公开(公告)号：US07545030B2

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US11323205

申请日：2005-12-30

申请人： Gregory M. Chrysler ,  Thomas S. Dory ,  James G. Maveety ,  Edward Prack ,  Unnikrishnan Vadakkanmaruveedu

发明人： Gregory M. Chrysler ,  Thomas S. Dory ,  James G. Maveety ,  Edward Prack ,  Unnikrishnan Vadakkanmaruveedu

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L23/373 ,  H01L51/529 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/16152 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/748 ,  Y10S977/847 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2224/05599

摘要： A carbon nanotube (CNT) array is patterned on a substrate. The substrate can be a microelectronic die or a heat sink for a die. The patterned CNT array is patterned by using a patterned catalyst on the substrate to form the CNT array by growing. The patterned CNT array can also be patterned by using a patterned mask on the substrate to form the CNT array by growing. A computing system that uses the CNT array for heat transfer from the die is also used.

摘要翻译： 碳纳米管（CNT）阵列在衬底上图案化。 衬底可以是微电子管芯或用于管芯的散热器。 通过在衬底上使用图案化的催化剂来图案化图案化的CNT阵列，以通过生长形成CNT阵列。 图案化的CNT阵列也可以通过使用衬底上的图案化掩模进行图案化，以通过生长形成CNT阵列。 还使用使用CNT阵列从模具进行热传递的计算系统。

公开(公告)号：US08404519B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US13108707

申请日：2011-05-16

申请人： Gregory M. Chrysler ,  Thomas S. Dory ,  James G. Maveety ,  Edward Prack ,  Unnikrishnan Vadakkanmaruveedu

发明人： Gregory M. Chrysler ,  Thomas S. Dory ,  James G. Maveety ,  Edward Prack ,  Unnikrishnan Vadakkanmaruveedu

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L23/373 ,  H01L51/529 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/16152 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/748 ,  Y10S977/847 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2224/05599

摘要： A carbon nanotube (CNT) array is patterned on a substrate. The substrate can be a microelectronic die or a heat sink for a die. The patterned CNT array is patterned by using a patterned catalyst on the substrate to form the CNT array by growing. The patterned CNT array can also be patterned by using a patterned mask on the substrate to form the CNT array by growing. A computing system that uses the CNT array for heat transfer from the die is also used.

摘要翻译： 碳纳米管（CNT）阵列在衬底上图案化。 衬底可以是微电子管芯或用于管芯的散热器。 通过在衬底上使用图案化的催化剂来图案化图案化的CNT阵列，以通过生长形成CNT阵列。 图案化的CNT阵列也可以通过使用衬底上的图案化掩模进行图案化，以通过生长形成CNT阵列。 还使用使用CNT阵列从模具进行热传递的计算系统。

公开(公告)号：US07964447B2

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：US12387871

申请日：2009-05-08

申请人： Gregory M. Chrysler ,  Thomas S. Dory ,  James G. Maveety ,  Edward Prack ,  Unnikrishnan Vadakkanmaruveedu

发明人： Gregory M. Chrysler ,  Thomas S. Dory ,  James G. Maveety ,  Edward Prack ,  Unnikrishnan Vadakkanmaruveedu

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L23/373 ,  H01L51/529 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/16152 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/748 ,  Y10S977/847 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2224/05599

摘要： A carbon nanotube (CNT) array is patterned on a substrate. The substrate can be a microelectronic die or a heat sink for a die. The patterned CNT array is patterned by using a patterned catalyst on the substrate to form the CNT array by growing. The patterned CNT array can also be patterned by using a patterned mask on the substrate to form the CNT array by growing. A computing system that uses the CNT array for heat transfer from the die is also used.

摘要翻译： 碳纳米管（CNT）阵列在衬底上图案化。 衬底可以是微电子管芯或用于管芯的散热器。 通过在衬底上使用图案化的催化剂来图案化图案化的CNT阵列，以通过生长形成CNT阵列。 图案化的CNT阵列也可以通过使用衬底上的图案化掩模进行图案化，以通过生长形成CNT阵列。 还使用使用CNT阵列从模具进行热传递的计算系统。

公开(公告)号：US20110214285A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13108707

申请日：2011-05-16

申请人： Gregory M. Chrysler ,  Thomas S. Dory ,  James G. Maveety ,  Edward Prack ,  Unnikrishnan Vadakkanmaruveedu

发明人： Gregory M. Chrysler ,  Thomas S. Dory ,  James G. Maveety ,  Edward Prack ,  Unnikrishnan Vadakkanmaruveedu

IPC分类号： H05K3/36 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L23/373 ,  H01L51/529 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/16152 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/748 ,  Y10S977/847 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2224/05599

摘要： A carbon nanotube (CNT) array is patterned on a substrate. The substrate can be a microelectronic die or a heat sink for a die. The patterned CNT array is patterned by using a patterned catalyst on the substrate to form the CNT array by growing. The patterned CNT array can also be patterned by using a patterned mask on the substrate to form the CNT array by growing. A computing system that uses the CNT array for heat transfer from the die is also used.

摘要翻译： 碳纳米管（CNT）阵列在衬底上图案化。 衬底可以是微电子管芯或用于管芯的散热器。 通过在衬底上使用图案化的催化剂来图案化图案化的CNT阵列，以通过生长形成CNT阵列。 图案化的CNT阵列也可以通过使用衬底上的图案化掩模进行图案化，以通过生长形成CNT阵列。 还使用使用CNT阵列从模具进行热传递的计算系统。

公开(公告)号：US20090218681A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12387871

申请日：2009-05-08

申请人： Gregory M. Chrysler ,  Thomes S. Dory ,  James G. Maveety ,  Edward Prack ,  Unnikrishnan Vadakkanmaruveedu

发明人： Gregory M. Chrysler ,  Thomes S. Dory ,  James G. Maveety ,  Edward Prack ,  Unnikrishnan Vadakkanmaruveedu

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/373 ,  H01L51/529 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/16152 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/748 ,  Y10S977/847 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2224/05599

摘要： A carbon nanotube (CNT) array is patterned on a substrate. The substrate can be a microelectronic die or a heat sink for a die. The patterned CNT array is patterned by using a patterned catalyst on the substrate to form the CNT array by growing. The patterned CNT array can also be patterned by using a patterned mask on the substrate to form the CNT array by growing. A computing system that uses the CNT array for heat transfer from the die is also used.

摘要翻译： 碳纳米管（CNT）阵列在衬底上图案化。 衬底可以是微电子管芯或用于管芯的散热器。 通过在衬底上使用图案化催化剂来图案化图案化的CNT阵列，以通过生长形成CNT阵列。 图案化的CNT阵列也可以通过使用衬底上的图案化掩模进行图案化，以通过生长形成CNT阵列。 还使用使用CNT阵列从模具进行热传递的计算系统。

公开(公告)号：US20070155136A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11323205

申请日：2005-12-30

申请人： Gregory Chrysler ,  Thomas Dory ,  James Maveety ,  Edward Prack ,  Unnikrishnan Vadakkanmaruveedu

发明人： Gregory Chrysler ,  Thomas Dory ,  James Maveety ,  Edward Prack ,  Unnikrishnan Vadakkanmaruveedu

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L23/373 ,  H01L51/529 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/16152 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/748 ,  Y10S977/847 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2224/05599

摘要： A carbon nanotube (CNT) array is patterned on a substrate. The substrate can be a microelectronic die or a heat sink for a die. The patterned CNT array is patterned by using a patterned catalyst on the substrate to form the CNT array by growing. The patterned CNT array can also be patterned by using a patterned mask on the substrate to form the CNT array by growing. A computing system that uses the CNT array for heat transfer from the die is also used.

摘要翻译： 碳纳米管（CNT）阵列在衬底上图案化。 衬底可以是微电子管芯或用于管芯的散热器。 通过在衬底上使用图案化的催化剂来图案化图案化的CNT阵列，以通过生长形成CNT阵列。 图案化的CNT阵列也可以通过使用衬底上的图案化掩模进行图案化，以通过生长形成CNT阵列。 还使用使用CNT阵列从模具进行热传递的计算系统。

公开(公告)号：US20060286768A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11155751

申请日：2005-06-16

申请人： Leonel Arana ,  Edward Prack ,  Michael Newman

发明人： Leonel Arana ,  Edward Prack ,  Michael Newman

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/6835

摘要： A method of supporting a microelectronic wafer during backside processing. The method comprises: selecting a rigid carrier, an adhesive, and a radiation source to emit radiation at a predetermined wavelength range; forming a wafer-carrier stack by providing the adhesive between the wafer and the carrier and curing the adhesive to bond the wafer to the carrier; subjecting the wafer in the wafer-carrier stack to backside processing; and removing the carrier and the adhesive from the wafer-carrier stack comprising detackifying the adhesive by irradiating the wafer-carrier stack from a carrier side thereof with radiation from the radiation source. The carrier is adapted to transmit therethrough at least some of the radiation from the radiation source. and the adhesive is adapted to absorb substantially all radiation transmitted through the carrier and is further adapted to be detackified as a result of absorbing said substantially all radiation.

摘要翻译： 背面处理中支撑微电子晶片的方法。 该方法包括：选择刚性载体，粘合剂和辐射源以发射预定波长范围的辐射; 通过在晶片和载体之间提供粘合剂并固化粘合剂以将晶片结合到载体上来形成晶片载体堆叠; 对晶片载体叠层中的晶片进行背面处理; 以及从所述晶片载体堆叠中移除所述载体和所述粘合剂，其包括通过用来自所述辐射源的辐射从其载体侧照射所述晶片载体叠层而使所述粘合剂脱胶。 载体适于透射来自辐射源的至少一些辐射。 并且粘合剂适于吸收透射穿过载体的基本上所有的辐射，并且还适于由于吸收所述基本上所有的辐射而被去胶化。

公开(公告)号：US20060012036A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US11148691

申请日：2005-07-19

申请人： George Leal ,  Jie-Hua Zhao ,  Edward Prack ,  Robert Wenzel ,  Brian Sawyer ,  David Wontor ,  Marc Mangrum

发明人： George Leal ,  Jie-Hua Zhao ,  Edward Prack ,  Robert Wenzel ,  Brian Sawyer ,  David Wontor ,  Marc Mangrum

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

摘要： A circuit device (15) is placed within an opening of a conductive layer (10) which is then partially encapsulated with an encapsulant (24) so that the active surface of the circuit device (15) is coplanar with the conductive layer (10). At least a portion of the conductive layer (10) may be used as a reference voltage plane (e.g. a ground plane). Additionally, a circuit device (115) may be placed on a conductive layer (100) such that an active surface of circuit device (115) is between conductive layer (100) and an opposite surface of circuit device (115). The conductive layer (100) has at least one opening (128) to expose the active surface of circuit device (115). The encapsulant (24, 126, 326) may be electrically conductive or electrically non-conductive.

摘要翻译： 电路装置（15）放置在导电层（10）的开口内，然后用密封剂（24）部分封装，使得电路器件（15）的有源表面与导电层（10）共面， 。 导电层（10）的至少一部分可以用作参考电压平面（例如接地平面）。 另外，电路器件（115）可以放置在导电层（100）上，使得电路器件（115）的有源表面位于导电层（100）和电路器件（115）的相对表面之间。 导电层（100）具有至少一个开口（128）以露出电路装置（115）的有源表面。 密封剂（24,126,326）可以是导电的或非导电的。

公开(公告)号：US20070004171A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11173857

申请日：2005-06-30

申请人： Leonel Arana ,  Edward Prack ,  Sudhakar Kulkarni

发明人： Leonel Arana ,  Edward Prack ,  Sudhakar Kulkarni

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67132 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019

摘要： A method of supporting a microelectronic wafer during backside processing. The method comprises: selecting a rigid carrier including a radiation absorbing film thereon, an adhesive, and a radiation source to emit radiation at a predetermined wavelength range; forming a wafer-carrier stack by providing the adhesive between the wafer and the carrier and curing the adhesive to bond the wafer to the carrier; subjecting the wafer in the wafer-carrier stack to backside processing; and removing the carrier and the adhesive from the wafer-carrier stack comprising detackifying the adhesive by irradiating the wafer-carrier stack from a carrier side thereof with radiation from the radiation source. The carrier is adapted to transmit therethrough at least some of the radiation from the radiation source. and the radiation absorbing film is adapted to absorb substantially all radiation transmitted through the carrier and is further adapted to be heated to detackify the adhesive as a result of absorbing said substantially all radiation.

摘要翻译： 背面处理中支撑微电子晶片的方法。 该方法包括：选择其上包括辐射吸收膜的刚性载体，粘合剂和辐射源以发射预定波长范围的辐射; 通过在晶片和载体之间提供粘合剂并固化粘合剂以将晶片结合到载体上来形成晶片载体堆叠; 对晶片载体叠层中的晶片进行背面处理; 以及从所述晶片载体堆叠中移除所述载体和所述粘合剂，其包括通过用来自所述辐射源的辐射从其载体侧照射所述晶片载体叠层而使所述粘合剂脱胶。 载体适于透射来自辐射源的至少一些辐射。 并且辐射吸收膜适于吸收透射穿过载体的基本上所有辐射，并且还适于被加热以由于吸收所述基本上所有的辐射而使粘合剂脱胶。

公开(公告)号：US20070000595A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11171956

申请日：2005-06-29

申请人： Edward Prack

发明人： Edward Prack

IPC分类号： B32B38/00 ,  B32B37/12 ,  B32B38/10 ,  H01L21/20 ,  H01L21/30 ,  H01L21/31 ,  B32B7/12

CPC分类号： H01L21/6835 ,  B24B37/30 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2471/006 ,  C09J2479/086 ,  C09J2481/006 ,  H01L24/27 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/007 ,  H05K3/386 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/0191 ,  Y10T156/17 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2852 ,  H01L2924/00

摘要： A system, apparatus and method of using an adhesive substrate capable of maintaining adhesion between a carrier and a work piece during a thinning process and then withstanding processing temperatures equal to or in excess of 160 degrees Celsius and with subsequent removal of the carrier and the adhesive substrate without solvent are described herein.

摘要翻译： 一种使用粘合剂基材的系统，装置和方法，其能够在变薄过程期间保持载体和工件之间的粘合性，然后耐受等于或超过160摄氏度的处理温度，随后除去载体和粘合剂 本文描述了无溶剂的底物。