1012 ,  G06F11/1048 ,  H03M13/00 ,  H03M13/1102 ,  H03M13/1162 ,  H03M13/1165 ,  H03M13/1174 ,  H03M13/1182 ,  H03M13/255

摘要： A method of operating a memory system includes receiving information data corresponding to a second program unit that is a part of a first program unit and a write request for the information data from a host; generating a codeword by performing error correction code (ECC) encoding on the received information data such that a partial parity bit corresponding to the information data among all parity bits of the codeword is updated; and providing a memory device with the generated codeword and a write command regarding the codeword.

摘要翻译： 操作存储器系统的方法包括从主机接收与作为第一程序单元的一部分的第二程序单元相对应的信息数据和对信息数据的写入请求; 通过对接收到的信息数据执行纠错码（ECC）编码来生成码字，使得与码字的所有奇偶校验位之间的信息数据相对应的部分奇偶校验位被更新; 以及提供具有生成的码字的存储器装置和关于码字的写入命令。

公开(公告)号：US20160224247A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：US14994172

申请日：2016-01-13

申请人： YEONG-JAE WOO ,  KYOUNG-IL BANG ,  SUNG-YONG SEO ,  EUN-CHU OH ,  MOON-SANG KWON ,  HAN-SHIN SHIN

发明人： YEONG-JAE WOO ,  KYOUNG-IL BANG ,  SUNG-YONG SEO ,  EUN-CHU OH ,  MOON-SANG KWON ,  HAN-SHIN SHIN

IPC分类号： G06F3/06 ,  G06F12/10

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0665 ,  G06F3/068 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7204

摘要： A memory device capable of performing an overwrite operation, a memory system, and a method of operating the memory system are provided. The method includes receiving one or more write requests, a logical address and data corresponding to the one or more write requests; comparing a result of analyzing at least one of the received one or more write requests, logical address, and data with a threshold value; and writing data using a first update method or a second update method, based on a result of the comparison. When the first update method is selected, the data are written in a region indicated by a physical address corresponding to the logical address according to address mapping information. When the second update method is selected, information of the physical address corresponding to the logical address is changed, and the data are written in a region indicated by the changed physical address.

摘要翻译： 提供了能够执行重写操作的存储器件，存储器系统和操作存储器系统的方法。 该方法包括接收一个或多个写请求，逻辑地址和对应于一个或多个写请求的数据; 将所接收的一个或多个写入请求，逻辑地址和数据中的至少一个与阈值进行比较的结果; 以及基于比较的结果使用第一更新方法或第二更新方法来写入数据。 当选择第一更新方法时，根据地址映射信息将数据写入由与逻辑地址对应的物理地址指示的区域中。 当选择第二更新方法时，改变对应于逻辑地址的物理地址的信息，并且将数据写入由改变的物理地址指示的区域中。