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    CMOS-compatible metal-semiconductor-metal photodetector
    1.
    发明授权
    CMOS-compatible metal-semiconductor-metal photodetector 有权
    CMOS兼容金属 - 半导体 - 金属光电探测器

    公开(公告)号：US06756651B2

    公开(公告)日：2004-06-29

    申请号：US09963194

    申请日：2001-09-26

    申请人： Ferenc M. Bozso ,  Fenton Read McFeely ,  John Jacob Yurkas

    发明人： Ferenc M. Bozso ,  Fenton Read McFeely ,  John Jacob Yurkas

    IPC分类号： H01L2714

    CPC分类号： H01L31/1085 ,  H01L31/1133

    摘要： A novel photodetector CMOS-compatible photodetector is disclosed in which photo-generation of carriers (electrons) is carried out in the metal of the electrodes, rather than as electron-hole pairs in the semiconductor on which the metal electrodes are deposited. The novel photo detector comprises a silicon or other semiconductor substrate material characterized by an electron energy bandgap, and a pair of metal electrodes disposed upon a surface of the silicon to define therebetween a border area of the surface. One of the two electrodes being exposed to the incident radiation and covering an area of said surface which is larger than the aforesaid border area, the aforesaid metal of the electrodes being characterized by a Fermi level which is within said electron energy bandgap.

    摘要翻译： 公开了一种新颖的光电检测器CMOS兼容光电检测器，其中在电极的金属中进行载流子（电子）的光生成，而不是沉积金属电极的半导体中的电子 - 空穴对。 新型光电检测器包括以电子能带隙为特征的硅或其它半导体衬底材料，以及设置在硅表面上的一对金属电极，以在其间界定表面的边界区域。 两个电极中的一个暴露于入射辐射并且覆盖所述表面的大于上述边界区域的区域，上述电极的金属的特征在于在所述电子能带隙内的费米能级。

    High speed data channel including a CMOS VCSEL driver and a high performance photodetector and CMOS photoreceiver
    2.
    发明授权
    High speed data channel including a CMOS VCSEL driver and a high performance photodetector and CMOS photoreceiver 有权
    包括CMOS VCSEL驱动器和高性能光电探测器和CMOS光接收器的高速数据通道

    公开(公告)号：US07659535B2

    公开(公告)日：2010-02-09

    申请号：US11924239

    申请日：2007-10-25

    申请人： Ferenc M. Bozso ,  Philip G. Emma

    发明人： Ferenc M. Bozso ,  Philip G. Emma

    IPC分类号： H01L29/06

    CPC分类号： H01S5/0428 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/15192 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/183 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    摘要： A high speed optical channel including an optical driver and a photodetector in a CMOS photoreceiver. The optical channel driver includes a FET driver circuit driving a passive element (e.g., an integrated loop inductor) and a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) diode. The VCSEL diode is biased by a bias supply. The integrated loop inductor may be integrated in CMOS technology and on the same IC chip as either/both of the FET driver and the VCSEL diode. The photodetector is in a semiconductor (silicon) layer that may be on an insulator layer, i.e., SOI. One or more ultrathin metal electrodes (

    摘要翻译： 一种包括CMOS光接收器中的光驱动器和光电检测器的高速光通道。 光通道驱动器包括驱动无源元件（例如，集成环路电感器）和垂直腔表面发射激光器（VCSEL）二极管的FET驱动器电路。 VCSEL二极管由偏置电源偏置。 集成环路电感可以集成在CMOS技术中，并且与FET驱动器和VCSEL二极管中的一个或两者集成在同一个IC芯片上。 光电检测器处于半导体（硅）层中，其可以在绝缘体层上，即SOI上。 在硅层上的一个或多个超薄金属电极（<A）形成肖特基势垒二极管结，其又形成了在超薄金属电极和肖特基势垒二极管结之间含有二维电子气的量子阱。

    Method for in-situ continuity check on an optical bus
    3.
    发明授权
    Method for in-situ continuity check on an optical bus 失效
    在光学总线上进行原位连续性检查的方法

    公开(公告)号：US07211816B2

    公开(公告)日：2007-05-01

    申请号：US10317585

    申请日：2002-12-12

    申请人： Ferenc M. Bozso ,  Philip G. Emma

    发明人： Ferenc M. Bozso ,  Philip G. Emma

    IPC分类号： H04B10/00

    CPC分类号： G06F13/409 ,  G02B6/43

    摘要： A method of continuity checking an optical connection. An first optical source transmits an optical signal. A first optical receiver is checked for the optical signal. A second optical source transmits another optical signal. A second optical receiver checks for the other optical signal.

    摘要翻译： 一种连续性检查光学连接的方法。 第一光源发射光信号。 检查第一光接收机的光信号。 第二光源传输另一光信号。 第二个光接收机检查另一个光信号。

    High speed data channel including a CMOS VCSEL driver and a high performance photodetector and CMOS photoreceiver
    7.
    发明授权
    High speed data channel including a CMOS VCSEL driver and a high performance photodetector and CMOS photoreceiver 有权
    包括CMOS VCSEL驱动器和高性能光电探测器和CMOS光接收器的高速数据通道

    公开(公告)号：US07496122B2

    公开(公告)日：2009-02-24

    申请号：US11924283

    申请日：2007-10-25

    申请人： Ferenc M. Bozso ,  Phillip G. Emma

    发明人： Ferenc M. Bozso ,  Phillip G. Emma

    IPC分类号： H01S3/00

    CPC分类号： H01S5/0428 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/15192 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/183 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    摘要： A high speed optical channel including an optical driver and a photodetector in a CMOS photoreceiver. The optical channel driver includes a FET driver circuit driving a passive element (e.g., an integrated loop inductor) and a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) diode. The VCSEL diode is biased by a bias supply. The integrated loop inductor may be integrated in CMOS technology and on the same IC chip as either/both of the FET driver and the VCSEL diode. The photodetector is in a semiconductor (silicon) layer that may be on an insulator layer, i.e., SOI. One or more ultrathin metal electrodes (

    摘要翻译： 一种包括CMOS光接收器中的光驱动器和光电检测器的高速光通道。 光通道驱动器包括驱动无源元件（例如，集成环路电感器）和垂直腔表面发射激光器（VCSEL）二极管的FET驱动器电路。 VCSEL二极管由偏置电源偏置。 集成环路电感可以集成在CMOS技术中，并且与FET驱动器和VCSEL二极管中的一个或两者集成在同一个IC芯片上。 光电检测器处于半导体（硅）层中，其可以在绝缘体层上，即SOI上。 在硅层上的一个或多个超薄金属电极（<A）形成肖特基势垒二极管结，其又形成了在超薄金属电极和肖特基势垒二极管结之间含有二维电子气的量子阱。