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    TaN integrated circuit (IC) capacitor formation
    2.
    发明申请
    TaN integrated circuit (IC) capacitor formation 审中-公开
    TaN集成电路（IC）电容器形成

    公开(公告)号：US20070048962A1

    公开(公告)日：2007-03-01

    申请号：US11212456

    申请日：2005-08-26

    申请人： Gregory Hendy ,  Evelyn Lafferty ,  Michael Huber ,  George Harakas

    发明人： Gregory Hendy ,  Evelyn Lafferty ,  Michael Huber ,  George Harakas

    IPC分类号： H01L21/441

    CPC分类号： H01L27/0805 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/40

    摘要： Formation of a capacitor as part of an integrated circuit (IC) fabrication process is disclosed. The capacitor generally comprises a top conductive plate, a capacitor dielectric and a bottom conductive plate that respectively comprise a patterned layer of tantalum nitride TaN, a layer of a nitride based material and a layer of patterned polysilicon.

    摘要翻译： 公开了作为集成电路（IC）制造工艺的一部分的电容器的形成。 电容器通常包括分别包括氮化钽TaN的图案化层，氮化物基材料层和图案化多晶硅层的顶部导电板，电容器电介质和底部导电板。

    Utilizing a protective plug to maintain the integrity of the FTP shrink hinge
    3.
    发明申请
    Utilizing a protective plug to maintain the integrity of the FTP shrink hinge 有权
    利用保护塞保持FTP收缩铰链的完整性

    公开(公告)号：US20060255424A1

    公开(公告)日：2006-11-16

    申请号：US11125473

    申请日：2005-05-10

    申请人： Anthony DiCarlo ,  Rabah Mezenner ,  James Baker ,  Mark Franklin ,  George Harakas

    发明人： Anthony DiCarlo ,  Rabah Mezenner ,  James Baker ,  Mark Franklin ,  George Harakas

    IPC分类号： H01L29/00

    CPC分类号： G02B26/0833 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0181 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/053

    摘要： As robust hinge post structure for use with torsional hinged devices such as micromirrors and method of manufacturing is disclosed. The fabrication process uses a protective layer such as BARC on the bottom of the aperture used to form the hinge post structure to protect an oxide layer during an etching step. The oxide layer, in turn protects the metal layer at the bottom of the aperture. Therefore, the metal layer, the oxide layer, and the protective layer prevent the erosion and/or pitting of the bottom electrode during a cleaning process, and provide additional support to the structure.

    摘要翻译： 公开了用于扭转铰接装置如微反射镜和制造方法的坚固的铰链柱结构。 制造工艺在用于形成铰链柱结构的孔的底部上使用诸如BARC的保护层，以在蚀刻步骤期间保护氧化物层。 氧化物层又保护孔的底部的金属层。 因此，金属层，氧化物层和保护层在清洁过程中防止底部电极的侵蚀和/或点蚀，并为结构提供额外的支撑。

    Utilizing a protective plug to maintain the integrity of the FTP shrink hinge
    6.
    发明授权
    Utilizing a protective plug to maintain the integrity of the FTP shrink hinge 有权
    利用保护塞保持FTP收缩铰链的完整性

    公开(公告)号：US07262900B2

    公开(公告)日：2007-08-28

    申请号：US11125473

    申请日：2005-05-10

    申请人： Anthony DiCarlo ,  Rabah Mezenner ,  James C. Baker ,  Mark A. Franklin ,  George Harakas

    发明人： Anthony DiCarlo ,  Rabah Mezenner ,  James C. Baker ,  Mark A. Franklin ,  George Harakas

    IPC分类号： G02B26/00

    CPC分类号： G02B26/0833 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0181 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/053

    摘要： As robust hinge post structure for use with torsional hinged devices such as micromirrors and method of manufacturing is disclosed. The fabrication process uses a protective layer such as BARC on the bottom of the aperture used to form the hinge post structure to protect an oxide layer during an etching step. The oxide layer, in turn protects the metal layer at the bottom of the aperture. Therefore, the metal layer, the oxide layer, and the protective layer prevent the erosion and/or pitting of the bottom electrode during a cleaning process, and provide additional support to the structure.

    摘要翻译： 公开了用于扭转铰接装置如微反射镜和制造方法的坚固的铰链柱结构。 制造工艺在用于形成铰链柱结构的孔的底部上使用诸如BARC的保护层，以在蚀刻步骤期间保护氧化物层。 氧化物层又保护孔的底部的金属层。 因此，金属层，氧化物层和保护层在清洁过程中防止底部电极的侵蚀和/或点蚀，并为结构提供额外的支撑。